PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 22

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Stan technologii mikrofalowych elementów z azotku galu
Góralczyk M., Gryglewski D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2018
|
Vol. 59, nr 1
20--23
PL
W referacie przedstawiono parametry mikrofalowych tranzystorów i układów scalonych z azotku galu wytwarzanych przez wiodących producentów. Możliwości aplikacji tranzystorów GaN HEMT w postaci chipów oraz w obudowach zaprezentowano na przykładach skonstruowanych wzmacniaczy o mocy wyjściowej 250 W CW na pasmo ISM2.45 GHz dla systemów grzania mikrofalowego. Dla porównania przedstawiono wzmacniacz o podobnych parametrach, ale wykonany przy użyciu tranzystorów Si LDMOSFET. Jednym z istotnych zagadnień jest wykorzystanie tranzystorów GaN HEMT do budowy wzmacniaczy niskoszumnych (LNA) na tyle odpornych, aby można było zrezygnować z ogranicznika standardowo umieszczanego na wejściu toru odbiorczego modułu N/O radarów z elektronicznie sterowaną wiązką (AESA). Dlatego zaprojektowano wzmacniacz LNA z tranzystorem GaN HEMT, którego parametry są następujące: współczynnik szumów F≤2.1 dB i wzmocnienie G≥11dB w pasmie 9÷10 GHz przy odporności na sygnały niepożądane o mocy ponad 42 dBm.
EN
In the paper the parameters of microwave GaN HEMT transistors and monolithic integrated circuits (MMIC) fabricated by leading global foundries are presented. As examples of applications the GaN HEMT chips and in packages were used to design 250 W(CW) ISM2.45GHz band amplifiers for microwave heating. For comparison the 250 W amplifier with Si LDMOSFET was also designed. The GaN components have the future in T/R modules of active electronically scanned array AESA both in a receive part and transmit part. Therefore X-band low noise amplifier (LNA) with GaN HEMT was designed. The LNA parameters are as follow: noise figure F≤2.1dB, gain G≥11dB over a 9 to 10 GHz frequency range and the robust for high input power is better than 42dBm. It can thus dispense with limiter which is located at the input receive part of T/R module.
2
Szerokopasmowy odbiornik mikrofalowy z analogową przemianą 0-IF
Rosołowski D. W., Gryglewski D., Wojtasiak W., Korpas P., Modelski J., Bogdan B.
Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
|
2015
|
nr 6
633--635
PL
Przedstawiono projekt odbiornika z pojedynczą, bezpośrednią przemianą kwadraturową na zakres częstotliwości od 1 GHz do 6 GHz o paśmie przetwarzania 500 MHz przy dynamice większej niż 60 dB. Opisano krytyczne elementy konstrukcji oraz przedstawiono wyniki wstępnych pomiarów kluczowej części toru radiowego. Decydujący o przydatności architektury 0-IF poziom tłumienia wstęgi bocznej po korekcji jest lepszy niż 50 dB na skraju pasma i 60 dB dla odstrojenia ± 200 MHz od środka kanału, a poziom składowej stałej w widmie nie przekracza -85 dBFS.
EN
In this paper a wideband homodyne receiver with a single quadrature frequency conversion is proposed. The receiver covers frepuencies between 1 GHz ang 6 GHz with immediate bandwidth of 500 MHz and dynamie rangę over 60 db Crucial components arę pointed and described. Initial measurement result of the most important part of the signal path arę presented. The sideband image suppression level, a critical factor for the 0-IF architecture, after the I/Q digital compensation, is better than 50 dB at the band edge and 60 dB at ± 200 MHz frequency shift. The DC-offset level is below -85 dBFS.
3
Content available remote Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Gryglewski D., Góralczyk M., Sokół S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
36-40
PL
W celu zbadania możliwości realizacji stopni wejściowych odbiorników mikrofalowych z wykorzystaniem technologii azotkowej skonstruowano wzmacniacz niskoszumny (LNA) z tranzystorem GaN HEMT wytworzony w projekcie PolHEMT. Zbudowany wzmacniacz stanowi także element weryfikacji opracowanej technologii GaN HEMT. W referacie opisano metodę modelowania szumowego tranzystora GaN HEMT oraz przedstawiono etapy projektowania wzmacniacza LNA na pasmo 1,1÷1,3 GHz.
