Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Spintronika
PL
W pracy pokazano przegląd wiedzy na temat mikro i spin elektroniki. Rozwój mikroelektroniki związany jest z fizyką półprzewodników. Poznanie własności fizycznych półprzewodników ich domieszkowanie i manipulowanie ładunkiem doprowadziło do rozwoju mikroelektroniki, powstawaniu zminiaturyzowanych podzespołów i urządzeń elektronicznych (diod i tnanzystorów, układów scalonych, mikroprocesorów, komputerów, telefonów komórkowych itp.). Pytanie jest zasadnicze „Czy manipulowanie ładunkiem w półprzewodnikach jest ograniczone jeśli tak to co dalej?” z rozwojem budową zminiaturyzowanych urządzeń elektronicznych nowoczesnych szybkich komputerów. Autor przedstawił krótki opis wiedzy i możliwości nowych materiałów magnetycznych mogących mieć ogromne zastosowanie w spinelektronice, nowej gałęzi wiedzy mającej początek w ostatnich latach ubiegłego wieku, w której to zasadniczą rolę odgrywa spin elektronu a właściwie manipulowanie nim.
EN
In the paper an overview of knowledge about microelectronics and spinelectronics is presented. The development of microelectronics is associated with the physics of semiconductors. Understanding the physical properties of semiconductors, their admixturing and manipulating of the charge has led to the development of the microelectronics and to the creating of the miniaturized components and electronic instruments and devices (diodes and transistors, integrated circuits, microprocessors, computers, mobile phones etc). The main question is: Is the manipulating of the charge in the semiconductors limited and if it is, what is next with the development and the construction of the miniaturized electronic devices and modern and fast computers? The author has presented a brief description of the knowledge and the possibilities of the new magnetic materials, that may have great applications in spinelectronics In the paper an overview of knowledge about microelectronics and spinelectronics is presented. The development of microelectronics is associated with the physics of semiconductors. Understanding the physical properties of semiconductors, their admixturing and manipulating of the charge has led to the development of the microelectronics and to the creating of the miniaturized components and electronic instruments and devices (diodes and transistors, integrated circuits, microprocessors, computers, mobile phones etc). The main question is: Is the manipulating of the charge in the semiconductors limited and if it is, what is next with the development and the construction of the miniaturized electronic devices and modern and fast computers? The author has presented a brief description of the knowledge and the possibilities of the new magnetic materials, that may have great applications in spinelectronics, which is a new branch of knowledge having the beginning in the last years of the previous century, and where the spin of the electron and the process of manipulation it plays the main role.
EN
Seleno-spinels with the general formula ZnxSnyCrzSe4 (where x + y + z ≈3) were prepared as polycrystalline samples in the two nominal compositions: Zn0.9Sn0.1Cr2Se4 and ZnCr1.9Sn0.1Se4, using ceramic method. X-ray powder diffraction was used to analyse the obtained phases and to determine their crystal structure and lattice parameters. The obtained single-phase compounds crystallize in the spinel cubic structure – Fd3m. Tin ions are found to occupy both tetrahedral and octahedral sublattices. Chemical compositions of the obtained samples were determined using JEOL-type Scanning Microscope which also revealed a variation in local distribution of cations and the porosity of the samples. The magnetisation data for ZnxSnyCrzSe4 system, shows that the saturation magnetic moments depend on location of tin ions in crystal lattice of ZnCr2Se4. It was found that the magnetic properties correspond well both with the chemical composition and with the crystal structure. PACS: 61.05.cp; 61.66.Fn; 75.30.Cr; 75.50.Ee.
PL
Metodą ceramiczną otrzymano polikrystaliczne związki chemiczne o ogólnym wzorze ZnxSnyCrzSe4 (gdzie x + y + z ≈ 3) dla dwóch założonych składów Zn0.9Sn0.1Cr2Se4 i ZnCr1.9Sn0.1Se4. Skład chemiczny określono przy użyciu mikroskopu skaningowego JEOL (SE 6480). Dla związku o nominalnym składzie Zn0.9Sn0.1Cr2Se4 wyznaczono skład rzeczywisty jako (Zn0.87Sn0.048)Cr2.02Se4, natomiast dla związku o nominalnym składzie ZnCr1.9Sn0.1Se4 wyznaczono skład rzeczywisty jako Zn0.93[Cr1.95Sn0.05]Se4. Za pomocą rentgenowskiej analizy strukturalnej oraz metody Rietvelda wyznaczono strukturę i parametry sieciowe otrzymanych związków. Badania magnetyczne wykonane w silnych polach magnetycznych wykazały, że momenty magnetyczne nasycenia zależą od obsadzenia jonów cyny Sn2+ w sieci krystalicznej ZnCr2Se4. Dla otrzymanych zwiazków (Zn0.87Sn0.048)Cr2.02Se4 i Zn0.93[Cr1.95Sn0.05]Se4 zmierzone momenty magnetyczne nasycenia wynoszą odpowiednio 6.52µB/cz. i 5.56µB/cz. Wzrost nasycenia namagnesowania w (Zn0.87Sn0.048)Cr2.02Se4, gdzie jony cyny Sn2+ podstawiają się w miejsce niemagnetycznych jonów Zn2+, świadczy o tym, że jony cyny Sn2+ mają wpływ na momenty magnetyczne w (Zn0.87Sn0.048)Cr2.02Se4. Badania magnetyczne wykonane przy użyciu magnetometru nadprzewodzacego SQUID potwierdziły obecność antyferromagnetycznego uporządkowania w sieci otrzymanych spineli oraz wykazały wpływ jonów cyny Sn2+ na oddziaływania antyferromagnetyczne w tym układzie.
