Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

High performance optical shutter design with scalable aperture

Pokryszka Piotr, Wośko Mateusz, Kijaszek Wojciech, Paszkiewicz Regina

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2021

|

Vol. 69, nr 5

art. no. e138236

EN

In this paper, design, construction and switching parameters of a self-made optical shutter with scalable aperture were reported. The aim of the study was to obtain the shortest possible switching times, minimum shutter open time and comparable with commercial shutter, the switch-on and switch-off times. For this purpose, numerical simulations were performed using Comsol Multiphysics 5.4. The design of the shutter and the control system have been optimized accordingly to the obtained results of numerical simulations. The optimized design was fabricated in a professional mechanical workshop and operational parameters of the constructed device were investigated. The switching parameters of the shutter, such as opening time, closing time, minimum shutter open time and other parameters were measured. The values of the parameters were determined from a statistical analysis of a sample consisting of 10,000 measurement results. The performed characterization showed that the tested device has the opening time of 0.8 ms, while the closing time is approximately 1 ms. The designed device is characterized by the minimum shutter open time of 6.4 ms.

2

Pomiary in-situ jednorodności temperatury i ex-situ grubości osadzonej warstwy w systemie epitaksjalnym AIXTRON CCS 3 x 2’’

Pokryszka Piotr, Wośko Mateusz, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 10

173--176

PL

W pracy przedstawiono sposób kalibracji temperatury procesu epitaksji w systemie AIXTRON CCS 3x2’’. Kalibrowany system pirometryczny umożliwia monitorowanie in-situ temperatury podłoża na 5’’ grafitowej podstawie, w zakresie temperatur od 400 ͦC do 1300 ͦC z dokładnością do 2 ͦC. Również przedstawiono stanowisko i metodę pomiarową z wykorzystaniem interferencji do określania grubości wytworzonej warstwy. Jako źródło światła wykorzystano ciało doskonale czarne rozgrzane do temperatury 1060 ͦC i heterostrukturę AlGaN/GaN/Al203. Pomiary grubości warstwy zostały wykonane ex-situ, lecz z powodzeniem mogą zostać wykonane in-situ.

EN

The paper presents the method of temperature calibration of the epitaxy process in the AIXTRON CCS 3x2'' system. The pyrometric system calibrated allows to monitor in-situ the temperature of the substrate on a 5'' graphite base, within the temperature range from 400 ͦC to 1300 ͦC with an accuracy of 2 ͦC. Also the stand and the measurement method with the use of interference to determine the thickness of the created layer are presented. As a light source, a black body heated to 1060 ͦC and heterostructure AlGaN/GaN/Al203 were used. Layer thickness measurements were taken ex-situ, but can be successfully done in-situ.

3

Pogrubiania elektrochemiczne złotem cienkich warstw metalicznych

Macherzyński Wojciech, Buba Piotr, Pokryszka Piotr, Ilgiewicz Grzegorz, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 10

146--149

PL

W artykule omówiono projekt układu zasilania w stanowisku do pogrubiania elektrochemicznego złotem cienkich warstw metalicznych. Pogrubianie cienkich warstw metalicznych w technologii półprzewodnikowej jest ważnym etapem w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych. Umożliwia ono wykonanie poprawnych połączeń drutowych w procesie termo- i/lub ultra-kompresji oraz zapewnia zmniejszenie rezystancji powierzchniowej, która jest istotna w celu zapewnienia poprawnej pracy przyrządów wytwarzanych w AIIIN.

EN

The article present the project of power supply unit of the system for electrochemical thickening of thin metallic layers with gold. Thickening of thin metallic layers in semiconductor technology is an important stage of the process of devices fabrication. It allows to obtain the proper wire connections in the process of thermo- and/or ultra-compression and additional advantage of thickened metallization layers is the reduction of surface resistance, that is important for ensuring proper operation of devices fabricated in AIIIN.