Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

MOSFET parameter extraction with EKV model

Bartnik Ł., Arabas J.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

|

2009

|

z. 169

9-17

EN

This paper reports results of an ongoing research on MOSFET parameter extraction using the EKV model. This work continues efforts in finding the best method for efficient and robust parameter extraction based on voltage-current structure characteristics. In the extraction process, voltage-current characteristics are matched by the characteristics generated by the model. Values of parameters for which the best match is observed are the result of the extraction. The extraction process is considered an optimization problem, which is then solved by an evolutionary algorithm followed by the Nelder-Mead simplex. The influence of the measurement error on the extraction results is investigated experimentally.

2

Weryfikacja możliwości globalnej ekstrakcji parametrów tranzystora MOS z użyciem modelu EKV

Bartnik Ł., Aarabas J., Szostak S., Tomaszewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 8

258-266

PL

W artykule opisano metodę ekstrakcji parametrów elektrofizycznych tranzystorów MOS. Do tego celu wykorzystany jest model EKV, należący do klasy kompaktowych modeli przyrządów półprzewodnikowych. Został on skonstruowany przede wszystkim dla potrzeb projektowania analogowych układów scalonych MOS, działających w dowolnych warunkach polaryzacji ze szczególnym uwzględnieniem zakresów słabej i umiarkowanej inwersji, a więc zakresów małych wartości prądu i pobieranej energii. Zasada metody ekstrakcji polega na wyznaczeniu takich wartości parametrów tranzystora aby uzyskać jak najlepsze dopasowanie charakterystyk prądowo-napięciowych, uzyskanych z modelu, do charakterystyk zmierzonych. Zadanie ekstrakcji jest więc w swej istocie zadaniem minimalizacji błędu dopasowania, przy czym liczba minimów lokalnych może być znaczna. W artykule przedstawiono wynik zastosowania metody ewolucyjnej, skojarzonej z metodą lokalnej optymalizacji, do efektywnego rozwiązywania zadania ekstrakcji. Przeprowadzono również dyskusję wpływu błędu pomiaru charakterystyk prądowo-napięciowych na możliwość prawidłowej ekstrakcji wartości parametrów.

EN

The paper defines a method to extract electrophysical parameters of MOS transistors with the use of the EKV model, which is a representative of compact models of semiconductor devices. The model was designed for the purpose of Computer Aided Design of analog MOS integrated circuits which work in any polarization conditions, and the specific concern is made on proper modeling of weak and moderate inversion, i.e., small values of the output current. The idea of the extraction method consists in finding such values of the transistor parameters that the best fit is obtained between the voltage current characteristics which have been measured and the characteristics generated by the model. Thus, the extraction task is in its nature the task of minimizing the error of the fitting, and the number of local minima of such objective function can be significant due to nonlinearity of the model. In this contribution, results are presented of applying a hybrid optimization method which comprises and evolutionary algorithm with a nonlinear simplex method by Nelder and Mead. Influence of errors of measurement on the ability to perform proper extraction is also provided.

3

Osiągnięcia i perspektywy w ultradźwiękowych systemach kontroli jakości zgrzein punktowych

Ambroziak A., Korzeniowski M., Kustroń P., Bartnik Ł.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Mechanika

|

2006

|

z. 215

7-18

PL

W artykule przedstawiono obecny stan wiedzy dotyczący oceny jakościowej zgrzein punktowych w cienkościennych elementach stalowych badanych metodą ultradźwiękową. Podano przebiegi odbić sygnału ultradźwiękowego dla typowych poprawnych i wadliwych zgrzem. Ponadto przedstawiono nowatorską metodę obserwacji przebiegu procesu zgrzewania rezystancyjnego punktowego w czasie rzeczywistym. Oparta jest ona na pomiarze parametrów przechodzącej przez zgrzeinę fali ultradźwiękowej. Przeprowadzone w Zakładzie Spawalnictwa Politechniki Wrocławskiej badania wykazały, iż ta metoda pozwala na uzyskanie jednoznacznej informacji o stanie powstającego jądra zgrzeiny. Uzyskane dane mogą być użyte, nie tylko w celu oceny jakości powstającej zgrzeiny, ale również sterowania przebiegiem całego procesu.

EN

This article contain some information about the main methods of ultrasonic quality controI of spot welds. Resistant welding proces s is very sensitive for lots of factors like: electric power excursion, electrodes and material surface's condition, electrical by-pass, etc. It usually causes worse quality of the connection. To prevent this factor's influence, many methods are being investigated. Recently, many of the promising methods are based on ultrasonic waves. That's why we would like to present advantages and disadvantages of two systems. First, OF-LINE method can give us information about typical unconfonnities of spot welds but only after the process. This method is very popular nowadays especially in thin-walled materials. It lets to check the quality of even a hundred percents of spot welds without destroying them. Second ON-LINE method is based on measuring amplitude ofultrasonic wave, which flow across the spot-joins during welding process. It cause that we can check quality of spot weld during it's arising. Theoretical curve of ultrasonic transmission shows that ultrasonic method can give many, important infonnation about welding process, like: size of welding nuggets, it's arise and crystallization moment but first of all, current switching-off moment. All abilities of this method can be used to find weld quality, controlling welding process and prevent many dangerous factors in the time of weld arising.

4

Individuals' genealogy and the population diversity

Adamski K., Arabas J., Bartnik Ł., Chrustowski A., Jamróz K., Wardziński R.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

|

2006

|

z. 156

11-20

EN

In this paper we study the genotype diversity of the base population. We provide evidence that the diversity is closely related to the genealogy of individuals and to the degree of mutation. We give analytical formulas for the diversity distribution in the space of binary and real vectors. The theoretical results are supported by numerical experiments.