Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces

Domanowska A., Adamowicz B., Bidziński P., Klimasek A., Szewczenko J., Gutt T., Przewłocki H.

Optica Applicata

|

2011

|

Vol. 41, nr 2

441--447

EN

Chemical shifts in Auger electron spectra versus Ar+ ion sputtering time were analysed for various passivated interfaces, including SiO2(100 nm)/Si, SiO2(40 nm)/4H-SiC structures and native oxide/austenitic stainless steel 316LVM. On this basis, in-depth profiles of chemical composition were determined and the thickness of passivation nanofilms was estimated. Quantitative numerical analysis was performed by means of a developed computer procedure for both the AES spectrum background subtraction and peak decomposition with pseudo-Voigt functions using evolutionary algorithms.

2

Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera

Domanowska A., Klimasek A., Lisiecka E., Bidziński P., Adamowicz B., Szewczenko J., Taube A., Korwin-Mikke K., Gierałtowska S, Żywicki J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

63-66

PL

Zbadano rozkład zawartości pierwiastków w nanowarstwach pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera w funkcji czasu trawienia jonowego (Ar⁺): (i) na powierzchni stali nierdzewnej 316L (O i Cr) oraz (ii) w struklurze HfO₂/SiO₂/SiC zawierającej buforową nanowarstwę SiO₂(Hf i Si) Do analizy widm AES wykorzystano opracowaną procedurę numeryczną, która realizuje odejmowanie tła widma oraz dekompozycję - na bazie algorytmu ewolucyjnego - nakładających się złożonych linii pierwiastków, w badanych przypadkach odpowiednio: O KLL i Cr LMM oraz Hf MNN i Si KLL Na tej podstawie wyznaczono grubość warstw tlenkowych na ok. 5-6 nm.

EN

Element content distribution in passivation nanofilms was examined using Auger electron spectromicroscopy (AES) versus ion sputtering time (Ar⁺): (i) at the 316L stainlees steel surface (O and Cr) and (ii) in the HfO₂/SiO₂/SiC structure containing SiO₂ buffer nanolayer (Hf and Si). Analysis of AES spectra was performed using an elaborated numerical procedure, which realizes the spectrum background subtraction and decomposition - using an evolutionary algorithm - of the overlapping lines in the examined cases of O KLL and Cr LMM as well as Hf MNN and Si KLL, respectively On this basis the passivation layer thickness was determined as about 5...6 nm.

3

Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN

Adamowicz B., Bidziński P., Miczek M., Matys M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

43-45

PL

W pracy przedstawiono teoretyczną analizę wpływu stanów elektronowych na granicy izolator/GaN oraz jakości objętości GaN (czasu życia nośników nadmiarowych) na fotopojemność i fotonapięcie powierzchniowe w spolaryzowanej elektrycznie strukturze metal/izolator/GaN oświetlonej promieniowaniem ultrafioletowym. Obliczenia wykonano korzystając z równań modelu dryftowo-dyfuzyjnego rozwiązywanych metodą elementów skończonych w pakiecie COMSOL Multiphysics. Analizę przeprowadzono pod kątem zastosowania struktury w detekcji ultrafioletu.

EN

The paper contains the theoretical analysis of the influence of electron states at an insulator/GaN mterface and of GaN bulk quality (in terms of carrier lifetime) on photocapacitance and surface photovoltage in the metal/insulator/n-GaN structure under ultraviolet light illumination and under the metal gate bias. The calculations have been done using the equations of the drift-diffusion model solved utilizing finite element method in COMSOL Multiphysics package The results have been analyzed from the viewpoint of the application of the structure for ultraviolet detection.