EN
In this paper the development of the L-band low noise amplifier with GaN HEMT manufactured by consortium PolHEMT is described. The application of GaN HEMTs in the input stages of radar T/R modukles is very important issue, because the robust of the receivers may be increased as well as the limiters can be eliminated. This LNA is also a verification element of PolHEMT.
4
Content available remote Blok przemiany częstotliwości odbiornika radaru śledzącego na pasmo Ku
Gryglewski D., Wojtasiak W., Kopyt P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 10
73-76
PL
Skonstruowany blok przemiany częstotliwości dla radaru RSKu-10 na pasmo Ku realizuje konwersję sygnału z zakresu 17÷17,5 GHz do pasma pośredniej 70 MHz ± 4 MHz ze wzmocnieniem o regulacji w przedziale od 19 dB do 49 dB i współczynnikiem szumów mniejszym niż 6 dB. Nierównomierność wzmocnienia w pasmie 17÷17,5 GHz nie przekracza ± 0,7 dB, a w kanale pośredniej o szerokości 8 MHz wynosi ± 0,4 dB.
EN
In this paper, the design of down-converter for Ku-band RSKu-10 radar is presented. The receiver consists of 8 identical down-converters. The input signals from the range 17÷17.5GHz are converted to 70MHz IF-band. The conversion gain is controlled within 19÷49dB dynamic range. The total noise figure of down-converter is less than 6dB. The gain flatness amounts ±0.7dB from 17GHz to 17.5GHz, and ±0.4dB within 70±4MHz IF band.
5
Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC
Kopyt P., Wojtasiak W., Gryglewski D., Gwarek W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
22-25
PL
W artykule przedstawiono 3-wymiarową analizę termiczną tranzystora GaN HEMT na podłożu GaN/SiC wytworzonego w ITE. Symulacje przeprowadzono w środowisku ANSYS-Fluent z zewnętrznym generatorem siatki obliczeniowej. W analizie uwzględniono warstwową strukturę podłoża i zależność własności materiałowych poszczególnych warstw od temperatury. Opracowanego modelu użyto do wyznaczenia rezystancji | termicznej tranzystora na podłożu SiC i GaN (monokrystaliczny) o różnych grubościach.
EN
In this paper a 3-dimensional numerical model of a HEMT structure fabricated on GN/SiC substrate is presented. The model is implemented in the ANSYS-Fluent environment using an external computational mesh generator. The tools have been verified by comparing results obtained with numerical calculations and a known solution of a simple thermal problem. Next, the model of the HEMT has been employed to numerically evaluate the thermal resistance of the structure for two different substrate materials of varying thickness. It will be used as a tool in an effort to scale-up devices manufactured by ITE towards higher output power levels.
6
Content available remote Układ przemiany częstotliwości toru nadawczego radaru impulsowego na pasmo Ku
Gryglewski D., Wojtasiak W., Kopyt P., Żurkowski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
14-17
PL
W artykule przedstawiono projekt konwertera dla nadajnika radaru RSKu-10 na pasmo Ku. Konwerter realizuje przemianę częstotliwości pasma pośredniej 70 MHz do zakresu nośnych 17÷17,5 GHz. Poziom mocy wyjściowej w paśmie Ku w głównym 8 MHz kanale wynosi PWY1 = 0 dB ± 0,15 dBm, a na wyjściu kalibracyjnym PWY2 = -20 dB ± 0,4 dBm dla mocy wejściowej PWE = 0 dBm (70 MHz). Poziom sygnałów niepożądanych poza pasmem i w paśmie pracy nie przekracza -60 dBc.
EN
In this paper, the design of up-converter for Ku-band radar is presented. The IF frequencies from 70 MHz band are converted to 17÷17.5GHz frequency range. The up-converter achieves output power level PWY1=0dB±0.15dBm and PWY2=-20dB±0.4dBm for input Power PWE=0dBm (70MHz) at the main port and calibration port, respectively. The level of undesirable signals is less than -60dBc.
