Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Dział IV – ocena ryzyka zawodowego

Pawłowska E., Strąk P., Sypniewski M.

Promotor BHP

|

2016

|

nr 9

58--60

PL

Ocena ryzyka zawodowego jest procesem dość skomplikowanym, stanowiącym ważne narzędzie w kształtowaniu kultury bezpieczeństwa i higieny pracy, a także jednym z obowiązków pracodawcy. Dobre zrozumienie celu oceny ryzyka zawodowego oraz zapoznanie z odpowiednimi przepisami daje gwarancję sporządzenia dokumentu, który będzie stanowił nieocenione wsparcie każdego pracodawcy oraz behapowca.

2

Dział II – Instrukcje

Pawłowska E., Strąk P., Sypniewski M.

Promotor BHP

|

2016

|

nr 6

60--61

PL

Do utworzenia „dobrej” instrukcji bhp potrzeba trochę czasu, wiedzy, dokumentacji technicznej, znajomości występujących warunków pracy oraz woli i chęci. Jednak życie pokazuje, że i w tej kwestii behapowcy muszą mierzyć się w swojej pracy z licznymi absurdami. Jakimi? O tym w niniejszym materiale – zapraszamy!

3

Dział I – Szkolenia

Pawłowska E., Strąk P., Sypniewski M.

Promotor BHP

|

2016

|

nr 5

44--45

PL

Poniższy materiał powstał, ponieważ życie dostarcza przykładów, z których wynika, że nawet proste zadania mogą przerosnąć zwykłego behapowca i sprawić dużo trudności. Zdarzają się wówczas sytuacje zabawne, ale i szkodliwe. Niniejszy materiał został przygotowany w celu odświeżenia zadań służby bhp i dodania wartości służbie bhp jako służbie kompetentnej i godnej zaufania. W materiale została zwrócona uwaga nie na osoby, ale na zachowania, które trwale podważają istotną rolę służby bhp wypracowywaną przez rzetelnych behapowców.

4

Modelowanie ab initio powierzchni GaN(OOO1) za pomocą metody funkcjonału gęstości (DFT)

Krakowski S., Kempisty P., Strąk P.

Postępy Fizyki

|

2010

|

T. 61, z. 2

68-76

PL

Omówiono stan i znaczenie badań powierzchni GaN (0001) dla rozwoju podstaw fizycznych azotkowych technologii optoelektronicznych. Sposoby modelowania powierzchni za pomocą metody DFT w tym jej sformułowanie i zastosowanie do modelu slabu powierzchni GaN (0001) zostały pokrótce wyjaśnione. Przedstawiono podstawy modelowania wpływu domieszkowania półprzewodnika na własności powierzchni poprzez kontrolę elektrycznych pól przypowierzchniowych. Omówiono wyniki dotyczące czystej powierzchni GaN(OOOl), w tym jej strukturę i własności elektronowe. Wyjaśniono występowanie zjawiska Starka stanów powierzchniowych (Surface States Stark Effect - SSSE) i jego wpływ na energie stanów powierzchniowych i zagięcie pasm przy powierzchni. Wykazano, że pinning stanów powierzchniowych może zachodzić przy ich zmianie energii względem energii pasmowych. Ponadto omówiono modele adsorpcji równowagowy i kinetyczny na przykładzie adsorpcji wodoru i azotu. Wykazano, że modele te dają spójny obraz powierzchni GaN (0001) w metodach metodach wzrostu przy użyciu amoniaku - powierzchnia ta jest pokryta rodnikami NH2.

EN

The present state and the importance of the investigations of GaN(OOOl) surface for the development of physical foundations of nitride optoelectronic technologies are discussed. Surface modeling techniques by DFT method, including its formulation and application to slab models of GaN (0001) surface are shortly explained. The foundations of the simulation of the influence of doping of bulk semiconductors on surface properties by electric subsurface field control are introduced. The results concerning clean GaN (0001) surface, including its structure and electronic properties are discussed. The existence of Surface States Stark Effect (SSSE) and its influence on the energy of surface states energy and band bending is explained. It was shown that Fermi energy pinning occurs at the change of the relative energies of surface and band states. Additionally, the models of the adsorption: equilibrium and kinetic was discussed on example adsorption of hydrogen and nitrogen. It was proved that these models give coherent picture of GaN (0001) surface in ammonia based growth methods - the surface is covered by NH2 radicals.