Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The use of navigation in operations supporting drilling processes

Kuryło Piotr, Cyganiuk Joanna, Góra Krzysztof

System Safety : Human - Technical Facility - Environment

2020

Vol. 2, nr 1

183--190

The paper presents the analysis of navigation processes used in wells and around-drilling processes. Most common navigation systems used in drilling processes are described. The authors have presented a concept of applying navigation to operations supporting drilling processes, including operations ensuring the safety of drilling staff. Also, they have discussed around-drilling processes which have not been supported by navigation systems. Finally, they have presented ideas of their possible applications as well as benefits resulting from using navigation systems.

Homoepitaksja węglika krzemu dla przyrządów mocy w Sieci Badawczej Łukasiewicz - ITME

Ciuk Tymoteusz, Kaszub Wawrzyniec, Kościewicz Kinga, Czołak Dariusz, Dobrowolski Artur, Jagiełło Jakub, Chamryga Adrianna, Budzich Rafał, Stańczyk Beata, Przyborowska Krystyna, Harmasz Anna, Góra Krzysztof, Kozłowski Andrzej, Michałowski Paweł, Ciepielewski Paweł, Jóźwik Iwona, Teklińska Dominika, Tymicki Emil, Kozłowski Roman, Kozubal Michał, Kamiński Paweł

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 9

154--156

Sieć Badawcza Łukasiewicz – ITME posiada wieloletnie doświadczenie w homoepitaksji warstw węglika krzemu na przewodzących podłożach 4H-SiC o średnicy do 3 cali. Technologia wzrostu obejmuje warstwy nieintencjonalnie domieszkowane, warstwy typu „n” oraz warstwy typu „p”. Koncentracja powierzchniowa defektów wynosi ~7000 cm-2 dla przypadku podłoża odchylonego o 4° od płaszczyzny (0001) w kierunku [11-20]. Nowoczesne wyposażenie laboratoryjne pozwala na kompleksową charakteryzację w oparciu o techniki AFM, SEM, SIMS, DLTS, spektroskopię Ramana oraz pomiar charakterystyk I-V i C-V.

Lukasiewicz Research Network – ITME has had many years of experience in silicon carbide homoepitaxy on conducting up to 3-in 4H-SiC substrates. The growth technology covers unintentionally doped layers, n-type layers and p-type layers. Surface etched pit density is below 7000 cm- 2 for a substrate that is 4° off-axis from the (0001) plane towards the [11-20] direction. Modern laboratory equipment allows for a comprehensive characterisation based on AFM, SEM, SIMS, DLTS, Raman spectroscopy, and I-V and C-V measurements.