Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2014

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wykorzystanie fal plazmowych i techniki C-V do charakteryzacji warstw implantowanych jonami O+6 w krzemie

Pawlak M., Maliński M. A., Chrobak Ł. B., Shovon P., Arne L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 9

70-72

W artykule przedstawiono wyniki doświadczalne charakteryzujące warstwy implantowane w krzemie powstałe w wyniku wysokoenergetycznej implantacji jonami tlenu O+6. Przedstawiono stanowiska badawcze do pomiarów PTR (Photo Thermal Radiometry) i MFCA (modulated free carrier absorption), charakterystyki częstotliwościowe sygnału PTR próbek krzemu implantowanego oraz nieimplantowanego a także wyniki pomiarów grubości warstw implantowanych uzyskane metodą C-V. Z tak uzyskanych wyników określono stosunek absorpcji optycznej warstwy implantowanej do warstwy nieimplantowanej wskazujące na duży stopień amorfizacji warstw implantowanych.

This paper presents experimental results which describe implanted layers in silicon which are the result of the high energy O+6 ion implantation. MFCA and PTR experimental set ups, PTR signal frequency characteristics of the implanted and non implanted silicon and results of the thickness investagations of the implanted lasers with the use of the C-V method have been presented. Based on the presented results absorption ratio of the implanted to no implanted layer has been obtained what shows a high level of layers’ amorphization.