PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Układ do pomiaru charakterystyk rezonansowych mikroprzetworników wysokoczęstotliwościowych
Małozięć G., Nieradka K., Kopiec D., Ritz Y., Zschech E., Gotszalk T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 10b
64-66
PL
W niniejszym artykule opisany został układ do pomiaru charakterystyk rezonansowych dźwigni krzemowych. Omówiona została metoda uzyskiwania mikrodźwigni sprężystych. Opisana została budowa specjalizowanego układu optycznego do detekcji ugięcia mikrobelek oraz zasada detekcji ugięcia. Przedstawiona została również nowa metoda pomiarowa, polegająca na wykorzystaniu modulowanej wiązki światła do pomiaru parametrów przetworników o wysokich częstotliwościach rezonansowych.
EN
In this paper we describe a system for measuring the resonance characteristics of the silicon cantilever. The method of preparation spring cantilevers is presented. The construction of a specialized optical system to detect the deflection of the cantilevers and the principle of detection the cantilevers deflection is described. The new method based on the modulated laser beam, to measure characteristics of the high frequency transducers, is presented.
2
Integrated thermal probe for SThM investigation of micro- and nanoelectronic devices
Janus P., Szmigiel D., Wielgoszewski G., Weisheit M., Ritz Y., Grabiec P., Hecker M., Gotszalk T., Sulecki P., Zschech E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 6
62-65
EN
In this paper, we present a novel micromachined Atomic Force Microscopy (AFM) micro-cantilever equipped with a sharp, conductive platinum tip. The processing sequence proposed in this article integrates a high reproducibility and precise post processing applying Focused Ion Beam tip modification. The cantilever is designed for Scanning Thermal Microscopy (SThM) applications in a standard setup with the optical AFM detection system.
PL
W artykule zaprezentowano nową konstrukcję dźwigni mikroskopu sił atomowych (AFM) wyposażoną w przewodzące, platynowe ostrze pomiarowe. Sekwencja technologiczna wytwarzania przedstawianej sondy integruje wysoką powtarzalność z precyzyjnym postprocessingiem ostrza za pomocą zogniskowanej wiązki jonów (ang. Focus Ion Beam). Prezentowana mikrosonda przystosowana jest do zastosowań w skanującym mikroskopie termicznym (ang. Scanning Thermal Micorscopy) ze standardową, optyczną detekcją ugięcia dźwigni. W artykule zaprezentowano proces technologiczny wytwarzania sondy oraz uzyskane wyniki pomiarów.
3
Content available remote Characterization of oxidic and organic materials with synchrotron radiation based XPS and XAS
Schmeisser D., Tallarida M., Henkel K., Müller K., Mandal D., Chumakov D., Zschech E.
Materials Science Poland
|
2009
|
Vol. 27, No. 1
141--157
EN
The use of synchrotron radiation (SR) based X-ray absorption spectroscopy (XAS) and X-ray induced photoelectron spectroscopy (XPS) is demonstrated for the analysis of thin films. In the first part we report on oxidic films used for high-k dielectric films in Si technology and focus on a recent in-situ approach to study the atomic layer deposition growth of HfO2 films. We demonstrate that even hidden layers can be characterized by using fluorescence technologies. In the second part, we demonstrate the suitability of SR based techniques for the analysis of organic thin films. Here, the first example deals with P(VDF-TrFE), a ferroelectric polymer, with possible applications in non-volatile memory devices. Another example concerns the analysis of C60 based low-k polymers for use in Cu interconnect systems.
4
Skalowanie optycznego czujnika sił tarcia mikroskopu sił atomowych
Masalska A., Zawierucha P., Woszczyna M., Gotszalk T., Ritz Y., Zschech E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 6
69-71
PL
Badania zjawisk tarcia, ścierania, poślizgu czy zużycia trybologiczne-go w nanoskali mogą być z powodzeniem przeprowadzane za pomocą mikroskopu sit atomowych (ang. Atomie Force Microscope-AFM) z optyczną detekcją ugięcia belki pomiarowej, która pełni rolę optycznego czujnika sit tarcia. Uzyskanie informacji ilościowych wymaga jednak uprzedniego zastosowania procedury kalibracyjnej pozwalającej na konwersje danych pomiarowych na dane o znaczeniu fizycznym. W niniejszej pracy zaprezentujemy wyniki skalowania mikroskopu sił atomowych metodą odwzorowania pochylenia wzorcowego (ang. Wedge Calibration Method [1]) z wykorzystaniem struktury firmy MikroMasch (TGF11) i struktury wykonanej za pomocą skupionej wiązki jonów (ang. Focused Ion Beam-FIB).
