PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Development of 50-kW isolated DC/DC converter with high-voltage IGBTs
Vinnikov D., Jalakas T., Laugis J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2007
|
R. 83, nr 10
103-107
EN
The 6.5 kV insulated gate bipolar transistor (IGBT) is a new promising power device for high-voltage high-power applications. Due to its increased voltage blocking capability, the new HV IGBT can serve as a good replacement for GTO and IGCT thyristors in medium or medium-to-high power applications. One of its general application fields is railway traction. The paper discusses design and development considerations of the 50-kW auxiliary power supply to be used in 3.0 kV DC commuter trains .
PL
Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką (IGBT) o napięciu 6,5kV są nowymi obiecującym przyrządami półprzewodnikowymi dla wysokonapięciowych urządzeń energoelektronicznych dużej mocy. Dzięki zwiększonej zdolności blokowania napięć nowe tranzystory IGBT mogą z powodzeniem zastępować tyrystory GTO oraz IGCT w aplikacjach średniej i dużej mocy. Jednym z głównych obszarów zastosowań jest trakcja elektryczna. W artykule przedstawiono analizę założeń projektowych i opis realizacji zasilacza o mocy 50kW przeznaczonego do zastosowania w pociągach podmiejskich zasilanych z trakcji 3kV napięcia stałego.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.