7
Powtarzalność elektrycznej charakteryzacji oprawki zawierającej połączenia drutowe
Kopyt P., Gryglewski D., Wojtasiak W., Gwarek W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
52-54
PL
W artykule przedstawiono sposób wyznaczania wartości elementów zastępczych oprawki TO-39 zastosowanej jako obudowa detektora podczerwieni i połączonej z nim za pomocą połączeń drutowych. Wartości te są wyznaczane na podstawie pomiarów oprawki, w której chip detektora zastąpiono elementem zastępczym o znanych parametrach. Wrażliwość metody na długość połączeń drutowych łączących ten element z wyprowadzeniami została zbadana poprzez wielokrotne powtórzenie procedury dla różnych połączeń.
EN
In this paper an approach to modeling of TO-39 packages employed for IR detectors wirebonded to the package leads is discussed. The sensitivity of the approach to varying lengths of the wirebonds used to connect the known 2-port to the package is analyzed. To this end, the structure was wirebonded several times. Each time it was measured so that the discrepancy in extracted parameters of the package equivalent circuit could be observed.
8
Pasywny ogranicznik diodowy na pasmo Ku
Gryglewski D., Wojtasiak W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 10
48-51
PL
Celem komunikatu jest prezentacja konstrukcji pasywnego ogranicznika diodowego przeznaczonego do ochrony toru odbiorczego radaru RSKu-10 na pasmo 17...17.5 GHz. Na podstawie analizy różnych rozwiązań układowych i konstrukcyjnych diodowych układów ograniczających opracowano strukturę i technologię ogranicznika na pasmo Ku z krzemowymi diodami ograniczającymi PIN w formie chipów o typowej wartości pojemności zlącza 0,2 pF i rezystancji szeregowej 2..,3 Ω. Układ z pojedynczą diodą tłumi sygnał poniżej progu ograniczania (Pwe1dB - 7 dBm) mniej niż 0.4 dB, przy stratach odbicia na poziomie -20 dB w żądanym zakresie częstotliwości 17...17,5 GHz W przedziale ograniczania osiągnięto parametry zgodne z danymi producenta diody.
EN
The paper presents design of PIN diode passive limiter for Ku-band RSKu-10 radar. The typical silicone limiter PIN diode with typical 0.2 pF junction capacitance has been chosen. To fulfill requirements the new concept of diode assembly in microstrip line is developed. The limiter was designed with the aid of ADS simulator and manufactured on substrate RT/DURO-ID5880 (Er- 2.22, h - 0.254 mm). The measured insertion loss and return loss of limiter over a 17÷17.5 GHz frequency range are lower than 0.5 dB and -20 dB, respectively During limiting operation the 10 dBm threshold level and 22dBm leakage level was achieved. The device is a part of the full version of Ku-band limiter for radar.
9
Content available A Computer-controlled System of High-power Microwave Sources
Korpas P., Gryglewski D., Wojtasiak W., Gwarek W.
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2011
|
Vol. 57, No. 1
121-126
EN
The paper presents the design and hardware implementation of a computer controlled system composed of up to four high-power microwave sources. Each source provides up to 200 W of continuous wave power. Frequency of each source is stabilized within ±0.5 ppm of the nominal frequency adjustable within 2.35÷2.6 GHz range. All four sources can be synchronized to the same frequency with computer-controlled phase shift between the signals generated by each of them. The paper concentrates on the choice of components for such a system and the properties of the realized hardware implementation.
10
Content available A 100 W SiC MESFET Amplifier for L-band T/R Module of APAR
Wojtasiak W., Gryglewski D.
