PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 13

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Phase Object Observation System Based on Diffraction Phase Microscopy
Babicz S., Stawarz-Graczyk B., Wierzba P.
Metrology and Measurement Systems
|
2018
|
Vol. 25, nr 1
213--221
EN
In the paper authors present a special measurement system for observing phase objects. The diffraction phas microscopy makes it possible to measure the dimensions of a tested object with a nanometre resolution. To meet this requirement, it is proposed to apply a spatial transform. The proposed setup can be based either on a two lenses system (called 4f) or a Wollaston prism. Both solutions with all construction aspects are described in the paper. To make a full analysis of the object shape the authors developed an accurate image processing algorithm, also presented in the paper.
2
Content available System do pomiaru szumów elementów optoelektroniczncych w szerokim zakresie prądów
Sprawka D., Stawarz-Graczyk B.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2017
|
Nr 57
131--134
PL
W artykule zostanie zaprezentowany opis systemu pomiarowego zawierającego zaprojektowaną głowicę pomiarową do pomiarów szumów generowanych przez elementy optoelektroniczne. Przedstawione zostaną wyniki testów funkcjonowania systemu pomiarowego dla diod LED dla prądu wynoszącego ID = 2 mA. Pomiar odbywał się w zakresie małych częstotliwości czyli do 1 kHz. Głowica pomiarowa została zbudowana w sposób minimalizujący wpływ zakłóceń zewnętrznych na działanie układu.
EN
In the paper authors present a special measurement set-up which allows for optoelectronic devices noise measurements. Authors will test the system using LEDs for ID = 2 mA and in frequency range of 1 kHz. The measurement set-up was built in a way to avoid external noise. For research authors chose a group colour LEDs. In the following paper authors present the measurement results of power spectrum density function and time function for the optoelectronic devices.
3
Content available System identyfikacji szumów RTS transoptorów CNY17
Erenc R., Konczakowska A., Stawarz-Graczyk B., Wójcik M.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2015
|
Nr 46
31--34
PL
W artykule opisano zaprojektowany i wykonany system do identyfikacji szumów wybuchowych (RTS – Random Telegraph Signal) występujących w transoptorach typu CNY17. Z metod umożliwiających ocenę parametrów szumów wybuchowych wybrano do realizacji metodę Wzorów Obrazów Szumów – WOS (ang. Noise Scattering Patterns – NSP), która w sposób bardzo prosty pozwala na rozpoznawanie szumów o rozkładach wartości chwilowych gaussowskich i niegaussowskich. Zaprojektowany system składa się z części analogowej umożliwiającej pomiar parametrów sygnału szumowego transoptorów oraz części cyfrowej realizującej przetwarzanie sygnału szumowego. System automatycznie testuje transoptory CNY17, przetwarza uzyskane dane, które następnie są prezentowane na wyświetlaczu graficznym.
EN
In the paper the universal system for identification of Random Telegraph Signal (RTS) noise as a non-Gaussian component of the inherent noise signal in CNY17 optocoupler devices is presented. To identification of RTS noise the Noise Scattering Patterns (NSP) method was chosen. The method allows to identify the Gaussian and non-Gaussian distributions of noise temporary values in a very simple way. Impulses are characterized by constant amplitude and random occurrence of impulses. The system consists of two main parts: the measurement circuit and a data acquisition circuit. The system automatically tests optocouplers and the results are presented on graphic display of the device.
4
Content available Diffraction phase microscopy for observation on red blood cells fluctuation
Babicz-Kiewlicz S., Stawarz-Graczyk B., Wierzba P., Mazikowski A.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2015
|
Nr 46
13--16
EN
Nowadays there is quite huge need for more and more precise and effective fast diagnostics methods in hematology diseases. One of the most important blood components are erythrocytes – RBCs (Red Blood Cells). Due to their size they are easy to observe using microscopy. It is commonly known that the shape and lifetime of RBCs allows for early disease identification. Authors present special measurement system for RBCs fluctuations observation using diffraction phase microscopy which is also described in theory.
