PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Właściwości cienkowarstwowych, przezroczystych półprzewodników o zadanym typie przewodnictwa elektrycznego do zastosowań w transparentnej elektronice
Sieradzka K., Mazur M., Domaradzki J., Kaczmarek D., Prociów E. L., Berlicki T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 2
18-20
PL
W niniejszej pracy przedstawiono możliwości wytwarzania nanokrystalicznych, przezroczystych cienkich warstw tlenków na bazie TiO₂ o właściwościach półprzewodnikowych. Tlenki wytwarzano za pomocą dwóch zmodyfikowanych metod rozpylania magnetronowego. Na podstawie pomiarów właściwości optycznych i elektrycznych pokazano, że uzyskanie tego typu materiałów jest trudne i wymaga kompromisu między jednocześnie dobrą przezroczystością, a dużym przewodnictwem elektrycznym. Stwierdzono, że domieszkowanie cienkich warstw TiO₂ stwarza możliwość wytwarzania półprzewodników o zarówno elektronowym, jak i dziurawym typie przewodnictwa elektrycznego.
EN
In this work the preparation of nanocrystalline, transparent and semiconducting thin films based on TiO₂ has been presented. The thin films of TOS oxides were deposited by using two different and modified magnetron sputtering methods. On the basis of opticat and electrical measurements it was shown that preparation of such materials is difficult and requires a suitable compromise between good optical and good electrical properties. It has been found that by doping of TiO₂ created a possibility to produce the oxide semiconductors both with electron and hole type of electrical conduction.
2
Content available remote Optical and electrical properties of TiO2 doped with Tb and Pd
Domaradzki J., Kaczmarek D., Prociow E. L., Borkowska A., Berlicki T., Sieradzka K.
Materials Science Poland
|
2008
|
Vol. 26, No. 1
143--147
EN
Optical and electrical properties of TiO2 doped with 0.6 at. % Tb and 9 at. % Pd have been investigated. Thin films were deposited by low pressure hot target reactive sputtering from a metallic Ti-Tb-Pd mosaic target on silicon and glass substrates. Total concentration of Tb and Pd was determined using an energy disperse spectrometer. Optical properties were studied by means of optical transmission. It has been shown that Tb dopant does not make any significant changes in the transmission level. Pd dopant shifts the fundamental absorption edge of TiO2 towards longer wavelengths and decreases the transmission to about 40%. For electrical characterization of the prepared thin films, temperature dependent resistivity and current-voltage (I-V) characteristics have been examined. It has been shown that incorporation of Pd and Tb into TiO2 matrix modifies its properties allowing one to obtain p-type oxide-semiconductor electrically and optically active at room temperature. Additionally, based on I-V measurements, the formation of heterojunction at the interface of thin film-silicon was confirmed.
3
Wpływ składu materiałowego na przewodnictwo elektryczne cienkich warstw otrzymanych na bazie TiO2
Prociów E., Domaradzki J., Borkowska A., Kaczmarek D., Berlicki T., Adamiak B., Sieradzka K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 1
32-34
PL
Przedstawiono wpływ składników materiałowych na właściwości elektryczne cienkich warstw otrzymywanych na bazie TiO2. Wytwarzanie przepuszczalnych dla światła warstw o właściwościach półprzewodnikowych o zadanym typie przewodnictwa elektrycznego, jest podstawowym wymaganiem przy realizacji przyrządów z przezroczystymi złączami. Do wytwarzania cienkich warstw tlenków zastosowano zmodyfikowaną metodę rozpylania magnetronowego. Cienkie warstwy były nakładane na podłoża szklane, w atmosferze czystego tlenu z metalicznych, mozaikowych targetów: Ti-Pd, Ti-Co-Pd i Ti-V-Pd. Z termoelektrycznych pomiarów d.c. elektrycznej rezystywności (ρ dc) w zakresie temperatur od 300 do 500 K określono: wartość współczynnika Seebecka (S) i energia aktywacji (Wρ) oraz. omówiono mechanizmy przewodnictwa elektrycznego, zachodzące w wytworzonych warstwach tlenkowych.
EN
In this work, influence of composition on electrical conduction type of doped TiO2 thin films has been presented. Fabrication of transparent oxide semiconductors (TOSs) with a desired type of electrical conduction is a fundamental requirement in the realization of junction based transparent devices. For manufacturing thin film oxides modified magnetron sputtering was used. Thin films were deposited in stable oxygen plasma onto glass substrates from metallic mosaic targets: Ti-Pd, Ti-Co-Pd and Ti-V-Pd. From thermoelectrical measure­ments the d.c. electrical resistivity (ρ dc) from 300 K to 500 K, values of Seebeck coefficient (S) and the activation energies (Wρ) were determined and mechanisms of electric conduction in prepared thin films were discussed.
4
The transport properties of sputter-deposited Ge-Sb-V thin films
Beensh-Marchwicka G., Prociów E., Berlicki T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 12
49-50
EN
Temperature-dependent transport properties of p-type Ge-Sb-V films prepared by the pulse magnetron sputtering technique have been studied. Doping of Ge by Sb and V and post-deposition annealing in air atmosphere at 823 or 923 K were the necessary preconditions of obtaining enhanced p-type conduction and considerable high values of Seebeck coefficient ranging from 400 to 160 µV/K. The temperature of post-deposition annealing and V content were taken as varying parameters to observe any variations in temperature dependent resistivity and thermoelectric power in the film and tried to explain the electrical transport mechanism therefrom. The structural analysis showed that films 3 µm thick remained microcrystalline and the variable range hopping (VRH) in three dimension system was dominant mechanism for d.c. charge transport.
PL
Analizowano temperaturowo zależne własności transportu warstw Ge-Sb-V, otrzymywanych techniką impulsowego rozpylania magnetronowego, wykazujących przewodnictwo typu p. Domieszkowanie Sb i V germanu i starzenie po wytworzeniu w atmosferze powietrza przy 823 lub 923 K było warunkiem koniecznym otrzymania przewodnictwa typu p i bardzo dużej wartości współczynnika Seebecka od 400 do 160 µV/K. Temperaturę wygrzewania warstw po nanoszeniu i zawartość wanadu w warstwie przyjęto jako zmienne parametry do badania wpływu na zachowanie się rezystywności i siły termoelektrycznej w funkcji temperatury i na tej podstawie próbowano określić mechanizm transportu nośników w warstwach. Analiza struktury wykazała, że warstwy o grubości około 3 µm pozostają mikrokrystaliczne oraz, że dominującym mechanizmem transportu nośników dla prądu stałego był trójwymiarowy hopping zmienno-zasięgowy (VHR).
5
Content available remote Structural, optical and electrical characterization of Co-Pd doped TiO2 semiconducting thin films sputtered on silicon
Domaradzki J., Prociów E., Kaczmarek D., Berlicki T., Kudrawiec R., Misiewicz J., Mielcarek W.
Optica Applicata
|
2003
|
Vol. 33, nr 4
661-668
EN
The fundamental structural, electrical and optical properties of junction-based devices composed of semiconducting thin films of metal oxide on a semiconductor were examined. Thin films were deposited on silicon and silica substrates by hot target reactive magnetron sputtering process. During the deposition base TiO2 films were doped with Co, Pd transition metals. Electrical and optical beam induced current (OBIC) analysis confirmed the formation of a junction based on a semiconduting thin film of metal oxide–semiconductor interface
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.