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2011
|
Vol. 57, No. 1
135-140
EN
In the paper, a 100W SiC MESFET amplifier design dedicated for a L-band T/R module of APAR is presented. The output power higher than 100 W has been achieved by combining in a balanced configuration two single stages with Cree's 60 W CRF24060 SiC MESFETs. The amplifier design methodology is based on the small-signal model and DC characteristics of SiC MESFET. The model is extracted using the transistor Sparameters at three operating points for On-state, Off-state and normally biased. The measurements and simulations prove usefulness of the proposed design method. The amplifier was excited with pulsed and cw signals for the case temperature ranging from 60°C to 140°C. As a result of the case temperature changes the output power drop was lower than 0.5 dB at the level of 150 W.
11
Content available 27 dBm Microwave Amplifiers with Adaptive Matching Networks
Rosolowski D., Wojtasiak W., Gryglewski D.
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2011
|
Vol. 57, No. 1
103-108
EN
The paper describes adaptive amplifier design with varactors and pin diodes as regulators of matching networks. As examples the two amplifiers with SHF-0189 HFET transistor and different matching sections were designed and manufactured. The output power level of 27 dBm and gain higher than 13 dB within L and S-band have been achieved. The amplifier design methodology is based on the small-signal approach and DC characteristics of transistors and regulators. Amplifier adaptivity allows us to remotely control the chosen parameters such as: frequency range, output power level, gain and etc.
12
Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF
Kopyt P., Gryglewski D., Korpas P., Wojtasiak W., Gwarek W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 9
82-85
PL
W artykule opisano sposób modelowania ceramicznej oprawki mikrofalowego tranzystora mocy. W celu przeprowadzenia pomiaru chip tranzystora został zastąpiony niesymetryczną linią, paskową o wymiarach zbliżonych do chipu i połączonych z wyprowadzeniami obudowy wieloma równoległymi połączeniami drutowymi. Na podstawie pomiarów przygotowano pełnofalowy model oprawki i wykorzystano go do znalezienia parametrów jej obwodu zastępczego.
EN
In this paper an approach to modeling of RF power transistor packages is discussed. The presented approach is based on measurements of a real package in which the transistor chip was replaced with a 2-port of known parameters and connected to the package leads with multiple parallel wirebonds. Based on measurements a full-wave model of the structure is prepared and used as an intermediary step to extract parameters of the equivalent circuit of the transistor package.
13
Metody modyfikacji warstwy radiowej systemów bezprzewodowych sieci abonenckich i wymiany danych
Wojtasiak W., Gryglewski D.
Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
|
2010
|
nr 12
1716-1723
PL
Przedstawiono metody modyfikacji warstw radiowych abonenckich systemów dostępowych punkt-wielopunkt i urządzeń WLAN 802.11 w istniejącej infrastrukturze dla zmiany częstotliwości i mocy nadawanego sygnału. W tym celu opracowano szereg rozwiązań modułów N/O konwersji pasm tzw. transwerterów. W systemach abonenckich P-MR takich jak IRT2000, A9800 i DRMASS, transwertery umożliwiły modernizację sieci telefonicznej w przeszło 100 lokalizacjach. W mniejszej skali transwertery znalazły zastosowanie w urządzeniach WLAN dla realizacji łączności bezprzewodowej w pasmach zastrzeżonych - 1,2 GHz, 1,6 GHz i 4,4 GHz.
EN
The paper describes development of a technique and equipment to convert signals from TDD or FDD radio systems operating over popular ISM2.4GHz -band up to the less crowded, licensed 3.5GHz or 4.4GHz bands. The technique of bands conversion consists in a connection to the existing infrastructures RF up/down converter modules (transverter) with T/R switches or duplexer for TDD or FDD systems, respectively. Currently, the 3.5GHz FDD transverters cooperate in more than 100 locations with the IRT2000, A9800 and DRMASS digital radio access system used by NETIA and MNI Telekom group. The TDD transverters work together with 802.11 b/g WLAN for communication in protected bands such as. 1.2GHz, 1.6GHzand4.4GHz.
