Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

System automatycznej identyfikacji i śledzenia miejsca wyładunku wysłodków

Wawrzynowicz J., Polowczyk M.

Logistyka

|

2016

|

nr 2

43--47

PL

Istotą systemu SDR jest możliwość zautomatyzowania identyfikacji miejsca rozładunku wysłodków. W artykule przedstawiono zakres działania i wyniki testowania systemu automatycznej identyfikacji i śledzenia miejsca wyładunku oraz dokonano oceny poziomu skuteczności identyfikacji miejsca wyładunku z wykorzystaniem testowanego systemu.

EN

The essence of the SDR system is the ability to automate the identification of the place of loading pulp. The article presents the scope and results of testing of the automatic identification and tracking of the landing location and assessed the effectiveness level of the identification of the place of landing with the use of the system under test.

2

Efektywność zmian w organizacji i logistyce dostaw surowca w cukrowniach (uwagi metodyczne do badań)

Polowczyk M., Baum R.

Logistyka

|

2016

|

nr 5

20--24

PL

Każda wprowadzona lub planowana zmiana w organizacji i logistyce dostaw surowca, również buraków cukrowych do przerobu w cukrowniach, potrzebuje narzędzi pozwalających na ocenę zasadności wdrażanych rozwiązań. Właściwe zarządzanie organizacją i przebiegającymi w niej procesami wymaga wsparcia w postaci odpowiednich metod ich pomiaru oraz efektywności. Dopiero dostęp do jak najszerszej informacji umożliwia prowadzenie pełnej i bieżącej analizy poszczególnych procesów wraz z oceną ich wpływu na pozostałe elementy przedsiębiorstwa. Analiza efektywności to podstawowe narzędzie w kontekście pełnej konkurencyjności działań podejmowanych przez przedsiębiorstwa działające w danej branży. Artykuł prezentuje założenia metodyczne oraz wstępne wyniki badań nad tą problematyką.

EN

Each entered or planned change in the organization and logistics of supplies, including beet sugar factories for processing, needs tools for assessing the validity of the implemented solutions. Proper management of the organization and processes extending it requires support in the form of appropriate methods of measuring and efficiency. Only the widest possible access to information allows carrying out a full and ongoing analysis of individual processes, together with an assessment of their impact on other parts of the company. Effectiveness analysis is a basic tool in the context of fully competitive actions by companies operating in your industry. The paper presents the methodological assumptions and preliminary results of research on this topic.

3

Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET

Kordalski W., Boratyński B., Panek M., Polowczyk M., Zborowska-Lindert I., Ściana B., Szymański K., Woźniak J.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

|

2007

|

T. 14

665-674

PL

Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawiska podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prądy drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie funkcji podziału prądu źródła tranzystora.

EN

An analytical self-consistent DC model of a horizontally split-drain magnetic field-effect transistor (HSD MAG-FET) bas been elaborated. The MAGFET-type sensors ale known and valued because of their high magnetic field sensitivity and high measurement spatial resolution. The proposed model takes into account a phenomenon of the source current division into two drain terminal currents. In the model, a mathematical function of the transistor current splitting, based on the drain currents magnitudes, ID1 and ID2 dependency on the drain bias voltages, VDS1 and VDS2 is introduced and explained.

4

Horizontally-split-drain MAGFET - a highly sensitive magnetic field sensor

Kordalski W., Polowczyk M., Panek M.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2007

|

Vol. 55, nr 3

325-329

EN

We propose a novel magnetic field sensitive semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Magnetic-Field Sensitive Field-Effect Transistor (HSDMAGFET) which can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. Operating principle of the transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE) and is very similar to that of Popovic and Baltes's SDMAGFET. The predicted absolute sensitivity of the new sensor can reach as high value as 1000 V/T Furthermore, due to its original structure, the spatial resolution of the new MAGFET is very high which makes this device especially useful in reading magnetically encoded data or magnetic pattern recognition.

