Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIII BV

Gaca J., Wójcik M., Turos A., Strupiński W., Jasik A., Zynek J., Kosiel K, Eichhron F., Prokert F.

Materiały Elektroniczne

2005

T. 33, nr 1-4

5-42

Związki półprzewodnikowe AIIIBV znajdują szerokie zastosowanie w nowoczesnych technologiach. Światłowodowa łączność optyczna, odtwarzacze CD, skanery, aparatura medyczna, to tylko niektóre przykłady ich wykorzystania w praktyce. Obszar aktywny lasera, diody rezonansowej lub detektora składa się z warstw InxGa(1 x)As wykonywanych techniką MOCVD. Podstawową trudność stanowi uzyskanie warstwy aktywnej, o dużej jednorodności składu chemicznego i odpowiedniej grubości oraz ostrych interfejsach. Podstawowym warunkiem jest dobranie składu chemicznego warstwy InxGa x)As w taki sposób, aby wykazywała emisję w pożądanym zakresie długości fali. Aby tego dokonać niezbędna jest kontrola profilu składu chemicznego kryształów wielowarstwowych. Technikami badawczymi zapewniającymi nieniszczące i szybkie badanie struktury wytwarzanych układów epitaksjalnych są: wysokorozdzielcza dyfraktometria rentgenowska (HRXRD) oraz metoda ruthefordowskiego rozpraszania jonów (RBS). Wykorzystanie komplementarności tych metod pozwala wyznaczać i weryfikować podstawowe, objętościowe parametry strukturalne, a zastosowanie reflektometrii rentgenowskiej (XRR) i mikroskopii sił atomowych (AFM) umożliwiają charakteryzację powierzchni swobodnej oraz interfejsów. Wykorzystując wymienione wyżej techniki badawcze opracowano i zastosowano metodę wyznaczania profilu składu chemicznego i odległości międzypłaszczyznowych hetero-struktur związków półprzewodnikowych AIIIBV ze szczególnym uwzględnieniem bardzo cienkich silnie naprężonych studni kwantowych InxGa (1-x)As. Wyznaczono optymalne wartości parametrów wzrostu epitaksjalnego, co umożliwiło wytworzenie zaprojektowanych heterostruktur.

The chemical composition and interplanar spacing profiles as well a lateral homogen-ity of AIIIBv heterostructures containing highly strained InxGa(1 .As layer were investigated. The heterostructures grown by metallorganic chemical vapor deposition were characterizied by means of high resolution x-ray diffractometry, x-ray reflectometry and Rutheford backscattering. In order to analyze the experimental results an algorithm for calculating the x-ray profiles based on Darwin diffraction theory has been worked out. The developed method was applied to find out: the dependence of the growth rate of the highly strained InxGa As layer on a deposition time, the dependence of the interface profiles between supervise the growth proces of a resonant cavity enhanced photodiode heterostructure for which highly strained InxGa(1-x) As layer was an essential part.

Interaction of nitrogen atoms in expanded austenite formed in pure iron by intense nitrogen plasma pulses

Piekoszewski J., Sartowska B., Waliś L., Werner Z., Kopcewicz M., Prokert F., Stanisławski J., Kalinowska J., Szymczyk W.

Nukleonika

2004

Vol. 49, nr 2

57-60

The paper presents the results of experiments on modification of pure iron by high-intensity nitrogen pulsed-plasma treatment. The duration of nitrogen plasma pulses is approximately 1 mi s, and the energy density amounts to about 5 J/cm2. Such pulses are capable to melt the surface layer of the substrate (1- 2 mi m) and to introduce a significant concentration of nitrogen into the molten layer. Nuclear reaction analysis (NRA), X-ray diffraction (XRD) and conversion electron Mössbauer spectroscopy (CEMS) were used for characterisation of the treated samples. The main results of the data analysis are as follows: it has been stated that such treatment leads to gradual transformation of initial alfa-phase into austenitic gamma structure in which expanded austenite gammaN is present. Treatment with 20 pulses results in almost complete transformation and introduces a retained dose of nitrogen estimated as 5.5 × 1017 N/cm2. The susceptibility for expansion of the lattice transformed to austenite in this way is smaller than in the case when the steel subjected to conventional nitriding is originally of austenite type. The analysis of the ratio of alfa to gammaN as a function of the nitrogen content provides a firm evidence that strong repulsion forces act between the first and the second nearest-neighbour nitrogen atoms in the fcc austenitic structure formed as a result of nitriding of pure iron by intense nitrogen plasma pulses.