PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Law of large numbers for monotone convolution
Wang J.-C., Wendler E.
Probability and Mathematical Statistics
|
2013
|
Vol. 33, Fasc. 2
225--231
EN
Using the martingale convergence theorem, we prove a law of large numbers for monotone convolutions μ1 ◃ μ2 ◃ . . . ◃ μn, where μj ’s are probability laws on R with finite variances but not required to be identical.
2
Content available remote Wurtzite InP phase formation during swift Xe ion irradiation
Gaiduk P.I., Komarov F.F., Herre O., Wendler E., Wesch W.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 2
189-194
EN
Ion beam-induced amorphization and crystallization in InP implanted at room temperature with swift (250 and 340 MeV) Xe+ ions to doses of 5x1013 and 1x1014cm-2, respectively, are investigated by the transmission electron microscopy. For the ion fluences above 5x1013cm-2 the formation of amorphous InP of two different atomic structures is registered after swift Xe ion implantation as a consequence of electron and nuclear energy deposition. In the case of the highest ion dose implanted (1x1014cm-2) a partial crystallization of the amorphous surface layer to polycrystalline InP is observed. The crystallization process passes a stage of wurtzite InP phase formation which is found to be metastable.
PL
Za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego badano efekty amorfizacji i rekrystalizacji wywołane przez implantację InP (w pokojowej temperaturze) prędkimi jonami Xe (250 i 340 keV) z dozami, odpowiednio do 5x1013 i 1x1014cm-2. Dla dawek jonów powyżej 5x1013cm-2 zaobserwowano formowanie się dwóch różnych atomowych struktur amorficznego InP powstających na skutek deponowania energii w procesie elektronowego i jądrowego spowalniania. W przypadku implantacji z dozą 1014cm-2 obserwowano częściową rekrystalizację powierzchniowej warstwy amorficznej InP do postaci polikrystalicznej. Zauważono, że proces rekrystalizacji InP przechodzi poprzez utworzenie metastabilnej fazy o strukturze wurcytu.
3
Content available remote Thermally activated defect transformations in III-V compound semiconductors
Turos A., Stonert A., Breeger B., Wendler E., Wesch W.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 2
93-102
EN
Defect properties are usually studied by the analysis of their thermally activated transformations. In this paper the results of the first RBS/channeling study of the simple defect behavior in the GaAs single crystals and AlxGa1-xAs epitaxial layers irradiated at 77K and annealed at temperatures ranging from 77 to 650K are presented. Two important recovery stages at 280 and 450K were revealed. They were attributed to the defect mobility in the Ga- and As-sublattice, respectively. The structure of defects and their properties are discussed and the comparison with findings obtained using other analytical techniques is made.
PL
Własności defektów strukturalnych są zazwyczaj badane na drodze analizy ich termicznie aktywowanych przemian. W artykule przedstawiono wyniki pomiarów własności defektów prostych w monokryształach GaAs i warstwach epitaksjalnych AlGaAs bombardowanych jonami azotu w temperaturze 77K i wygrzewanych w przedziale temperatur od 77K do 650K. Zaobserwowano dwie granice ruchliwości defektów w temperaturach 280K i 450K. Zostały one przyporządkowane ruchliwości defektów odpowiednio w podsieci Ga i As. Przedstawiono hipotezy odnośnie struktury tych defektów i porównano je z obserwacjami uzyskanymi za pomocą innych metod pomiarowych.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.