5

XLVII-lecie pracy naukowo-dydaktycznej profesora Romualda Zielonko

Polowczyk M.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

|

2006

|

T. 9

3-6

PL

Przedstawiono biografię naukową oraz przegląd dorobku dydaktycznego i organizacyjnego Profesora Romualda Zielonko, prof. zwyczajnego, byłego Prodziekana ds. Naukowych, aktualnie Kierownika Katedry Metrologii i Systemów Elektronicznych, którego cała działalność zawodowa związana jest z Wydziałem Elektroniki, Telekomunikacji i Infom1atyki Politechniki Gdańskiej.

EN

The scientific biography, as well as review of didactic and organizational achievements of Professor Romuald Zielonko, Full Professor, former Vice-Dean for Science, currently Head of the Department of Metrology and Electronic Systems, whose the whole professional activity is tightly connected with Faculty of Electronics, Telecommunications and Informatics of Gdansk University of Technology, is shortly presented.

6

Sterowane elektrycznie pojemności stosowane w mikroelektronice

Polowczyk M., Kordalski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 2

36-39

PL

Praca prezentuje aktualny stan wiedzy o stosowanych w mikroelektronice elektrycznie sterowanych zmiennych pojemnościach. Omawiana jest budowa i podstawowe charakterystyki trzech rodzajów takich pojemności: diodowych (złączowych), MEMS i BST na podstawie przeglądu publikacji naukowych z lat 1964-2004.

EN

The paper concisely presents current state of knowledge of electrically controllable variable capacitors applied in microelectronics. Structure and basic characteristics of three types of such capacitors - diode's (junction's), MEMS's, and BST's - are described on basis of scientific publications in 1964-2004 years.

7

Nowy, dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego

Kordalski W., Polowczyk M., Czerwiński J., Dzierżko J., Dobrzański L.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

|

2004

|

T. 5

815-824

PL

W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych. Na podstawie wyników pomiarowych dostępnych w literaturze przedmiotu można wykazać, że przewidywana czułość proponowanego czujnika może być ok. 1000 razy większa niż czułość znanych i cenionych czujników wykorzystujących tranzystory MAGFET. Czujnik według nowej konstrukcji ma niezwykle małe wymiary i absorbuje małą moc. Artykuł składa się z krótkiego wstępu, opisu zasady działania nowego czujnika, oszacowania wrażliwości czujnika na pole magnetyczne oraz konkluzji.

EN

A novel, two-drain MOS transistor as a very sensitive magnetic field sensor is proposed. The sensor exploits the galvanomagnetic effect due to the Lorentz force on charge carriers in the transistor channel.

8

50-lecie działalności naukowej profesora Michała Białki

Polowczyk M.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

|

2003

|

nr 2

657--660

9

Tranzystory organiczne

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2003

|

Vol. 44, nr 10

12-16

PL

W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

EN

The paper presents device construction, operation principles and some basic characteristics related to organic field-effect transistors shortly reviewing recent progress in the subject. The paper outlines the organic type TFT and SIT transistors made from easily processable and partially ordered flexible organic materials. The authors give also attention to the birth of the molecular field-effect transistor.

10

Internal friction in FePd alloy during ordering

Klugmann E., Polowczyk M.

Tribologia

|

2002

|

nr 5

1401-1413

EN

Internal friction and the shear modulus defect of disordered by quenching equi-atomic FePd alloy has been investigated during annealing up to 900 K using an inverted torsional pendulum. The internal friction decreases until the Curie point T(c)= 740 K, whereas the shear modulus defect increases, reaching at lower heating rate a subsidiary maximum at T(c) and a main maximum at the critical order-disoder transition point of 814 K. Heating rate dependent effects (eg. shift of the Curie point, changes in the internal friction level and magnetic susceptibility) were observed and are discussed in terms of thermally activated, migrational and structural relaxations leading to atomic order.

