Chemical shifts in Auger electron spectra versus Ar+ ion sputtering time were analysed for various passivated interfaces, including SiO2(100 nm)/Si, SiO2(40 nm)/4H-SiC structures and native oxide/austenitic stainless steel 316LVM. On this basis, in-depth profiles of chemical composition were determined and the thickness of passivation nanofilms was estimated. Quantitative numerical analysis was performed by means of a developed computer procedure for both the AES spectrum background subtraction and peak decomposition with pseudo-Voigt functions using evolutionary algorithms.
Zbadano rozkład zawartości pierwiastków w nanowarstwach pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera w funkcji czasu trawienia jonowego (Ar⁺): (i) na powierzchni stali nierdzewnej 316L (O i Cr) oraz (ii) w struklurze HfO₂/SiO₂/SiC zawierającej buforową nanowarstwę SiO₂(Hf i Si) Do analizy widm AES wykorzystano opracowaną procedurę numeryczną, która realizuje odejmowanie tła widma oraz dekompozycję - na bazie algorytmu ewolucyjnego - nakładających się złożonych linii pierwiastków, w badanych przypadkach odpowiednio: O KLL i Cr LMM oraz Hf MNN i Si KLL Na tej podstawie wyznaczono grubość warstw tlenkowych na ok. 5-6 nm.
EN
Element content distribution in passivation nanofilms was examined using Auger electron spectromicroscopy (AES) versus ion sputtering time (Ar⁺): (i) at the 316L stainlees steel surface (O and Cr) and (ii) in the HfO₂/SiO₂/SiC structure containing SiO₂ buffer nanolayer (Hf and Si). Analysis of AES spectra was performed using an elaborated numerical procedure, which realizes the spectrum background subtraction and decomposition - using an evolutionary algorithm - of the overlapping lines in the examined cases of O KLL and Cr LMM as well as Hf MNN and Si KLL, respectively On this basis the passivation layer thickness was determined as about 5...6 nm.
W pracy przedstawiono teoretyczną analizę wpływu stanów elektronowych na granicy izolator/GaN oraz jakości objętości GaN (czasu życia nośników nadmiarowych) na fotopojemność i fotonapięcie powierzchniowe w spolaryzowanej elektrycznie strukturze metal/izolator/GaN oświetlonej promieniowaniem ultrafioletowym. Obliczenia wykonano korzystając z równań modelu dryftowo-dyfuzyjnego rozwiązywanych metodą elementów skończonych w pakiecie COMSOL Multiphysics. Analizę przeprowadzono pod kątem zastosowania struktury w detekcji ultrafioletu.
EN
The paper contains the theoretical analysis of the influence of electron states at an insulator/GaN mterface and of GaN bulk quality (in terms of carrier lifetime) on photocapacitance and surface photovoltage in the metal/insulator/n-GaN structure under ultraviolet light illumination and under the metal gate bias. The calculations have been done using the equations of the drift-diffusion model solved utilizing finite element method in COMSOL Multiphysics package The results have been analyzed from the viewpoint of the application of the structure for ultraviolet detection.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.