PL
Istnieje zapotrzebowanie na coraz bardziej precyzyjne i bardziej efektywne metody szybkiej diagnostyki w kierunku chorób hematologicznych. Jednym z głównych składników krwi są erytrocyty (RBC –Red Blood Cells), które z uwagi na swój rozmiar mogą być łatwo obserwowalne. Powszechnie wiadomo, że kształt i długość życia tych komórek pozwala na wczesną identyfikację stanów chorobowych. Najnowsze wyniki badań świadczą też, że oprócz tych cech istotną informację zawiera przebieg fluktuacyjny erytrocytów. Autorzy proponują układ do obserwacji fluktuacji czerwonych komórek krwi z wykorzystaniem dyfrakcyjnego mikroskopu fazowego.
5
Content available Investigation of RTS noise in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes
Szewczyk A., Stawarz-Graczyk B.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2014
|
Nr 40
103--106
EN
One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
PL
Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.
6
Content available Method and measurement system for dc characteristics measurement of power diodes in very wide current range
Cichosz J., Szewczyk A., Stawarz-Graczyk B.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2012
|
Nr 31
41-44
EN
The new measurement set-up of DC characteristics of power diodes measurements was presented. Authors proposed to organize measurements in a pulse manner, because in typical method junction temperature of power diodes under test during measurements increase. The system elaborated on the base of method for measuring DC in a very wide current range which utilizes modified R-2R resistor ladder (short-circuit keys instead of switching keys) was constructed. The measurement system is controlled by the computer with LabView application that allows to apply measurement procedure in a very short time.
PL
W artykule przedstawiono nowy układ pomiarowy do pomiarów stałoprądowych charakterystyk diod. Autorzy zaproponowali układ do pomiarów impulsowych w celu zachowania niezależności wyników od zmian temperatury diody. Do wytworzenia odpowiednio dużej liczby punktów pomiarowych wartości prądu wykorzystano układ zmodyfikowanej drabinki R-2R) z pojedynczymi kluczami sterującymi. Do sterowania system pomiarowym wykorzystano specjalnie opracowaną aplikację w środowisku LabView.
7
Oszacowanie korelacji między źródłami prądowymi zlokalizowanymi w bramce i drenie tranzystora MESFET SiC
Cichosz J., Stawarz-Graczyk B., Szewczyk A.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2010
|
T. 19
459-464
PL
Przedstawiono metodę umożliwiającą szybką ocenę korelacji między szumami generowanymi w bramce oraz w drenie tranzystorów MESFET SiC. Badania przeprowadzono dla tranzystorów CRF-24010 firmy CREE. Korelację oszacowano z przebiegów czasowych szumów w zakresie małych częstotliwości (od 2 Hz do 2 kHz), przy trzech różnych wartościach prądu drenu: Id = 1; 5; 10 mA. Porównano wynik oszacowania korelacji (dziedzina czasu) z wyznaczoną dla tych samych przebiegów funkcją koherencji (dziedzina częstotliwości).
EN
In the paper the method of fast estimation of correlation between gate current and drain current noise of SiC MESFET's was presented. The investigations were carried out on MESFET type CRF24010 (CREE). The correlation was estimated in the low frequency range (2 Hz ÷ 2 kHz), for three values of drain current: Id = 1; 5; 10 mA. The results of correlation estimation (time domain) were compared with the results of coherence function estimation (frequency domain).
8
Content available remote A method of RTS noise identification in noise signals of semiconductor devices in the time domain
Stawarz-Graczyk B., Dokupil D., Flisikowski P.
