PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Photoresistor based on ZnO nanorods grown on a p-type silicon substrate
Witkowski B. S, Pietruszka R., Gieraltowska S., Wachnicki L., Przybylinska H., Godlewski M.
Opto-Electronics Review
|
2017
|
Vol. 25, No. 1
15--18
EN
In this work we discuss a method of preparation of a highly sensitive light detector based on ZnO nanorods. A photoresistor constructed by us is based on a heterojunction between high quality ZnO nanorods and high resistivity p-type Si used as a substrate for nanorods’ deposition. ZnO nanorods are grown by a modified version of a microwave assisted hydrothermal method which allows for growth of high quality ZnO nanorods in a few minutes. The obtained photoresistor responds to a wide spectral range of light starting from near infrared (IR) to ultraviolet (UV). Properties of the detector are evaluated. We propose the use of the detector as an optical switch.
2
Content available remote Parametry konwersji fotowoltaicznej dla fotoogniw plazmonicznych na bazie ZnO z nanocząstkami srebra i złota
Gwóźdź K., Płaczek-Popko E., Zielony E., Gumienny Z., Pietruszka R., Witkowski B. S., Kopalko K., Godlewski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 9
36--38
PL
W pracy zbadano struktury fotowoltaiczne na bazie nanosłupków tlenku cynku pokrytych warstwą ZnMgO, a następnie warstwą ZnO:Al (AZO). Nanosłupki zostały wytworzone na podłożu krzemowym i pokryte nanocząstkami złota lub srebra. Z pomiarów transmisji i odbicia wywnioskowano, że próbki z nanocząstkami srebra odbijają znaczną ilość światła w zakresie widzialnym, co powoduje spadek wydajności kwantowej w tym zakresie. W podczerwieni próbki z nanocząstkami mają wyższą wydajność kwantową niż próbka referencyjna bez nanocząstek. Stwierdzono, że próbka z nanocząstkami złota ma najwyższą wydajność kwantową w całym zakresie czułości 400-800 nm. Ponadto jej sprawność osiąga również najwyższą wartość – 5,79%.
EN
In this article photovoltaic structures based on ZnO nanorods covered with ZnMgO and ZnO:Al (AZO) layers were studied. The nanorods were grown on sillicon and covered with gold or silver nanoparticles. From the transmission and reflection measurments it was concluded that the samples with silver nanoparticles reflect more light in the visible spectra, which cause the decrease in external quantum efficiency for this wavelength range. In the infrared range the samples with nanoparticles have higher external quantum efficiency than the referance sample without the nanoparticles. It was also concluded, that the sample with gold nanoparticles have the highest external quantum efficiency in the wavelength range from 400-800 nm. Furthermore, the sample has the highest efficiency – 5.79%.
3
Content available Si/ZnO nanorods with Ag nanoparticles/AZO heterostructures in PV applications
Gwóźdź K., Płaczek-Popko E., Gumienny Z., Zielony E., Pietruszka R., Witkowski B. S., Wachnicki Ł., Gierałtowska S., Godlewski M., Chang L. B.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2016
|
Vol. 64, nr 3
529--533
EN
Our studies focus on test structures for photovoltaic applications based on zinc oxide nanorods grown using a low-temperature hydrothermal method on a p-type silicon substrate. The nanorods were covered with silver nanoparticles of two diameters – 20–30 nm and 50–60 nm – using a sputtering method. Scanning electron microscopy (SEM) micrographs showed that the deposited nanoparticles had the same diameters. The densities of the nanorods were obtained by means of atomic force microscope (AFM) images. SEM images and Raman spectroscopy confirmed the hexagonal wurtzite structure of the nanorods. Photoluminescence measurements proved the good quality of the samples. Afterwards an atomic layer deposition (ALD) method was used to grow ZnO:Al (AZO) layer on top of the nanorods as a transparent electrode and ohmic Au contacts were deposited onto the silicon substrate. For the solar cells prepared in that manner the current-voltage (I-V) characteristics before and after the illumination were measured and their basic performance parameters were determined. It was found that the spectral characteristics of a quantum efficiency exhibit an increase for short wavelengths and this behavior has been linked with the plasmonic effect.
4
Content available remote Opracowanie efektywnych metod domieszkowania warstw ZnO glinem w procesie ALD i optymalizacja tych warstw
Pietruszka R., Luka G, Witkowski B. S., Wachnicki Ł., Gieraltowska S, Stapiński T., Marszałek K., Godlewski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 10
203-205
PL
Warstwy tlenku cynku domieszkowanego atomami glinu ZnO:Al były wzrastane metodą osadzania warstw atomowych (ALD, z ang. A-atomic, L-layer, D-deposition). Na szklanych podłożach osadzono warstwy ZnO:Al (tzw. warstwa AZO) o grubości 200 nm. Temperatura osadzania warstwy AZO była równa 160 oC. Najlepsze parametry elektryczne oraz krystalograficzne otrzymano używając dwóch wysoko reaktywnych prekursorów cynku i glinu. Użyto diethylzinc jako prekursor cynkowy oraz trimethylaluminum jako prekursor glinowy. Otrzymane struktury wykazały wysoką transmisję oraz niskie rezystywności rzędu 10-3 Ωcm. Po optymalizacji procesu wzrostu warstw ZnO:Al testowano je jako przezroczyste elektrody do zastosowań fotowoltaicznych.
