Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Electric properties of composite ZnO-based ceramics doped with Fe

Fedotov A. S., Pashkevich A. V., Bliznyuk L. A., Kasiuk J., Fedotov A. K., Basov N. A., Svito I. A., Budzyński M., Wierteł M., Żukowski P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 3

197--199

EN

This work is focused on the analysis of phase structure and temperature dependences of electric resistivity ρ(Т) in ZnO-based composite ceramics (ZnO)90(FexOy)10, doped with Fe by the addition of 10 wt.% of one of the iron oxides FexOy.

PL

Praca koncentruje się na analizie struktury fazowej oraz zależności temperaturowych rezystywności elektrycznej ρ(Т) kompozytów ceramicznych (ZnO)90(FexOy)10 opartych o ZnO, domieszkowanych Fe poprzez dodanie 10% wag. jednego z tlenków żelaza FexOy.

2

Synthesis and properties of doped ZnO ceramics

Poddenezhny E. N., Drobishevskaya N. E., Mazanik A. V., Korolik O. V., Fedotov A. S., Fedotov A. K., Svito I. A., Koltunowicz T. N.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

R. 92, nr 11

232--235

EN

In our work, we studied zinc oxide ceramic samples doped with aluminum and gallium. Structure peculiarities of ceramics depending on their synthesis regime were investigated by the SEM, EDX, XRD, and Raman spectroscopy methods. It was demonstrated that at some technological conditions the formation of indesirable phases of zinc aluminate or gallate may occur preventing an uniform material doping and reducing quality of samples. Single-phase ZnO ceramics were produced when the nanostructured alumina powders were used as a dopant source. The correlations between the synthesis regimes of ZnO ceramics and their electrophysical parameters essential for thermoelectric figure-of-merit (electrical conductivity and Seebeck coefficient) have been established. The best electrophysical characteristics were obtained when the nanostructured alumina produced by combustion in isopropyl alcohol was used as a dopant. Conductivity and Seebeck coefficient of such ceramics are equal to 3·103 S/m and -0.27 mV/K, respectively, corresponding to the power factor of 2.2·10-4 W/(m·K2).In our work, we studied zinc oxide ceramic samples doped with aluminum and gallium. Structure peculiarities of ceramics depending on their synthesis regime were investigated by the SEM, EDX, XRD, and Raman spectroscopy methods. It was demonstrated that at some technological conditions the formation of indesirable phases of zinc aluminate or gallate may occur preventing an uniform material doping and reducing quality of samples. Single-phase ZnO ceramics were produced when the nanostructured alumina powders were used as a dopant source. The correlations between the synthesis regimes of ZnO ceramics and their electrophysical parameters essential for thermoelectric figure-of-merit (electrical conductivity and Seebeck coefficient) have been established. The best electrophysical characteristics were obtained when the nanostructured alumina produced by combustion in isopropyl alcohol was used as a dopant. Conductivity and Seebeck coefficient of such ceramics are equal to 3·103 S/m and -0.27 mV/K, respectively, corresponding to the power factor of 2.2·10-4 W/(m·K2).

PL

W naszej pracy zbadaliśmy próbki ceramiki tlenku cynku domieszkowanej aluminium oraz galem. Specyfikę struktury ceramiki zależącą od warunków syntezy zbadano metodami SEM, EDX, XRD oraz spektroskopią Ramana. Zaprezentowano, że dla niektórych warunków technologicznych tworzą się niepożądane fazy glinianu cynku lub galusanu zapobiegając jednolitemu domieszkowaniu materiału oraz zmniejszając jakość próbek. Jednofazowa ceramika ZnO została uzyskana w czasie, gdy nanostrukturalny proszek tlenku aluminium był używany jako źródło domieszki. Określono powiązania pomiędzy warunkami otrzymywania ceramiki ZnO oraz jej elektro-fizycznymi parametrami niezbędnymi do termoelektrycznego współczynnika jakości (przewodnictwo elektryczne oraz współczynnik Seebeck`a). Najlepsze elektrofizyczne charakterystyki otrzymano, gdy używano jako domieszkę nanostrukturalny tlenek aluminium produkowany poprzez spalanie w alkoholu izopropylowym. Przewodność oraz współczynnik Seebeck`a tego typu ceramik wynosi odpowiednio 3·103 S/m oraz -0.27 mV/K, co odpowiada współczynnikowi mocy równemu 2.2·10-4 W/(m·K2).

3

Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures: comparative analysis

Fedotov A. K., Streltsov E.A., Baranov I. L., Svito I. A., Malashchonak M. V., Mazanik A. V.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2015

|

Nr 8

61--67

EN

Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures obtained using template-based approach have been examined in the temperature range from 2 to 300 K. It was established that the main contribution into observed magnetoresistance is given by the silicon substrate, whereas influence of Ni is negligible small.

PL

Właściwości magnetyczne struktur Ni/TiO2/Ti oraz Ni/SiO2/Si otrzymanych z zastosowaniem tzw. „podejścia szabłonowego” zostały zbadane w zakresie temperatur od 2 do 300 K. Ustalono, że główny wkład do obserwowanej magnetorezystancji jest rezultatem wpływu podłoża krzemowego , podczas gdy wpływ Ni jest znikome mały.

4

Gigantic magnetoresistive effect in n-Si/SiO2/Ni nanostructures fabricated by the template-assisted electrochemical deposition

Fedotova J., Saad A., Ivanou D., Ivanova Y., Fedotov A., Mazanik A., Svito I. A., Streltsov E., Koltunowicz T. N., Tyutyunnikov S.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 7a

305-308

EN

The study of the carrier transport and magnetotransport in n-Si/SiO2/Ni nanostructures with granular Ni nanorods embedded into the pores in SiO2 was performed over the temperature range 2 – 300 K and at the magnetic field induction up to 8 T. In n-Si/SiO2/Ni nanostructures at temperatures of about 25 K a huge positive MR effect is observed. Possible mechanisms of the effect is discussed.

PL

Przeprowadzono badania mechanizmu przenoszenia ładunków i magnetoprzewodzenia w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni z ziarnistymi nanocząstkami Ni rozmieszczonymi w porach SiO2 w zakresie temperatur 2 - 300 K oraz przy indukcji magnetycznej do 8 T. W nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni w temperaturze około 25 K zaobserwowano bardzo wyraźny dodatni efekt MR. Omówiono prawdopodobne mechanizmy pojawienia się opisanego efektu.

5

Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2

Fedotov A., Tarasik M. I., Svito I. A., Mammadov T. G., Zhukowski P., Koltunowicz T. N., Seyidov M. Y., Suleymanov R. A., Grivickas V., Bicbaevas V.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 7a

301-304

EN

In the doped crystals TlGaSe2 and TlInS2, using method of temperature dependencies of DC resistance in the temperature range of 100 – 300 K, the phase transitions at the temperatures of 240 – 245 K and 105 – 120 K were observed. The AC conductance measurements at room temperature indicated the hopping mechanism of carrier transport in the studied samples.

PL

W domieszkowanych kryształach TlGaSe2 i TlInS2 dla temperaturowych zależnościach rezystancji z przedziału 100 – 300 K zmierzonej przy użyciu prądu stałego zaobserwowano przejścia fazowe w przedziałach temperatur 240 – 245 K i 105 – 120 K. Pomiary konduktywności przy użyciu prądu przemiennego w temperaturze pokojowej wskazały skokowy mechanizm przenoszenia ładunków w badanych próbkach.