EN
Mechanisms of friction, adhesion, lubrication and wear in nanoscale : can be successfully investigated by means of atomic force microscope (AFM) using optical beam deflection sensing. However, to obtain quantitative information the calibration procedure for conversion of measured data to friction forces has to be applied. In order to calibrate our atomic force microscope we applied direct procedure called wedge calibration method [1]. The results of friction force calibration using commercially available grating (TGF11) and dedicated specimen fabricated by focused ion beam (FIB) milling are presented in this paper. We show experimental results for nanotribology on silicon of two different crystallographic orientation, mica and HOPG as well.
5
Calibration of atomic force microscope
Masalska A., Zawierucha P., Woszczyna M., Gotszalk T., Ritz Y., Zschech E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 5
32-36
EN
Scanning probe microscopy enables high resolution surface characterization. Therefore it is a perfect tool for imaging samples on a nanometer scale. An instrument dedicated for high accuracy measurements has to deliver not only qualitative but also quantitative information. Thus applying precise calibration techniques for an atomic force microscope is crucial for credible nanostructures analysis. In this paper we present the results of a tube scanner characterization. We describe relationship between a piezoactuator behaviour and a sample mass. We also analyze errors resulting from bend motion of the piezoscanner and show influence of a sample thickness on the distortion of atomic force microscope data.
PL
Mikroskopia bliskich oddziaływań umożliwia badanie ukształtowania i właściwości powierzchni w skali subnanometrowej. Tak precyzyjne pomiary wymagają jednak szczegółowego skalowania urządzenia w celu uzyskania wiarygodnych wyników, dostarczających nie tylko jakościowych ale również ilościowych informacji. W pracy przedstawimy wyniki charakteryzacji piezoaktuatora odpowiedzialnego za przesuw struktury podczas procesu skanowania. Zaprezentujemy jak zależy wychylenie typowego piezoaktuatora od masy poruszanej próbki. Wskażemy również wpływ wysokości badanej struktury na zniekształcenia obrazu związane z tzw. błędami Abbego, które wynikają z przesuwu struktury po powierzchni sfery wyznaczonej przez poruszający się piezoaktuator.
6
Content available remote Conductive atomic force microscope for investigation of thin-film gate insulators
Wielgoszewski G., Gotszlak T., Woszczyna M., Zawierucha P., Zschech E.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2008
|
Vol. 56, nr 1
39-44
EN
In modern microelectronics progress has been made towards low power ultra large-scale integration (ULSI), and nano-structure devices such as single electron transistors and quantum dots. In this technology application of new materials, which includes high-k dielectrics for the MOSFET transistors, with extraordinary purity and uniformity is required. Failure analysis and reliability investigations of such films very often requires high-resolution local measurements of electrical surface parameters. This kind of experiments can be performed using conductive atomic force microscopy, which provides simultaneous measurement of surface topography and current flowing through the investigated layer. In order to acquire reliable data, there was designed a precise measurement and control system, which included a low-noise current-to-voltage converter of picoampere resolution, a scanning stage with control electronics and a data acquisition system. In the paper we describe the architecture of the de-signed and applied experimental set-up. We also present results of simultaneous measurements of topography and current on gold and highly oriented pyrolytic graphite (HOPG).
7
Content available remote Experimental challenges for approaching local strain determination in silicon by nano-Raman spectroscopy
Zhu L., Atesang J., Dudek P., Hecker M., Rinderknecht J., Ritz Y., Geisler H., Herr U., Geer R., Zschech E.
Materials Science Poland
|
2007
|
Vol. 25, No. 1
19--31
EN
Raman intensity enhancement induced by nanoprobes (metal particles and metallised tips) approached to a strained silicon sample surface is reported. With silver nanoparticles deposited onto a silicon surface, high enhancements in the vicinity of particles were observed. Furthermore, metallised tips were scanned inside the spot of the laser used for Raman measurements. Both silver-coated and pure silver tips, mounted onto a tuning fork, indicated high Raman signal enhancement for optimised tip position within the laser spot. Atomic force microscopy was performed on a structured sample to investigate the stability of these tips. Focused ion beam was utilized to refine and to re-sharpen pure silver tips after the measurements. Complementary measurements were performed using pure tungsten tips. Due to the high hardness of W wires, a special pre-etching technique was applied in this case.
8
Content available remote Quantitative mapping of elastic properties of electron-beam damaged silica-based low-k films
Jiang L., Geisler H., Zschech E.
Materials Science Poland
|
2005
|
Vol. 23, No. 3
643--651
EN
A quantitative technique for mapping of elastic modulus performed on organosilicate glass (OSG) thin films with different surface conditions is described. This modulus mapping technique provides highly valuable information about the elastic properties at the very near-surface region of the films. The results show that low-k films can be modified by electron beams, leading to a near-surface region with increased stiffness. Compared with quasi-static nanoindentation, the modulus mapping technique is more surface sensitive, and therefore, it has a better capability to detect slight differences of elastic properties between ultra-thin films of different thickness on top of OSG films.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.