PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Uszkodzenia półprzewodnikowych przyrządów mocy w warunkach eksploatacyjnych
Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Zymmer K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 5
55-60
PL
Analiza uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy (PPM) daje wartościowe informacje niezbędne do racjonalnego projektowania urządzeń energoelektronicznych. Omówiono różnice w mechanizmach uszkodzeń PPM-ów i przyrządów sygnałowych. Przedstawiono podstawowe przyczyny uszkodzeń diod prostowniczych, tyrystorów konwencjonalnych SCR, tyrystorów wyłączalnych GTO i tranzystorów IGBT. Naświetlono procesy zmęczeniowe spowodowane narażeniami emperaturowo - mechanicznymi. Rozważania zilustrowano przykładowymi fotografiami zniszczonych PPM-ów.
EN
The failure analysis of power semiconductor devices (PSD) is valuable information to make some necessary converter circuit correction. Differences between PSD and signal device failures are described. Main failure mechanisms of rectifier diodes, SCR thyristors, GTO thyristors and IGBT transistors are discussed. Failures due a thermal fatigue are given as well. Selected results with example photos of PSD destroyed surfaces are presented. Application of an expert system for the PSD failure analysis is also discussed.
2
Content available remote Pomiar prądu dotykowego i prądu w przewodzie ochronnym urządzeń energoelektronicznych
Kociszewska-Szczerbik M., Pytlak A., Sakowicz S., Świątek H., Zakrzewski Z.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2001
|
Z. 207
189-202
PL
W artykule omówiono zagadnienia dotyczące prądu dotykowego i prądu w przewodzie ochronnym w stanie normalnej pracy. Przeprowadzono analizę możliwości pomiaru prądu dotykowego i prądu w przewodzie ochronnym w urządzeniach energoelektronicznych na podstawie wytycznych normy IEC 60990. Przeprowadzono badania prądu dotykowego i prądu w przewodzie ochronnym łączącym silnik 1 MW z przekształtnikiem.
EN
The touch current and protective conductor current in normal operation of equipment are discused in the paper. Analysis of possibility measurement of touch current and protective conductor current in the power electronic equipment on the base of Standard IEC 60990 are given. Measurement of touch current and protective conductor current between converter and motor 1 MW are presented in the paper.
3
Content available remote Koordynacja izolacji w układach energoelektronicznych
Kociszewska-Szczerbik M., Pytlak A., Sakowicz S., Świątek H.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2001
|
Z. 207
153-174
PL
W artykule dokonano przeglądu zagadnień dotyczących koordynacji izolacji w układach energoelektronicznych w oparciu o normy międzynarodowe.
EN
With reference to Electrotechnical Standards the review of problems of insulation coordination was discussed in this paper.
4
Content available remote 45 lat badań przyrządów energoelektronicznych w Instytucie Elektrotechniki
Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Zabłocki Z., Zymmer K.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2001
|
Z. 209
87-140
PL
Przedstawiono specyfikę metrologii przyrządów energoelektronicznych, tworzenie bazy laboratoryjnej oraz pierwsze badania diod i tyrystorów. Omówiono wieloletnią współpracę z Zakładami Elektronowymi LAMINA wynikającą z produkcji półprzewodników oraz związaną z wdrażaniem i rozwojem zakupionej w firmie WEC (USA) licencji na diody i tyrystory. Zaprezentowano stanowiska pomiarowe opracowane i wykonane dla potrzeb przemysłu i diagnostyki eksploatacyjnej. Podano metody i wyniki badań wytrzymałości eksplozyjnej przyrządów energoelektronicznych oraz problemy ich niezawodności. Przedstawiono działalność normalizacyjną, publikacje, współpracę z uczelniami i szkolenie pracowników przemysłu. Naświetlono przyczyny obecnego braku zainteresowania wynikami prac rozwojowych w dziedzinie energoelektroniki.
EN
Specific problems of power electronic device metrology, creation of laboratory base, and first diode and thyristor investigations are presented. Many years cooperation with Electronic Works LAMINA - semiconductor device producer - implementation and development of the diode and thyristor licence obtained from WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION (USA) are discussed. Measuring stands designed and made for industry and service are presented. Methods and test results of semiconductor device explosion strength and their reliability problems are given. Standarization activity, publications, cooperation with universities of technology as well as training of industry staff are discussed. Reasons of today's lack of interst in results of research and development work in the field of power electronics are given.
5
Uszkodzenia tranzystorów IGBT dużej mocy w warunkach eksploatacyjnych
Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
nr 1
19-22
PL
Scharakteryzowano wysokonapięciowe i wielkoprądowe przyrządy półprzewodnikowe. Opisano specyficzne właściwości konstrukcji modułów z tranzystorami IGBT. Omówiono mechanizmy uszkodzeń tranzystorów IGBT oraz podano przykłady uszkodzeń.
EN
Characteristics of high-voltage and heavy-current semiconductor devices. Specific features of the units of modules with IGBT transistors. Mechanisms and examples of damages to IGBT transistors.
6
Inteligentne energoelektroniczne układy scalone
Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
nr 7
335-342
PL
Przedstawiono układy Smart Power, wykonane przy zastosowaniu technologii monolitycznej i hybrydowej, oraz przyrządy energetyczne w układach scalonych mocy. Scharakteryzowano nowe materiały półprzewodnikowe stosowane w produkcji przyrządów dyskretnych. Omówiono zastosowanie energoelektronicznych układów scalonych.
EN
Smart Power circuits made in monolithic and hybrid technologies; power devices in power integrated circuits. Characteristic of new semiconductor materials used for production of discrete instruments. Applications of power electronic integrated circuits.
7
Content available remote Wpływ uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy na bezpieczeństwo urządzeń energoelektronicznych
Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Pytlak A., Świątek H., Zymmer K.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
1999
|
Z. 203
215-234
PL
Omówiono mechanizmy uszkodzeń pólprzewodnikowych przyrządów mocy w przekształtnikach eksploatowanych w ciężkich warunkach przy częstych i nagłych zmianach obciążeń prądowych. Dokonano oceny konstrukcji obudów z punktu widzenia ich wytrzymałości zwarciowej. Przedstawiono konsekwencje uszkodzeń przyrządów półprzewodnikowych w przekształtnikach. Opisano zagrożenia zwarciowe i środki zapobiegawcze w układach energoelektronicznych. Podano cechy bezpiecznych przekształtników i omówiono zasady koordynacji zabezpieczeń przetężeniowych w urządzeniach energoelektronicznych średniej i dużej mocy.
EN
Power semiconductor device failure mechanisms in converter operation dealing with heavy service conditions with often and sudden changes of current loads are discussed. A valuation of package design from its short circuit strength point of view is analysed. Semiconductor device failure condequences in converter circuit are given. Short circuit hazards and preventive means in power electronic systems are described. Safety converter circuit features are discussed. Principles of overcurrent protection coordination in medium and high power electronic equipment are presented.
8
Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS
Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1998
|
nr 6
354-363
PL
Scharakteryzowano rodzaje i ogólne właściwości tyrystorów polowych.Omówiono tyrystory sterowane bramkami MOS (MCT), z przełączanym emiterem (EST) oraz sterowane rezystancją bazy (BRT). Przedstawiono zalety i wady tyrystorów polowych oraz perspektywy ich rozwoju.
EN
Kinds and general properties of field-effect thyrystors are characterized Discussed are MOS-gate controlled thyristors (MCT), emitter-switch thyristors (EST) and base-resistance controlled thyristors (BRT). Merits and disadvantages of the field-effect thyristors as well as prospects of their future development are presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.