Ograniczanie wyników
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
In this paper, simulation studies on an N+−InAs0.61Sb0.13P0.26/n0−InAs0.97Sb0.03/P+−InAs0.61Sb0.13P0.26 double heterostructure laser diode suitable for use as a source in a free space optical communication system at 3.7 μm at room temperature has been presented. The device structure has been characterized in terms of energy band diagram, electric field profile, and carrier concentration profile using ATLAS simulation tool from Silvaco. The current-voltage characteristics of the structure have been estimated taking into account the degeneracy effect. The results of simulation have been validated by the reported experimental results.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.