Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

ZnO dla fotowoltaiki

Godlewski M., Łuka G., Pietruszka R., Wachnicki Ł., Witkowski B.

Prace Instytutu Elektrotechniki

|

2014

|

Z. 264

5-13

PL

Mimo znaczącej redukcji kosztów paneli fotowoltaicznych (PV), cena energii wytwarzanej przez baterie słoneczne ciągle jest za wysoka. Możliwe są dwie strategie rozwiązania tej sytuacji – (a) podniesienie wydajności konwersji światła w komórkach fotowoltaicznych lub/i (b) obniżenie kosztów paneli PV poprzez zastosowanie tańszych materiałów lub technologii. W referacie omówione są prace mające na celu: (a) zastąpienie zbyt drogiego ITO warstwami ZnO o przewodnictwie metalicznym, (b) uproszczenie konstrukcji komórek PV oraz (c) znalezienie alternatywnych materiałów.

EN

Despite of a large reductions of costs energy produced by solar panels is still too expensive. There are two approaches to change this situation: by (a) increase of device output and/or (b) reduction of device costs by use of cheaper alternative materials. In this article we discuss the latter approach – (a) replacement of ITO by ZnO with metallic conductivity, (b) change of device architecture, and (c) use of alternative materials.

2

Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si

Pietruszka R., Łuka G., Witkowski B. S., Kopalko K., Zielony E., Biegański P., Płaczek-Popko E., Godlewski M.

Prace Instytutu Elektrotechniki

|

2014

|

Z. 264

113-123

PL

Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.

EN

We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.

3

Photoelectrical properties of photovoltaic structures based on CdTe/ZnO

Zielony E., Kamyczek P., Biegański P., Płaczek-Popko E., Pietruszka R., Łuka G., Godlewski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

100-101

EN

The n-type ZnO layers were grown by ALD method on p-type CdTe substrate. I-V characteristics verified rectifying properties of the test ZnO/CdTe solar cell diode and exhibited photovoltaic effect when the junction was exposed to light. The series resistance of the diode, determined from the I-V curves, equals to 36 Ω. Such a high value is responsible for low value of fill factor and efficiency of the solar cell. Photoresponse properties of the studied junction were measured at room temperature. Efficient photoresponse was observed within wavelength range of 400-1000 nm. These results indicate that n-ZnO/p-CdTe junction is suitable for the fabrication of efficient solar cells. It was shown that the thickness of the ZnO layers can be also determined with the help of interference fringes of photoresponse analysis. Further work will involve a better understanding of the properties of window layer and junction formation processes.

4

Technologia Osadzania Warstw Atomowych : zastosowania w elektronice

Godlewski M., Guziewicz E., Łuka G., Gierałtowska S., Krajewski T. A., Wachnicki Ł.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 8

82-84

PL

W pracy omówiony jest postęp w miniaturyzacji tranzystorów polowych w układach scalonych, który zawdzięczamy wprowadzeniu do linii produkcyjnych nowej technologii osadzania warstw dielektryków podbramkowych - technologii Osadzania Warstw Atomowych (ALD). Zalety tej metody są krótko omówione. Omówione są także możliwe zastosowania tlenku cynku w przyrządach elektronicznych.

EN

We describe shortly further progress in miniaturization of field effect transistors in integrated circuits, which was possible due to introduction of a new deposition method (Atomic Layer Deposition, ALD) in produetion lines for deposition of gate oxides. Advantages of the ALD method are shortly summarized. We also discuss possible use of zinc oxide in electronic devices.

5

Optical and electrical characterization of defects in zinc oxide thin films grown by atomic layer deposition

Krajewski T. A., Łuka G., Wachnicki Ł., Jakieła R., Witkowski B., Guziewicz E., Godlewski M., Huby N., Tallarida G.

Optica Applicata

|

2009

|

Vol. 39, nr 4

865-874

EN

In the present paper, we discuss the influence of point defects on electrical and optical characteristics of ZnO thin films grown by the atomic layer deposition (ALD) method. The films were grown on glass substrates at low temperature (100-200 °C). We used diethylzinc (DEZn) and deionized water as precursors. Room temperature photoluminescence (RT PL) spectra, secondary ion mass spectroscopy (SIMS), electron dispersive X-ray (EDX) analysis and Hall effect measurements were made for as-grown ZnO layers and for the annealed ones (in air at 300 and 400 °C as well as in N2 atmosphere at 400 °C). The air-annealed ZnO films reveal a substantial reduction of a carrier concentration (up to 4 orders of magnitude - from 1019 to 1015 cm-3) combined with changes in intensity of the defect-related luminescence bands. PL related to deep defects is shifted towards the lower energy range (red light emission) after annealing (in air and nitrogen-rich conditions).