Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Characteristic of selected rural communes in the Otwock district in terms of spatial distribution of transaction prices of undeveloped land intended for building development

Jaroszewicz J., Budzyński T.

Infrastruktura i Ekologia Terenów Wiejskich

|

2016

|

nr III/1

773--786

EN

Real estate turnover is a spatial phenomenon, because the location of properties refers to geographic space. Transaction prices are attribute values which distribution in geographic space can be subject to an analysis. The analysis of spatial autocorrelation of transaction prices of properties permits detection of local outlier transactions, detection of clusters of high and low prices, and the assessment of the statistical significance of such clusters. Transaction prices of undeveloped properties intended for building development obtained in suburban areas, and the location of such properties may suggest the intensity of the occurring processes of functional transformations. Results of statistical analyses of the spatial distribution of unitary transaction prices of such properties may constitute an element of specific characteristic of rural communes located in the vicinity of large cities. The article presents results of the analyses and their interpretation for selected rural communes of the Otwock district. The study was conducted in the scope of research grant entitled: "Spatial analysis of undeveloped land property transactions for the purposes of prediction of unfavourable changes in land use at variance with the idea of sustainable development of suburban areas", implemented in 2015 at the Faculty of Geodesy and Cartography of the Warsaw University of Technology.

2

Detektory naładowanych cząstek opracowane w ITE dla nowego systemu detekcyjnego ALBEGA, opracowywanego w GSI Darmstadt do badań nad transaktynowcami

Węgrzecki M., Yakushev A., Bar J., Budzyński T., Di-Nitto A., Dobrowolski R., Grabiec P., Kłos H., Kulawik J., Marchewka M., Panas A., Prokaryn P., Synkiewicz B., Szmigiel D., Węgrzecki M., Zaborowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 8

35--40

PL

Omówiono konstrukcję, technologię i parametry dwóch nowych typów detektorów do systemu detekcyjnego ALBEGA (ALfa – BEta – GAmma) budowanego w GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt (GSI), przeznaczonego do badań nad transaktynowcami. Detektor alfa stanowi 64-elementowa przepływowa matryca monolityczna zbudowana z dwóch płytek krzemowych o typie przewodnictwa ν, w których wytrawiony jest kanał, przez który przepływają (w gazie nośnym) badane substancje. Od strony kanału na całej powierzchni płytek wytworzony jest techniką dyfuzji fosforu obszar n+ (wspólna katoda). Na stronie przeciwległej do kanału wytworzone są techniką selektywnej dyfuzji boru 32 złącza p+-ν. Po połączeniu płytek powstaje szczelny kanał (przewód gazowy). Do jednego z końców tego przewodu doprowadzany jest gaz nośny (hel) zawierający atomy badanych pierwiastków promieniotwórczych. Gaz ten przepływa przez kanał. Promieniowanie jonizujące, emitowane przez atomy transportowane w gazie nośnym wnika do krzemu. Nośniki ładunku generowane w krzemie przez absorbowane promieniowanie (głównie cząstki alfa) są rozdzielane przez najbliższe złącze p+-ν, powodując powstanie sygnału elektrycznego. Promieniowanie beta i gamma przechodzi przez krzem i może być detekowane przez detektory odpowiednio umieszczone na zewnątrz przepływowego detektora cząstek alfa. Detektor beta stanowi monolityczna, 32-elementowa matryca o średnicy obszaru czynnego 90 mm, o grubości 0,9 mm. Materiałem wyjściowym jest wysokorezystywna płytka krzemowa typu ν. Na górnej stronie tej płytki wykonane są poprzez dyfuzję boru 32 planarne złącza p+-ν. Na dolnej stronie wykonany jest na całej powierzchni, poprzez dyfuzje fosforu, obszar n+, stanowiący wspólną katodę.

