Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Crystal subdivision patterns of microbands have been extensively reported but mostly by studies on only one section, using either TEM or SEM-EBSD. To better correlate substructure with slip patterns a systematic study of the 3D deformation microstructure in a deformed single crystal (i.e. over the 3 perpendicular surfaces) has been carried out. The microstructure and microtexture evolutions during plane strain deformation of high purity single crystals of Al-0.3%wt.Mn alloy with initial ideal and near-brass{110}<112> orientations were characterised by TEM and high resolution FEG-SEM/EBSD after strains of 0.15 and 0.56. These two different techniques enable one to examine the crystal subdivision deformation pattern at different microscopic scales, on the 3 orthogonal sections, i.e. erpendicular to the nominal <110>, <112> and <111> crystallographic directions. Particular attention is paid to a comparison of the microband orientations with the expected slip traces of the 2 active slip systems on all 3 surfaces. It is concluded that the microband boundary alignment corresponds very well to the traces of the crystallographic {111} planes, on which most of the slip occurs.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych rozwoju tekstury i struktury dyslokacyjnej w nieswobodnie ściskanych monokryształach stopu Al-0.3wag. % Mn o orientacji {110}<112> (idealnej oraz odchylonej ∼3° od położenia idealnego, droga obrotu dookoła kierunku wypływania), na trzech wzajemnie prostopadłych przekrojach. Badania zmian struktury dyslokacyjnej prowadzono z wykorzystaniem elektronowej mikroskopii transmisyjnej (TEM) i skaningowej (SEM) a zmian teksturowych z wykorzystaniem technik pomiaru orientacji lokalnych w TEM i SEM wyposażonego w działo o emisji polowej, dla dwu stopni odkształcenia, tj. 0.15 i 0.56 (odkształcenie logarytmiczne). Obydwie zastosowane techniki umożliwiają analizę formowania się struktury dyslokacyjnej i procesu jej fragmentacji wraz z odkształceniem na trzech ortogonalnych przekrojach, prostopadłych do kierunków krystalograficznych <110>, <112> oraz <111>. Szczególną uwagę zwrócono na porównanie usytuowania przestrzennego struktury mikropasm z usytuowaniem aktywnych sladów poślizgów na trzech wzajemnie prostopadłych przekrojach. Stwierdzono, że dyslokacyjne granice mikropasm bardzo dobrze korespondują z usytuowaniem śladów dwu płaszczyzn {111} na których działają dwa najbardziej uprzywilejowane systemy poślizgu.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.