Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Nukleonika

1 1999

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

High energy ion implatation profiles

Krynicki J., Puton J., Oleniak J., Warchoł S., Rzewuski H.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 1

3-13

A new computer program for depth distribution calculations of high energy ions implanted into solids has been presented. It provides a possibility of obtaining any shape of the implanted ion profiles for high energy ions assuming, that the correlation between the Rp and ΔRp is known. In particular, it provides high computer efficiency while maintaining a high degree of accuracy. To ilustrate applicability and reliability of the program a number of representative calculations have been performed. High energy Sb{indeks górny]+ ion implantation into Si crystals was performed for the case of flat and linear implantation profiles. Rutherford Backscattering Spectroscopy has been used to determine depth distributions of the implanted ions. It was found that a very good agreement is held between the assumed theoretical profiles and measured ion distributions. The possible fitting errors manifested by the program are considerably smaller than the accuracy of the method of measurement and the precision of the implantation technique. The experimental results confirm a possibility of the effective application of the high energy ion implantation technique for producing a required distribution of implanted ions in a thin layer of a crystal.

Przedstawiono nowy program komputerowy pozwalający na obliczenie głębokościowego rozkładu w kryształach implantowanych jonów o wysokiej energii. Umożliwia on otrzymanie dowolnego profilu, jeśli tylko znana jest zależność między Rp i ΔRp dla tych jonów. Program zapewnia wysoką wydajność komputera, przy zachowaniu wysokiej dokładności obliczeń. Dla zilustrowania stosowalności i niezawodności przedstawionego programu przeprowadzono stosowne obliczenia. Dokonano również implantacji wysokoenergetycznych jonów Sb[indeks górny]+ do kryształów Si, dla przypadku profilu płaskiego i liniowego. Rozkład głębokościowy implantowanych jonów zmierzony został metodą RBS. Stwierdzono bardzo dobrą zgodność między profilami założonymi teoretycznie i zmierzonymi doświadczalnie. Możliwe błędy dopasowania, wynikające z nowego programu są znacznie mniejsze niż dokładność metody pomiarowej i precyzja techniki implatancyjnej. Wyniki eksperymentalne potwierdziły możliwość zastosowania techniki implantacji jonów o wysokiej energii do uzyskania wymaganego rozkładu jonów domieszki w powierzchniowej warstwie implantowanego kryształu.