EN

The paper presents the design, technology and parameters of two new types of silicon detectors for the new detection system ALBEGA (ALfa – BEta – GAmma). The ALBEGA system will be used for research on transactinide elements at the GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt (GSI) The alpha detector is a 64-element silicon monolithic flow array. The array consisting of two ν-type silicon wafers with a channel etched into them, through which the studied substances flow (in carrier gas), is used in the detector. An n+ region (common cathode) is formed by the phosphorous diffusion over the entire surface of the wafers from the side of the channel. 32 p+ regions (anode regions) are formed by selective boron diffusion on the side opposite to the channel. After the wafers are bonded, an gas-tight channel (gas pipe) is formed. Carrier gas (noble gas or a mixture of noble gas and reactive gas) containing atoms of radioactive elements under study is introduced into one end of this pipe. The gas flows through the channel and exits at the other end of the pipe. The transported active atoms/molecules are adsorbed inside the pipe and undergo the radioactive decay. The ionising radiation emitted by the atoms transported by the carrier gas penetrates into silicon. The charge carriers generated in silicon by absorbed radiation (mainly alpha particles) are separated by the nearest p+-ν junction, creating an electric signal. Beta and gamma radiation passes through silicon and can be detected by the detectors appropriately placed outside the flow alpha detector. The beta detector consists of a monolithic 32-element array with an active area diameter of 90 mm and a thickness of 0.9 mm. The starting material is a high-resistivity n silicon wafer. 32 planar p+-ν junctions are formed by boron diffusion on the top side of the wafer. On the bottom side, an n+ region, which forms a common cathode, is formed on the entire surface by phosphorus diffusion.

3

Opracowane w ITE krzemowe detektory cząstek do międzynarodowych badań nad transaktynowacami

Węgrzecki M., Bar J., Budzyński T., Dressler R., Grabiec P., Kłos H., Kulawik J., Lipiński D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

24-26

PL

W pracy omówiono konstrukcję oraz parametry detektorów cząstek α opracowanych w ITE, we współpracy z partnerami zagranicznymi, stosowanych w międzynarodowych badaniach transaktynowców. Opisano 64-elementowe matryce chromatograficzne dla systemu COMPACT, 2-elementowe detektory przepływowe dla systemu COLD oraz detektory paskowe dla bloku detektora płaszczyzny ogniskowej do separatora TASCA. Przedstawiono rezultaty uzyskane przy wykorzystaniu omawianych detektorów ITE, w tym odkrycia 4 nowych nuklidów: ²⁷⁰Hs, ²⁷¹Hs, ²⁸³Cn, ²⁷⁷Hs.

EN

We present the construction and parameters of the α particle detectors developed at the ITE in collaboration with foreign partners, applied in the international studies on transactinides. We describe 64-element chromatographic array for the COMPACT detection system, 2-element detectors for the COLD system and strip detectors for the Focal Plane Detector Box, part of the TASCA separator. We present the results obtained using ITE detectors, including discoveries of 4 new nuclides: ²⁷⁰Hs, ²⁷¹Hs, ²⁸³Cn, ²⁷⁷Hs.

4

Krzemowe, 16-elementowe matryce fotodiodowe specjalizowane do monitorowania optycznego czujników mikrodźwigniowych

Węgrzecki M., Bar J., Budzyński T., Gosztalk T., Grabiec P., Lipiński D., Nieradka K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

37-38

PL

W pracy omówiono konstrukcję i właściwości krzemowych 16-elementowych matryc fotodiodowych, opracowanych w ITE we współpracy z Wydziałem Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, do opracowywanego tam systemu optycznego monitorowania parametrów mechanicznych matrycowych czujników mikrodźwigniowych.

EN

In this paper, we present the construction and properties of the 16-element silicon photodiode arrays developed at the ITE in collaboration with the Faculty of Microsystem Electronics and Photonics at the Wrocław University of Technology. The photodiode arrays will be applied in the system, being developed at the Wrocław University of Technology, monitoring optically the mechanical parameters of multiple microcantilever based sensors.

5

Detekcja neutronów i detekcja radonu przy wykorzystaniu krzemowych detektorów naładowanych cząstek : nowa koncepcja osobistej dozymetrii

Węgrzecki M., Bar J., Budzyński T., Cież M., Grabiec P., Kłos H., Kulawik J., Lipiński D., Panas A., Ruhm W., Sarnecki J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

22-24

PL

W pracy omówiono specjalizowane detektory cząstek alfa do osobistych dozymetrów promieniowania neutronowego oraz ekspozymetrów radonu, opracowane i wykonane w ITE we współpracy z Institut fur Strahlenschutz, Helmholtz Zentrum Munchen.

EN

In this paper, we present the specialized alpha particle detectors for personal dosimeters of neutron radiation and for radon exposimeters. The presented detectors have been developed and manufactured at the ITE in collaboration with the Institut fur Strahlenschutz, Helmholtz Zentrum Munchen.

6

Opracowanie submikronowego tranzystora testowego typu FinFET

Zaborowski M., Kucharski K., Tomaszewski D., Panas A., Budzyński T., Grabiec P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

67-70

EN

A test 3-Gate FinFET-type p-MOS transistor was manufactured using a 3um CMOS layout and a technique dedicated for preparation of 270nm narrow silicon paths, controlled by means of a lateral definition process (PADEOX). SEM and optical views of the device were presented. I D (V DS) and I D (V GS) characteristics were measured and displayed together with typical p-MOS curves. A simple model of I-V characteristics was adopted for estimation of parameters of the fabricated test device.

