Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Sodium and cerium co-doped Bi4Ti2.86W0.14O12 ceramics abided by the formula (Na0.5Ce0.5)xBi4-xTi2.86W0.14O12 (abbreviated as NC100x-BITW, x = 0-0.12) were prepared by solid state reaction method. The effect of (Na0.5Ce0.5) addition on the structure and electrical properties of the ceramics was investigated. XRD results indicated that the NC100x-BITW ceramics possess a pure three-layer Aurivillius-type structure. (Na0.5Ce0.5) addition first increases and then decreases the grain size which can be observed by scanning electron microscopy. With the increase of (Na0.5Ce0.5) addition, the Curie temperature (Tc) was gradually decreased from 632 C to 595 C. The piezoelectric properties can be enhanced while the dielectric loss decreased after (Na0.5Ce0.5) addition, and the optimal properties were obtained as follows when x = 0.06: d33 = 21.1 pC/N, kp = 7.2%, Qm = 4978, εr =147 (@100 kHz), tanδ = 0.27% (@100 kHz), Tc =614 C and resistivity of 4.3•108 Ω•cm at 500 C, suitable for high temperature sensing applications.
PL
Ceramikę Bi4Ti2.86W0.14O12 domieszkowaną sodem i cerem wytworzono zgodnie ze wzorem (Na0.5Ce0.5)xBi4-xTi2.86W0.14O12 (w skrócie NC100x-BITW, x = 0-0,12) metodą reakcji w fazie stałej. Zbadano wpływ dodatku (Na0,5Ce0,5) na budowę i właściwości elektryczne ceramiki. Wyniki XRD wykazały, że ceramika NC100x-BITW ma czystą, trójwarstwową strukturę typu Aurivilliusa. Dodanie (Na0,5Ce0,5) najpierw zwiększa, a następnie zmniejsza rozmiar ziarna, co można zaobserwować za pomocą skaningowej mikroskopii elektronowej. Wraz ze wzrostem dodatku (Na0,5Ce0,5) temperatura Curie (Tc) stopniowo obniżała się z 632 C do 595 C. Właściwości piezoelektryczne można poprawić, podczas gdy stratę dielektryczną zmniejszyć po dodaniu (Na0,5Ce0,5) i następujące optymalne właściwości uzyskano, gdy x = 0,06: d33 = 21,1 pC/N, kp = 7,2%, Qm = 4978, εr = 147 (@ 100 kHz), tgδ = 0,27% (@ 100 kHz), Tc = 614 C i rezystywność 4,3•108 Ω•cm przy 500 C, odpowiednie do zastosowań z czujnikami wysokotemperaturowymi.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.