14
T/R modules for APAR
Gryglewski D., Morawski T., Sędek E., Wojtasiak W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 4
56-64
EN
This paper sums up the achievements of solid-state T/R modules for Active Phased Array Radar (APAR) within confines of many years' standing co-operation between Warsaw University of Technology and Telecommunications Research Institute. A review of the concepts and performances of developed low cost T/R modules for L- and C-bands are presented. The transmitting amplifiers structures were optimized for maximum output power level and minimum transmittance distortions during radar pulse using self-invented electro-thermal models of high power microwave transistors. The transmitting line provides less than 0.1 dB and 0.4° transmittance changes during RF pulse at maximum output power level close to dB gain compression point. The receiving line includes two major parts: broadband passive lim-iter and low-noise amplifier (LNA). Typically, limiter provides less than .3 dB small-signal insertion losses in-band and protects LNA against undesirable signals over dBm to dBm (cw) limiting range. The LNAs were designed for minimum noise figure and maximum fault tolerance such as ESD and too high input signal. LNAs achieve less than dB noise figure and more than dB gain.
PL
W artykule podsumowano wyniki prac nad półprzewodnikowymi modułami N/O dla radarów z aktywnie fazowaną wiązką osiągnięte w ramach wieloletniej współpracy pomiędzy Przemysłowym Instytutem Telekomunikacji a Politechniką Warszawską. Na wstępie przedstawiono przegląd rozwiązań układowych modułów N/O oraz propozycję struktury parametrów tanich modułów na pasma L i C. Moduł N/O składa się z toru nadawczego i odbiorczego. Głównym podzespołem toru nadawczego jest wzmacniacz dużej mocy zaprojektowany dla uzyskania maksymalnej mocy wyjściowej, przy jak najmniejszych wahaniach transmitancji w czasie impulsu i pomiędzy kolejnymi impulsami. Dla osiągnięcia tego celu użyto własnego elektrotermicznego modelu tranzystorów typu FET. W rezultacie zmiany transmitancji toru nadawczego były mniejsze niż 0,1 dB i 0,4° w trakcie impulsu dla mocy wyjściowej na poziomie punktu 1 dB kompresji wzmocnienia. Dla zabezpieczenia wzmacniacza niskoszumnego na wejściu toru odbiorczego umieszczono pasywny ogranicznik diodowy o zakresie ograniczania od 10...41 dBm (cw) i stratach wtrąceniowych w paśmie pracy poniżej 0,3 dB. Wzmacniacz niskoszumny zoptymalizowano dla osiągnięcia minimum współczynnika szumów i maksymalnie dużej odporności na uszkodzenia wywoływane zbyt dużym poziomem sygnału wejściowym oraz ESD. Współczynnik szumów zrealizowanych LNA nie przekraczał 1 dB, a wzmocnienie było większe niż 27 dB.
15
Sterowanie kierunkiem maksymalnego promieniowania szyku antenowego za pomocą waraktorowych przesuwników fazy
Bury M., Kozłowski S., Gryglewski D., Zborowska J., Morawski T., Sędek E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 2
25-28
PL
W pracy przedstawiono właściwości 4-elementowego fazowanego szyku antenowego. Sterowanie położeniem listka głównego charakterystyki kierunkowej szyku odbywa się za pomocą zmiany ustawień czterech waraktorowych przesuwników fazy. Porównano zakres możliwych do uzyskania zmian kierunku maksymalnego promieniowania z wynikami symulacji komputerowych.
EN
The paper concerns characteristics of 4-element phased array antenna. Steering of main lobe direction is available by selecting appropriate states of 4 varactor phase shifters. Scanning range verfied by measurements appeared to fit the one obtained from computer simulation.
16
Przetwornica przepustowa AC/DC 200 W z diodami Schottky'ego SiC
Gryglewski D., Wojtasiak W. W., Hrehoruk B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 11
151-154
PL
W artykule opisano konstrukcję wysokosprawnej przetwornicy AC/DC o mocy 200 W i napięciu wyjściowym 50 V z diodami Schottky'ego z węglika krzemu. Układ zaprojektowano w celu zweryfikowania danych zawartych w materiałach reklamowych firmy CREE dotyczących zmniejszenia strat podczas przełączania dzięki zastosowaniu diod SiC. Zaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przetwornicy AC/DC z diodami SiC firmy CREE, jak również z popularnymi szybkimi diodami PN.