PL

3-bramkowy tranzystor p-MOS typu Fin został opracowany przy wykorzystaniu 3 µm reguły projektowania (technologia CMOS) i nowej metody wytwarzania w procesie lateralnym wąskich ścieżek krzemowych o szerokości rzędu 270 nm (PADEOX). Zaprezentowano zdjęcia optyczne i skaningowe tranzystorów. Przedstawiono charakterystyki I D (V DS) i I D (V GS) w porównaniu z krzywymi typowymi dla technologii p-MOS. Wyznaczono podstawowe parametry elektryczne przyrządu i na ich podstawie charakterystyki I-V jego prostego modelu.

7

Nowe krzemowe detektory promieniowania : opracowania Instytutu Technologii Elektronowej

Węgrzecki M., Bar J., Węgrzecka I., Słysz W., Grodecki R., Grabiec P., Krzemiński S., Budzyński T., Zaborowski M., Panas A., Cież M., Kulawik J., Gröger B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 12

40-43

PL

Omówiono nowe opracowania ITE w dziedzinie krzemowych detektorów promieniowania. W szczególności opisano unikalne detektory cząstek a, w tym 64-elementowe matryce chromatograficzne do rejestracji pojedynczych atomów pierwiastków z grupy transuranowców, opracowane we współpracy z Institut fur Radiochemie - Technische Universitat Munchen oraz dwuelementowy otwarty detektor cząstek a, opracowany we współpracy z Paul Scherrer Institut (PSI) - Villingen, Szwajcaria, do budowanego w PSI detektora COLD (Cryo-On-Une-Detector).

EN

New devices developed at the ITE in the field of silicon detectors of radiation are presented in the article. In particular, unique detectors of a particles - including 64-element, chromatographic arrays used for recording the single atoms of transuranic elements - developed in cooperation with Institut fur Radiochemie - Technische Universitat Munchen, are described, as well as a 2-element, open detector of a particles, developed in cooperation with Paul Scherrer Institut (PSI) - Villingen, Switzerland, used in the COLD detector (Cryo-On-Line-Detector) developed at PSI.

8

Jesteśmy raczej integratorami informacji zorientowanej przestrzennie i tak powinniśmy pojmować nasz zawód na początku XXI wieku. Z Jerzym Albinem, Głównym Geodetą Kraju, w 60-lecie powołania GUGiK rozmawiają redaktorzy Przeglądu Geodezyjnego

Albin J., Wilkowski W., Budzyński T.

Przegląd Geodezyjny

|

2005

|

R. 77, nr 3

6-11

9

Design and properties of silicon avalanche photodiodes

Węgrzecka I., Węgrzecki M., Grynglas M., Bar J., Uszyński A., Grodecki R., Grabiec P., Krzemiński S., Budzyński T.

Opto-Electronics Review

|

2004

|

Vol. 12, No. 1

95-104

EN

A family of silicon avalanche photodiodes with an n⁺-p -π-p⁺ epiplanar structure was developed at the Institute of Electron Technology (ITE). The diameters of photosensitive area range from 0.3 mm to 5 mm. These photodiodes are optimised for detection of 800–850 nm radiation and in that range achieve excellent parameters – high gain, low noise, high detectivity. The detailed research on their spectral dependencies of the gain and noise parameters has revealed that their range of operating is considerable wider and stretches from 550 to 1000 nm. The principles of operation and design considerations concerning avalanche photodiodes are outlined in this paper. Next, the design, technology and properties of silicon avalanche photodiodes developed at the ITE are discussed. Avalanche photodiodes are widely used in detection of very weak and very fast optical signals. Presently in the world, the studies are carried out on applying the avalanche photodiodes in detection of X radiation and in the scintillation detection of nuclear radiation.

10

Bonding and etch-back techniques for SOI technology

Łozinko J., Panas A., Budzyński T., Grabiec P., Dębski T.

Electron Technology

|

1999

|

Vol. 32, No. 1/2

162-165

EN

The purpose of this paper is to show results of investigations on bonding and etch-back technoques (BESOI) for applicatios in the fabrication of Silicon-On-Insulator (SOI). Results obtained for high (≥ 1000°C) temperature silicon wafer-to-wafer bond process, where silicon dioxide is used as an intermediate layer, will be presented. Method for thinning of the bonded wafer was performed by preferential etch technoque using p⁺ etch-stop layer.