Metrology and Measurement Systems
|
2010
|
Vol. 17, nr 1
95-107
EN
In the paper a new method of Random Telegraph Signal (RTS) noise identification is presented. The method is based on a standardized histogram of instantaneous noise values and processing by Gram-Charlier series. To find a device generating RTS noise by the presented method one should count the number of significant coefficients of the Gram-Charlier series. This would allow to recognize the type of noise. There is always one (first) significant coefficient (c0) representing Gaussian noise. If additional coefficients cr (where r > 0) appear it means that RTS noise (two-level as well as multiple-level) is detected. The coefficient representing the Gaussian component always has the highest value of all. The application of this method will be presented on the example of four devices, each with different noise (pure Gaussian noise signal, noise signal with two-level RTS noise, noise signal with three-level RTS noise and noise signal with not precisely visible occurrence of RTS noise).
9
Content available remote Identification of inherent noise components of semiconductor devices on an example of optocouplers
Stawarz-Graczyk B., Szewczyk A., Konczakowska A.
Opto-Electronics Review
|
2009
|
Vol. 17, No. 3
236-241
EN
In the paper, a method of estimation of parameters of Gaussian and non-Gaussian components in the noise signal of semiconductor devices in a frequency domain is proposed. The method is based on composing estimators of two spectra, corresponding to 1/fα noise (Gaussian component) and two-level RTS noise (non-Gaussian component). The proposed method can be applied for precise evaluation of the corner RTS frequency fRTS in the noise spectrum.
10
Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC
Szewczyk A., Konczakowska A., Stawarz-Graczyk B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 6
13-15
PL
Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottkyego produkcji CREE i 2 prób diod Schottkyego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V.
EN
The static parameters measurements results of 3 sam pies of CREE SiC Schottky diodes and 2 sam pies of INFINEON SiC Schottky diodes are presented. Measured forward characteristics for each sample showexcellent reproducibility, whereas the reverse characteristics significantly differ for devices from each sampies, especially for reverse voltage higher than 600 V.
11
Content available Metody analizy szumu telegrafistów przyrządów półprzewodnikowych
Cichosz J., Konczakowska A., Stawarz-Graczyk B., Szatkowski A.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2008
|
R. 54, nr 3
91-94
PL
Scharakteryzowano szum telegrafistów (Random Telegraph Signal - RTS), który może występować w szumie własnym przyrządów półprzewodnikowych, jako składowa niegaussowska. Podkreślono, że szum telegrafistów jest efektem defektów materiałów zastosowanych w produkcji przyrządów półprzewodnikowych lub nieprawidłowości procesu produkcyjnego. Przedstawiono metody identyfikacji wielopoziomowego szumu telegrafistów, na przykładzie przebiegów szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych.
EN
The Random Telegraph Signal noise which can occur in inherent noise of semiconductor devices as a non-Gaussian component is characterized. It was emphasized that the RTS noise is caused by defects of applied materials or manufacturing incorrectness. The methods of identification of multilevel RTS noise in an inherent noise of semiconductor devices are presented.
12
Content available remote The noise macromodel of an optocoupler including 1/ f[alfa] noise source
Stawarz-Graczyk B., Cichosz J., Konczakowska A.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2008
|
Vol. 56, nr 1
59-63
EN
The course of design of an optocoupler's PSpice macromodel including noise sources is described. The PSpice macromodel is proposed for the low frequency range. The PSpice model of a MOSFET transistor was applied as the noise source type 1/ f[alfa] in an optocoupler PSpice macromodel. In the enhanced macro model the value of an exponent a can be changed in the range of 0.8-1.25.
13
Content available remote The automatic method for recognition of RTS noise in noise signals
Stawarz-Graczyk B., Załęski D., Konczakowska A.
Metrology and Measurement Systems
|
2007
|
Vol. 14, nr 2
219-228
EN
In the paper the automatic and universal system for identi.cation of Random Telegraph Signal (RTS) noise as a non-Gaussian component of the inherent noise signal of semiconductor devices is presented. The system for data acquisition and processing is described. Histograms of the instantaneous values of the noise signals are calculated as the basis for analysis of the noise signal to determine the number of local maxima of histograms and to evaluate the number of RTS noise levels. The presented system does not need supervisor control of identi.cation results.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.