PL

Zbadano tarcie wewnętrzne oraz wskaźnik modułu sprężystości postaciowej stechiometrycznego stopu FePd w stanie nieuporządkowanym - uzyskanego w wyniku oziębiania, podczas wyżarzania do 900 K za pomocą odwróconej skręcarki wahadłowej. Tarcie wewnętrzne maleje aż do osiągnięcia punktu Curie (T(c) = 740 K), podczas gdy wskaźnik modułu sprężystości postaciowej wzrasta, osiągając przy najmniejszej prędkości wzrostu temperatury pierwsze maksimum przy temperaturze T(c) i główne maksimum w punkcie przemiany ze stanu nieuporządkowanego w uporządkowany w 814 K. Został zaobserwowany efekt prędkości nagrzewania na punkt Curie, zmiany w poziomie tarcia wewnętrznego oraz podatności magnetycznej. Omówiono termiczną aktywację, migrację oraz relaksację strukturalną prowadzącą do uporządkowania struktury.

11

Półprzewodniki organiczne

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 3

11-14

PL

Przedstawiono podział rodzajowy półprzewodników organicznych (PO). Określono wiązania podwójnie sprzężone oraz π-elektrony, które mają fundamentalne znaczenie w teorii PO. Zaprezentowano panujące obecnie koncepcje przewodnictwa elektrycznego oraz fotoprzewodnictwa PO. Przytoczono informację o zwiększeniu do blisko 100% wydajności kwantowej procesu generacji nośników przez wprowadzenie do donorowego PO fullerenów odgrywających tam rolę akceptorów.

EN

A classification of organic semiconductors (OS) is presented. Conjugated bonds and π-electrons as idea of fundamental meaning in the OS theory are introduced. The actual conceptions of increase up to 100% of the quantum efficiency of photoinduced charge generetion by mixing electron-donor type polymer with fullerenes is quoted.

12

Diamentowe przyrządy półprzewodnikowe

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1999

|

Vol. 40, nr 10

3-8

PL

Przedstawiono możliwości oraz próby wykorzystania diamentu półprzewodnikowego do budowy elementów elektronicznych: rezystorów, termistorów, fotorezystorów, piezorezystorów, hallotronów, diod pn, diod Schottky'ego, diody IMPATT, tranzystorów npn i tranzystorów polowych MESFET oraz MISFET. Rozważania uwzględniające właściwości elektryczne i cieplne diamentu wskazują m.in. na to, że przyrządy diamentowe mogą być wykorzystywane przy ponad 30-krotnie większej częstotliwości i przy ponad 8200 razy większej mocy od przyrządów krzemowych. Ponadto, ze względu na dużą odporność termiczną diamentu, w wielu opracowaniach naukowych przewiduje się możliwość zastosowania przyrządów diamentowych w wysokich temperaturach, rzędu 600°C.

EN

Many efforts to apply the semiconducting diamond for construction of electronic elements: resistors, termistors, photoresistors, piezoresistors, hallotrons, pn diodes, Schottky diodes, IMPATT diodes, npn transistor, MESFETs and MISFETs are reviewed. Considering the possibilities of acceptor and donor doping, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown points, that diamond devices could be used at about 30-times higher frequency and morę then 8200-times power then silicon devices. Exept that, due to high heat resistant of diamond, it is concluded that diamond devices can be used in environment at high temperature, rangę of 600°C.

13

Diament półprzewodnikowy

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

1998

|

Vol. 39, nr 7-8

15-18

PL

Właściwości diamentu jako półprzewodnika krystalicznego o szerokiej przerwie energetycznej przedstawiono w porównaniu do krzemu. W tym kontekście omówiono możliwości domieszkowania akceptorowego i donorowego diamentu, rezystywność elektryczną, przewodność cieplną, wytrzymałość na przebicie i prędkość nasycenia swobodnych elektronów i dziur. Przedstawiono wpływ temperatury, światła, pola magnetycznego i naprężeń mechanicznych na rezystywność i oszacowano wartość piezorezystywności diamentu. Wskazano, że diament jako półprzewodnik domieszkowany ma właściwości atrakcyjne do zastosowań elektronicznych w zakresie wysokich temperatur i dużych mocy cieplnych.

EN

Diamond as semiconducting, wide band gap crystalline material in comparision with silicon is reviewed. The acceptor and donor doping possibilities, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown are discussed. The influence of temperature, light, magnetic field intensity and mechanical strain on electrical resistivity is reported. The range of piezoresistivity of diamond is estimated. It is concluded that diamond as impurity semiconductor can now be considered for a range of high power and heat resistant electronic devices.