Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2019

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Falowniki dwuczęstotliwościowe do nagrzewania indukcyjnego

Kasprzak Marcin, Legutko Piotr, Przybyła Krzysztof, Zimoch Piotr

Śląskie Wiadomości Elektryczne

2019

Nr 5 (127)

22--26

W artykule opisano zagadania związane z dwuczęstotliwościowymi falownikami rezonansowymi do nagrzewania indukcyjnego. Przedstawiono ideę nagrzewania indukcyjnego prądem o dwóch składowych: częstotliwości średniej MF i wysokiej HF. Omówiono dwa możliwe rozwiązania przekształtników: z dwoma falownikami składowymi oraz z pojedynczym falownikiem. Podano schematy układów oraz opisano sposób ; sterowania przekształtnika z pojedynczym falownikiem. Stwierdzono, że przekształtnik taki jest prosty w budowie a sterowanie mocą wyjściową jest realizowane niezależnie dla obu składowych MF i HF.

The article describes issues related to Simultaneous Dual-Frequency (SDF) resonant inverters for induction heating of gear wheels. The idea of induction heating with two current harmonics is presented: medium frequency MF and high HF. Two possible converter structures are i discussed: with two component inverters and with a single inverter. System diagrams are given and a PWM control method of a single inverter is described. It has been found that such a single inverter is simple in construction and output power of both MF and HF components can be controlled separately.

Evaluation of SiC and GaN FETs in zero-voltage switching interleaved boost converters

Zimoch Piotr

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 9

186--192

In recent years silicon carbide and gallium nitride transistors have become a popular choice for power converters, such as LLC resonant converters, power factor correction circuits, etc. This paper presents a direct comparison of silicon, silicon carbide and gallium nitride field effect transistors (FETs) in a 900 W, two-phase, zero-voltage switching boost converter with a switching frequency range of (300 – 500) kHz. Through analysis, calculations and experimental examination, it is shown, that using gallium nitride and silicon carbide transistors results in a significant increase in converter efficiency, as well as other benefits, such as lower power consumed by the driving circuits and lower working temperature.

W ostatnich latach wzrosła popularność tranzystorów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu (SiC) i azotku galu (GaN) w zastosowaniach takich, jak przekształtniki rezonansowe LLC, układy PFC, itp. Niniejszy artykuł prezentuje bezpośrednie porównanie tranzystorów krzemowych, z węglika krzemu oraz z azotku galu w dwufazowym przekształtniku typu boost ZVS o częstotliwości przełączania w zakresie (300 – 500) kHz i mocy 900 W. Poprzez analizę, obliczenia i weryfikację eksperymentalną wykazano, że zastosowanie tranzystorów SiC i GaN skutkuje znaczącym wzrostem sprawności przekształtnika, oraz innymi korzyściami, takimi, jak niższa moc pobierana przez obwody sterowników bramkowych oraz niższa temperatury pracy.