PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET
Bargieł K., Bisewski D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 8
63--66
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów izotermicznych i nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET mocy wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP170R550 firmy SemiSouth. Zbadano wpływ temperatury oraz oceniono wpływ zjawiska samonagrzewania na parametry oraz charakterystyki tego tranzystora. Dla porównania zaprezentowano również charakterystyki tego przyrządu półprzewodnikowego dostępne w jego karcie katalogowej.
EN
The paper presents of isothermal and non-isothermal measurements results of the static characteristics power SiC-JFET, manufactured by SemiSouth. The influence of temperature was examined and the self-heating effect phenomenon on the parameters and characteristics of transistor were evaluated. For comparison the characteristics SiC-JFET available in datasheet, were presented.
2
Content available Ocena dokładności firmowego makromodelu tranzystora SiC-JFET
Bargieł K., Bisewski D.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2018
|
No. 95
67--76
PL
W pracy zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej makromodelu tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu o symbolu UJN1208K firmy United Silicon Carbide. Postać makromodelu jest dedykowana dla programu PSPICE i została udostępniona na stronie internetowej producenta. Oceniono dokładność makromodelu poprzez porównanie wybranych obliczonych i katalogowych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) rozważanego tranzystora. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia na wymienione charakterystyki tranzystora.
EN
In the paper, the results of experimental verification of the macromodel of UJN1208K JFET transistor made of silicon carbide fabricated by United Silicon Carbide, are presented. The macromodel form dedicated for PSPICE program is available on the manufacturer's website. The accuracy of the macromodel have been evaluated by comparison of selected calculated and measured static characteristics and C-V characteristics of the considered transistor. The influence of ambient temperature on the characteristics of the transistor has been evaluated, as well.
3
Content available remote Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET
Bargieł K., Bisewski D., Zarębski J., Szarmach E.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2016
|
nr 95
157--167
PL
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystora JFET mocy, wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP120R063. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej komputerowego systemu pomiarowego. Zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w rozważanym przyrządzie półprzewodnikowym na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i wybranych parametrów występujących w modelu przejściowej impedancji termicznej.
EN
In the paper results of measurements of the thermal parameters of silicon carbide JFET, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsedelectrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistor were examined.
4
Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu : pomiary, modelowanie i aplikacje
Zarębski J., Bisewski D., Dąbrowski J., Górecki K., Bargieł K., Patrzyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 8
22-25
PL
W artykule zaprezentowano wybrane wyniki prac naukowo-badawczych prowadzonych w Katedrze Elektroniki Morskiej (KEM) Akademii Morskiej w Gdyni w zakresie pomiarów oraz modelowania przyrządów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu, a także przykładowych układów elektronicznych z tymi przyrządami.
EN
In this papers, selected results of scientific research performed in the Department of Marine Electronics of Gdynia Maritime University in the field of measurements and modelling of semiconductor devices made of silicon carbide are presented. Some results of analyses and calculations of electronic circuits containing such devises are shown, as well.
5
Nawożenie roślin w miastach
Bargieł K., Mynett M.
Zieleń Miejska
|
2013
|
Nr 9
41--42
PL
Rośliny spełniają swoją istotną funkcję w miastach, gdy same są w dobrej kondycji. Najlepsze okazy zwykle pochodzą z dobrych szkółek, gdzie zostały odpowiednio ukształtowane i przygotowane do wzrostu w miastach lub ogrodach. Jednym z najważniejszych czynników w ramach produkcji roślin jest ich żywienie, czyli nawożenie.
6
Content available Zastosowanie układów programowalnych do obsługi modelu przenośnika taśmowego
Bargieł K., Noga K.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2012
|
Nr 31
27-30
PL
W artykule przedstawiono model przenośnika taśmowego, który został zbudowany w Katedrze Automatyki Okrętowej (KAO) Akademii Morskiej w Gdyni. Pozwala on na odczyt parametrów zarejestrowanych przez czujniki pomiaru wysokości transportowanych elementów oraz detekcji ich koloru w skali RGB. Model ten jest wykorzystywany w KAO jako stanowisko dydaktyczne, do nauki układów programowalnych, w laboratorium Techniki Cyfrowej.
EN
This paper presents a model of a conveyor belt, which was built in the Department of Ship Automation (KAO), in Gdynia Maritime University. It allows to read the parameters recorded by the sensors measure the amount of transported elements and their detection on an RGB color. This model is used in the KAO as a teaching station in the labora-tory of digital technology.
7
Zastosowanie kotew prętowo-spoiwowych KLS-1/RM przy przebudowie wyrobisk korytarzowych na przykładzie doświadczeń ZG "Rudna"
Bargieł K., Kondoł P., Wróbel J.
Cuprum : czasopismo naukowo-techniczne górnictwa rud
|
1998
|
nr 8
187-192
PL
W wyrobiskach korytarzowych o długotrwałym okresie użytkowania wykonanych w obudowie kotwowej zachodzi konieczność wzmocnienia istniejącej obudowy lub przebudowy wyrobisk znajdujących się w zasięgu wpływów prowadzonej eksploatacji. W celu obniżenia kosztów tych przebudów opracowano i wdrożono zautomatyzowaną technologię zabudowy kotew prętowo-betonowych przy pomocy kotwiarki wielozadaniowej SWK-1/1 "KOT". W referacie przedstawiono ww. technologię oraz sprzęt do zabudowy kotew prętowo-betonowych.
EN
In roof bolted workings with long period usage there is a need of the existing support strengthening or reconstruction of workings when they are under the influence of mining. In order to reduce costs it was designed and implemented automated technology of bar-and-concrete roof bolt installation using SWK-1/1 "KOT" roof bolt settler. The technology and the equipment for bolts installation is presented in the paper.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.