EN
The high efficiency AC/DC 200 W converter with Schottky SiC diodes (CREE) with 50 V output voltage has been designed. The converter has been made to examine the CREE's advertisement thesis about improving losses in switching SiC diodes. The measured efficiency of the AC/DC converter with SiC CREE diodes and common use fast switching Si PN diodes was presented.
17
Wielobitowe mikrofalowe przesuwniki fazy
Gryglewski D., Morawski T., Zborowska J., Sędek E., Szymański P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 11
61-65
PL
W artykule przedstawiono zasadę działania oraz schematy różnych typów mikrofalowych przełączanych przesuwników fazy, które mogą być zastosowane do skanowania wiązką antenową do modulacji sygnału lub w mikrofalowych systemach pomiarowych. Przedstawiono wyniki badań skonstruowanych dwóch typów przesuwników fazy: przesuwnika z linią obciążoną i przełącznikami SPDT oraz przesuwnika typu odbiciowego ze sprzęgaczami 3 dB/90° i diodami waraktorowymi.
EN
Article presents principle of operation as well as diagrams of various types of switched microwave phase shifters which may be applied in beam scanning antennas, for signal modulation or in microwave measuring equipment. Article comprises measurement results of the laboratory models of two selected types: phase shifter with loaded line and SPDT switches as well as reflecting type phase shifter with 3 dB/90° couplers and varactor diodes.
18
Przesuwnik fazy z diodami waraktorowymi na potrzeby sterowania wiązką antenową
Gryglewski D., Morawski T., Zborowska J., Bury M., Kozłowski S., Sędek E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 11
45-48
PL
W pracy przedstawiono koncepcję projektowania przesuwników fazy z diodami waraktorowymi. Zalety proponowanego rozwiązania w odniesieniu do konstrukcji z diodami PIN zostały przedstawione na przykładzie zrealizowanego 32-stanowego przesuwnika fazy. Wyniki pomiarów wykorzystano do symulacji sterowania wiązką szyku fazowanego, wyposażonego w takie przesuwniki.
EN
Paper presents an idea for designing varactor diode phase shifters. Advantages of such solution comparing to the construction based on PIN diodes were presented with reference to constructed exemplary 32-state phase shifter. Measurements results were utilized for beam-steering simulation of phased array antenna employing such shifters.
19
Content available A 100 W ISM 2.45 GHz-band power test system
Wojtasiak W., Gryglewski D., Gwarek W.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2005
|
nr 2
23-28
EN
This paper describes development of solid-state microwave power test system (MPTS) operating over 2.3 to 2.6 GHz with the output power level of 100 W for industrial applications in material processing, and for designing of microwave power industrial equipment. The MPTS unit consists of four major parts: PLL synthesizer, high power solid-state amplifier, detector probes for return losses and leakage measurement and microcontroller. The MPTS system is able to operate in either single fixed-frequency regime, or in swept mode with self-tuning for minimum reflection of a heated load.
20
Pięciobitowy mikrofalowy przesuwnik fazy z diodami waraktorowymi na pasmo L
Gryglewski D., Morawski T., Zborowska J., Sędek E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 11
29-32
PL
Przedstawiono metody projektowania wielostanowych przesuwników fazy z diodami waraktorowymi i sprzęgaczami 3 dB/90° . Pokazano, że można osiągnąć 32 stany pracy przesuwnika o zakresie zmian fazy 360° (32 razy 11,25°) w paśmie częstotliwości o 15% szerokości w prostym przesuwniku składającym się z połączenia dwóch sprzęgaczy z dołączonymi diodami waraktorowymi. Omówiono cyfrowe sterowanie przesuwnika fazy.
EN
Paper presents description of a method for designing 32-state phase shifters comprising varactor diodes and quadrature couplers. It has been shown that it is possible to construct 32-state phase shifter with the 360° range of phase change (11.25° multiplied by 32) in a frequency band 15% wide as a series combination of two couplers connected with varactor diodes. Appropriate digital steering system is also presented, as well as results of measurements of the shifter.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.