EN
We achieved high conductivity of zinc oxide layers doped with aluminum atoms using atomic layer deposition (ALD) method. Their growth mode, electrical and optical properties have been investigated. We discuss how the growth temperature and doping affect resistivity and optical properties of the films. The obtained resistivities of ZnO:Al thin films ( 1.2x10-3 Ωcm) and high transparency make them suitable for the TCO applications in photovoltaics.
5
Content available ZnO dla fotowoltaiki
Godlewski M., Łuka G., Pietruszka R., Wachnicki Ł., Witkowski B.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2014
|
Z. 264
5-13
PL
Mimo znaczącej redukcji kosztów paneli fotowoltaicznych (PV), cena energii wytwarzanej przez baterie słoneczne ciągle jest za wysoka. Możliwe są dwie strategie rozwiązania tej sytuacji – (a) podniesienie wydajności konwersji światła w komórkach fotowoltaicznych lub/i (b) obniżenie kosztów paneli PV poprzez zastosowanie tańszych materiałów lub technologii. W referacie omówione są prace mające na celu: (a) zastąpienie zbyt drogiego ITO warstwami ZnO o przewodnictwie metalicznym, (b) uproszczenie konstrukcji komórek PV oraz (c) znalezienie alternatywnych materiałów.
EN
Despite of a large reductions of costs energy produced by solar panels is still too expensive. There are two approaches to change this situation: by (a) increase of device output and/or (b) reduction of device costs by use of cheaper alternative materials. In this article we discuss the latter approach – (a) replacement of ITO by ZnO with metallic conductivity, (b) change of device architecture, and (c) use of alternative materials.
6
Content available Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si
Pietruszka R., Łuka G., Witkowski B. S., Kopalko K., Zielony E., Biegański P., Płaczek-Popko E., Godlewski M.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2014
|
Z. 264
113-123
PL
Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.
EN
We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.
7
Photoelectrical properties of photovoltaic structures based on CdTe/ZnO
Zielony E., Kamyczek P., Biegański P., Płaczek-Popko E., Pietruszka R., Łuka G., Godlewski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 6
100-101
EN
The n-type ZnO layers were grown by ALD method on p-type CdTe substrate. I-V characteristics verified rectifying properties of the test ZnO/CdTe solar cell diode and exhibited photovoltaic effect when the junction was exposed to light. The series resistance of the diode, determined from the I-V curves, equals to 36 Ω. Such a high value is responsible for low value of fill factor and efficiency of the solar cell. Photoresponse properties of the studied junction were measured at room temperature. Efficient photoresponse was observed within wavelength range of 400-1000 nm. These results indicate that n-ZnO/p-CdTe junction is suitable for the fabrication of efficient solar cells. It was shown that the thickness of the ZnO layers can be also determined with the help of interference fringes of photoresponse analysis. Further work will involve a better understanding of the properties of window layer and junction formation processes.
8
Content available remote Woltomierz próbkujący z analizą harmonicznych w środowisku LaWiew
Podlejski K., Pietruszka R.
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
|
2007
|
Vol. 60, nr 27
388-396
PL
W artykule opisano woltomierz próbkujący zrealizowany przy wykorzystaniu systemu LaWiew. Wykonano woltomierz z wejściową kartą pomiarową oraz typowy woltomierz wirtualny opracowany w prezentowanym środowisku graficznym. Oba woltomierze umożliwiają pomiar wartości wybranych wielkości charakteryzujących napięciowe przebiegi elektryczne a także analizę harmonicznych przebiegów odkształconych. Uzyskane wyniki pomiarów są prezentowane w postaci przebiegów czasowych i w dziedzinie częstotliwości, danych tabelarycznych i wykresów. Możliwa jest obserwacja powiększonych, wybranych fragmentów obserwowanych przebiegów ich rejestracja oraz transfer danych do programu Excel. Woltomierz może być wykorzystany także w dydaktyce cyfrowego przetwarzania sygnałów.
EN
The sampling voltmeter with the harmonic analyzer (FFT algorithm) and the sampling oscilloscope and recorder function has been designed using LabWIEW platform. Two different models were built: one with the measurement card and the second one that virtual standard oscillators. The voltmeter allows the user to transfer the data into an Excel spreadsheet for measurements while the other one can be used either for measurements or teaching purposes in a field of digital of digital signal processing.
9
Content available remote Podstawowe składniki myjące szamponów
Olszańska M., Ogonowski J., Pietruszka R.
Chemik
|
2002
|
Vol. LV, nr 8
243-247
PL
Praca jest częścią cyklu poświęconego omówieniu zagadnień związanych z właściwościami użytkowymi szamponów. Prezentowany tekst dotyczy budowy włosa, funkcji szamponu oraz charakterystyki podstawowych składników myjących szamponów.
EN
This paper is the first one of a series to be followed to discuss problems connected with the performance of shampoos. The next presented relates to hair structure, shampoo functioning and performance of basic wash igredients for shampoos.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.