We have developed numerical model and software to simulate the ionizing radiation influence on the bipolar transistor parameters. The software allows to calculate the input and output characteristics, the current transmission coefficient and other parameters under the irradiation for various temperatures, base and collector voltages.
PL
Opracowaliśmy model numeryczny i oprogramowanie do symulacji wpływu promieniowania jonizującego na parametry tranzystorów bipolarnych. Oprogramowanie pozwala obliczyć parametry wejściowe i wyjściowe, aktualny współczynnik transmisji i inne parametry na podstawie napromieniowania dla różnych temperatur, napięć bazy i kolektora.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Theoretical model of the process of the ion-assisted deposition of titanium layers on the metal substrate is developed. The model allows us to make a choice of the optimal ion beam energy, the ion current density, and the rate of layer deposition in order to improve the tribological and mechanical properties of the system film/metal. Results of the modeling are compared with experimental data.
PL
W pracy przedstawiono model teoretyczny procesu dynamicznego mieszania jonowego warstw tytanu na podłoża metaliczne. Model umożliwia określenie optymalnych wartości energii jonów, gęstości prądu jonowego i szybkości osadzania warstwy w celu poprawy właściwości trybologicznych i mechanicznych układu warstwa-podłoże. Wyniki symulacji porównano z danymi doświadczalnymi.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.