Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The study of thermal connecting of telecommunication optical fibers (SiO2: GeO2) and EDF (SiO2: Al2O3, Er) fibers

Ratuszek M., Ratuszek M. J., Hejna J.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2013

|

Vol. 61, nr 1

279-286

EN

This paper presents the research on optimization of the splicing process in the electric arc of telecommunication optical fibers and erbium doped EDF fibers. The results of the calculations of diffusion coefficients GeO2 in telecommunication optical fibers and diffusion coefficients Er and Al2O3 (together) in the fiber EDF are presented. Diffusion coefficients were determined for the fusion temperature in the electric arc ?2000°C, on the basis of changes, along the splice, of spliced thermoluminescence intensity profiles of the fibers. On the basis of knowledge of diffusion coefficients simulation calculation of loss joints of MC SMF fiber (Matched Cladding Single Mode Fiber - SiO2: GeO2) and NZDS SMF (Non Zero Dispersion Shifted - Single Mode Fiber - SiO2: GeO2) with EDF (Erbium Doped Fiber - SiO2: Al2O3, Er) was performed and presented as a function of diffusion time. Experimental studies of optimization of thermal connected MC SMF and NZDS SMF with EDF were presented and compared with theoretical results. This paper presents the results of microscopic observations of defects and diffusion, and X-ray microanalysis in the spliced areas of single-mode telecommunication optical fibers: MC SMF, NZDS-SMF and erbium doped active single mode optical fibers. Studies were performed with the use of the scanning electron microscope JSM5800LV and JSM6610A microscope equipped with EDS X-ray spectrometer. Results showing the influence of heating time on the diffusion of core dopants and the formation of deformations in the splice areas were presented.

2

Detektory elektronów w elektronowych mikroskopach skaningowych wysoko próżniowych

Hejna J.

Prace Naukowe Instytutu Materiałoznawstwa i Mechaniki Technicznej Politechniki Wrocławskiej. Monografie

|

2010

|

Vol. 66, nr 27

3-215

PL

Omówiono detektory elektronów stosowane w elektronowych mikroskopach skaningowych w warunkach wysokiej próżni w komorze preparatowej. Przedstawiono detektory przeznaczone do otrzymywania kontrastu topograficznego i materiałowego. Główny nacisk położono na detektory elektronów rozproszonych wstecznie, przeznaczone do otrzymywania kontrastu topograficznego. Podano rozwiązania konstrukcyjne, analiz: działania, wyniki test6w eksperymentalnych oraz zastosowania detektorów. Przedyskutowano wpływ rodzaju zbieranych elektron6w (wtórych lub rozproszonych wstecznie), rodzaju elementu detekcyjnego (scyntylator, dioda półprzewodnikowa, powielacz elektronowy), usytuowania detektora w komorze mikroskopu, efektywności zbierania elektronów wyemitowanych z próbki oraz cech powierzchni próbki na sygnał detektora. Opisano metody stosowane podczas projektowania i optymalizacji detektorów, a mianowicie metod;: Monte Carlo do symulacji rozproszenia elektron6w w próbce i obliczania sygnałów detektorów oraz metody testów doświadczalnych. Przedstawiono wyniki obliczeń elektronooptycznych, wyniki obliczeń sygnałów oraz wyniki testów dla różnych próbek i różnych detektorów. Przedstawiono sposób obliczania oraz wyniki pomiar6w wsp6lczynnika szumów różnych detektorów. Głównym kierunkiem badan autora było opracowanie nowych detektorów kontrastu topograficznego wykorzystujących elektrony rozproszone wstecznie wyemitowane z próbki pod małymi kątami w stosunku do powierzchni. Wyniki testów pokazują, że nowe detektory zapewniają uzyskanie wysokiego poziomu kontrastu topograficznego w obrazach mikroskopowych, zarówno w zakresie elektronowej mikroskopii skaningowej standardowej (napięcie przyspieszające wyższe od 5 kV), jak i niskonapięciowej (napięcie przyspieszające niższe od 5 kV).

EN

Electron detectors used in scanning electron microscopes with high vacuum in the specimen chamber are described. Detectors used for obtaining topographic and material contrast are presented, electron detectors of backscattered electrons used for obtaining topographic contrast are emphasized. Construction solutions, functional analysis, results of experimental tests and applications of detectors are presented. A dependence of the detector signal on the type of collected electrons (secondary or backscattered electrons), on the type of a detection element (scintillator, semiconductor diode, electron multiplier), on position of the detector in a microscope chamber, on efficiency of collection of electrons emitted from the specimen surface and on specimen surface features is discussed. Methods used in a stage of design and optimization of the detector, i.e. Monte Carlo method of simulation of electron scattering in the specimen and computation of detector signals and methods of experimental tests are described. Results of electro-optical and signal computations and results of experimental tests for different specimens and different detectors are presented. A method of computation of detector noise coefficient and results of its measurements for different detectors is presented. The main direction of author's research was development of new topographic contrast detectors utilizing backscattered electrons emitted at low angles in respect to the specimen surface. Tests results show, that new detectors enable to obtain high level of topographic contrast in micrographs, in the range of standard scanning electron microscopy (accelerating voltage higher than 5 kV), as well as in the range of low voltage scanning electron microscopy (accelerating voltage lower than 5 kV).

3

Scanning electron microscopy examination of telecommunication single mode fiber splices

Hejna J., Ratuszek M., Majewski J., Zakrzewski Z.

Optica Applicata

|

2003

|

Vol. 33, nr 4

583-589

EN

Longitudinal sections of fused splices of different telecommunication single mode fibers were prepared and examined by scanning electron microscopy (SEM). Splices were examined for diffusion of dopant elements and for the presence of an intermediate zone. Observations in the material contrast mode obtained with backscattered electrons and X-ray microanalysis with the use of an energy dispersive spectrometer were made. Material contrast provides much better imaging of fiber cores than X-ray microanalysis and it was chosen for further studies. SEM micrographs show low amount of diffusion and good coupling of cores in splices under examination. No visible intermediate zone has been found in splices of the same fibers or fibers with similar cores. In splices of fibers with different core diameters and/or different dopant distribution the transition between cores is smooth with no visible widening of cores.