3
Content available remote Properties of GdFeAl ternary compound in two crystallographic structures
EN
Properties of the GdFeAl compound which crystallized in the cubic MgCu2-type structure as well as in hexagonal MgZn2-type structure were compared. The electrical resistivity, AC susceptibility and magnetization as a function of temperature revealed relatively high magnetic ordering temperature about 200 K. The differences in magnetization were observed for samples crystallizing in two different crystallographic structures. The magnetic moments measured at 4.2 K and up to140 kOe are very far from the magnetic moment value for free Gd ion. The magnetic moment values of cubic and hexagonal phases are 1.1 μB and 1.7μB, respectively.
EN
Magnetic properties of hybrid resin bonded magnets produced from a mixture of MQP-B with strontiutn ferrite or alnico ones have been iiwestigated. The room temperaturę magnetic measurements as the initial magnetization curve, the major and minor hysteresis loops and two sets of recoil curves have been performed. The data from all recoil loops have been used to derive the field dependence of the reversible and irreversible magnetization components of the total magnetization. From both the initial and demagnetization curves the field dependence of the differential susceptibility were received. It was found from that the main mechanism of magnetization reversal process in MQP-B and MQP-B with strontium ferrite magnets is the pinning of domain walls. For the MQP-B magnet with alnico apart from the pinning of domain walls at the boundaries of MQP-B grains, the rotation of the magnetization vector in alnico grains contributes mainly to the reversible magnetization. The interactions have been studied by means of the Henkel plots. In bonded magnets madę from MQP-B and MQP-B with alnico the dipole interactions are dominant while in MQP-B with strontium ferrite magnet the s-shaped behaviour of the Henkel plots have been observed as in exchange-coupled magnets.
PL
W pracy badano własności magnetyczne hybrydowych magnesów wiązanych żywicą, wyprodukowanych z mieszaniny proszków MQP-B i ferrytu strontu lub alnico. Pomiary magnetyczne takie jak: pierwotne krzywe magnesowania, główne i częściowe pętle histerezy oraz krzywe powrotne przeprowadzono za pomocą magnetometru wibracyjnego LakeShore w polu magnetycznym do 2T i magnetometru Bittera w polu do 14 T. Dane z pomiaru wszystkich krzywych powrotnych posłużyły do wyznaczania zależności składowej odwracalnej i nieodwracalnej namagnesowania od wartości przyłożonego pola magnetycznego. Z krzywych pierwotnych i krzywych odmagnesowania wyznaczono zależności różniczkowej podatności jako funkcji przyłożonego pola magnetycznego. Z tych zależności wynika, że głównym mechanizmem procesu przemagnesowania w magnesach otrzymanych z proszku MQP-B i mieszaniny proszku MQP-B z ferrytem strontu jest kotwiczenie ścian domenowych na granicach ziaren MOP-B. Natomiast w magnesie z dodatkiem alnico oprócz kotwiczenia ścian domenowych występują obroty wektora namagnesowania w ziarnach alnico. Z zależności Henkla wynika, że w magnesach z czystego MQP-B i MQP-B z dodatkiem alnico dominują oddziaływania dipolowe. Natomiast dla magnesu z dodatkiem ferrytu strontu krzywa Henkla ma przebieg charakterystyczny dla magnesów, w których dominuje sprzężenie wymienne.
EN
The structure and magnetic properties of the tetragonal ThMn12 - type RMn12-xTx alloys (R=Nd, Sm; T=Co, Ni) have been studied in broad magnetic field ranges (up to 35 T). High pulsed magnetic field is applied at T = 4.2 K with the pulse duration of 10 ms. The NdMn12-xNix system has been investigated additionally in the temperature range extended up to about 750 K. The ternaries exist in, approximately, the 4 => x => 8 composition range. The alloys with x ~4 are frequently paramagnetic in a broad temperature range, whereas for other compositions complicated magnetic properties are observed. The results are discussed in relation to the free-ion values of the Nd and Sm ions .
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.