Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

3 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Equivalent circuits for FeCoZr-Al2O3 nanocomposite films deposited in argon and argon-oxygen atmospheres deposited in argon and argon-oxygen atmospheres

Koltunowicz T., Zhukovski P., Bury P., Larkin A., Fedotova J., Fedotov A.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

R. 88, nr 4a

93-95

The investigation of the equivalent circuits for granular nanocomposite films was performed according to the method of the impedance spectroscopy. The films, consisted of the Fe0.45Co0.45Zr0.10 ferromagnetic alloy nanoparticles embedded into amorphous dielectric alumina matrix, were deposited in pure argon or argon and oxygen mixture. The temperature dependences of active and reactive components in the equivalent circuits for the (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposite films are compared and analyzed. The presence of the inductive part in the equivalent circuits for the samples deposited in Ar gas below and beyond percolation threshold is shown. It is revealed that the equivalent circuits of the (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposites produced in argon + oxygen gas mixture show more strong inductive contribution than ones sputtered in pure argon.

Przeprowadzono badania układów zastępczych ziarnistych nanokompozytowych warstw zgodnie z wymaganiami metody spektroskopii impedancyjnej. Warstwy, złożone z ferromagnetycznych stopów nanocząstek Fe0,45Co0,45Zr0,10 osadzonych w amorficznym podłożu dielektrycznym, zostały wytworzone w atmosferze czystego argonu lub mieszaninie argonu i tlenu. Dokonano analizy porównawczej temperaturowych zależności składowej czynnej i biernej w układach zastępczych nanokompozytowych warstw (Fe0,45Co0,45Zr0,10)x(Al2O3)(1-x). W przypadku próbek powyżej oraz poniżej progu perkolacji wytworzonych w atmosferze argonu wykazano obecność składowej indukcyjnej w układzie zastępczym. Zaobserwowano również, że układy zastępcze nanokompozytów (Fe0,45Co0,45Zr0,10)x(Al2O3)(1-x) wytworzonych w atmosferze mieszaniny argonu i tlenu charakteryzują się znacznie silniejszym udziałem indukcyjności w porównaniu z warstwami naniesionymi w atmosferze czystego argonu.

Super-hard covering formation on metals by ion-beam assisted deposition: modeling

Komarov F., Komarov A., Mironov A., Zhukovski P., Karwat C., Aryutkin K.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 7

326-328

Theoretical model of the process of the ion-assisted deposition of titanium layers on the metal substrate is developed. The model allows us to make a choice of the optimal ion beam energy, the ion current density, and the rate of layer deposition in order to improve the tribological and mechanical properties of the system film/metal. Results of the modeling are compared with experimental data.

W pracy przedstawiono model teoretyczny procesu dynamicznego mieszania jonowego warstw tytanu na podłoża metaliczne. Model umożliwia określenie optymalnych wartości energii jonów, gęstości prądu jonowego i szybkości osadzania warstwy w celu poprawy właściwości trybologicznych i mechanicznych układu warstwa-podłoże. Wyniki symulacji porównano z danymi doświadczalnymi.

AFM, ESR and optic study of Sb+ ions implanted photoresist

Azarko I., Bumai J., Volobuev V., Zhukovski P., Lukashevich M., Odzhaev V.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 7

270-271

Structure, electron spin resonance and reflection coefficient in thin films (1.8 �Ęm) of photoresist implanted by 60 keV antimony ions have been investigated in the fluence range 1x1015 . 5x1016 cm-2. Formation carbonized layer at critical fluence 5x1016 cm-2 have been observed. Thickness of implanted layer determined as 0.27- 0.39 �Ęm and refraction coefficient changes in the range 2.4 . 3.4 depending on fluence implantation.

Badano strukturę, elektronowy rezonans spinowy oraz współczynnik odbicia cienkich powłok fotorezystu implantowanego jonami antymonu o energii 60 keV dawkami w zakresie 1x1015 – 5x1015 cm-2. Przy dawce krytycznej 5x1015 cm-2 zaobserwowano powstawanie warstwy osadu węgłowego. Określono grubość warstwy implantowanej: 0.27- 0.39 .m oraz zmiany współczynnika odbicia – w zakresie 2,4 - 3,4 w zależności od dawki implantacji.