PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Numerical investigation of an impact of a top gold metallization on output power of a p-up III-N-based blue-violet edge-emitting laser diode
Kuc M., Sarzała R. P., Stańczyk S., Perlin P.
Opto-Electronics Review
|
2015
|
Vol. 23, No. 2
131-136
EN
The effect of modifications in epi-side (top) gold metallization on a thermal performance and on power roll-over of blue-violet III-N-based p-up edge-emitting ridge-waveguide laser diode (RW EEL) was explored in this paper. The calculations were carried out using a two-dimensional self-consistent electrical-thermal model combined with a simplified optical model tuned to a RW EEL fabricated in the Institute of High Pressure Physics (Unipress). Our results suggest that with proper modifications in the III-N-based RW EEL, excluding modifications in its inner structure, it is possible to considerably improve the thermal performance and, thus, increase the maximal output power.
2
Content available remote Analiza wpływu zmian konstrukcyjnych lasera azotkowego na możliwość zwiększenia jego wyjściowej mocy optycznej
Kuc M., Sarzała R.P., Perlin P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 9
62-65
PL
W niniejszej pracy przedstawiono wyniki numerycznej analizy możliwości zwiększenia mocy wyjściowej uzyskiwanej z krawędziowego lasera azotkowego oraz zaprojektowanych na jego podstawie jednowymiarowych matryc laserowych poprzez zastosowanie wybranych zmian konstrukcyjnych. Dwuwymiarowy elektryczno-cieplny model numeryczny został skalibrowany dla danych eksperymentalnych otrzymanych dla lasera pracującego z falą ciągłą w temperaturze pokojowej wykonanego w laboratorium Instytutu Wysokich Ciśnień UNIPRESS Polskiej Akademii Nauk. Przeprowadzone obliczenia miały na celu określenie wpływu na optyczną moc wyjściową modelowanych przyrządów takich parametrów konstrukcyjnych, jak: szerokość chipu laserowego, grubość podłoża, grubość warstwy złota w kontakcie elektrycznym typu p, liczba i rozstawienie emiterów w matrycy laserowej.
EN
This paper presents calculation results of performance of III-N-based laser diode and its arrays (bars) with various package modifications. We adjusted our 2D thermal-electrical model to room-temperature continuous-wave operating characteristics of nitride-based edge-emitting laser fabricated in the Laboratory of Institute of High Pressure Physics. The impact of chip width, substrate thickness, thickness of p-type gold electrode, number of emitters and emitter-to-emitter distance on output power limits of nitride laser diode is investigated.
3
Content available remote Blue laser diodes for trace matter detection
Holc K., Bielecki Z., Wojtas J., Perlin P., Goss J., Czyżewski A., Magryta P., Stacewicz T.
Optica Applicata
|
2010
|
Vol. 40, nr 3
641--651
EN
We present spectroscopic applications of GaN-based laser diodes (LDs), fabricated and developed at the Institute of High Pressure Physics and its spin-off company TopGaN. LDs were manufactured using MOCVD technology. For spectroscopic applications we applied pulsed operated lasers generating the radiation in 395–430 nm spectral range reaching the power of 200 mW within the light pulses of 30–150 ns at the repetition rates of 10 kHz. These LDs were successfully applied to the detection of nitrogen dioxide in free atmosphere using cavity ring down spectroscopy (CRDS) sensor. Cw operated lasers generating within the spectral range of 385–420 nm and reaching powers up to 300 mW were adapted for atomic spectroscopy. Using external cavity tuning with diffraction grating in Littrow configuration, we obtained the stability of single mode generation better than 100 MHz within the periods of 30 minutes without any additional frequency stabilization feedback.
4
Zastosowanie niebieskich laserów do detekcji substancji śladowych
Komorowska K., Perlin P., Leszczyński M., Czernecki R., Grzegory I., Porowski S., Stacewicz T., Goss J., Wojtas J., Bielecki Z., Czyżewski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 11
101-104
PL
Omówiono zastosowanie niebieskiego lasera półprzewodnikowego - struktury wielostudni kwantowych InGaN/GaN - do detekcji substancji śladowych. Wykonano pomiary absorpcji opierając się na technice wysokiej czułości - Spektroskopii Strat we Wnęce Optycznej (ang. Cavity Ring Down Spectroscopy) pozwalającej na detekcję współczynnika absorpcji nawet na poziomie ~10-8 m-1. Przedstawiono przykład detekcji NO2 o niskiej koncentracji (5 ppb) przy użyciu prototypu zaprojektowanego systemu przenośnego do detekcji śladowych ilości substancji wykorzystującego technikę SSWO.
EN
We demonstrate a blue semiconductor multiquantum well InGaN/GaN laser that is applied for trace elements detection. We performed the absorption measurements using a highly sensitive spectroscopic technique - Cavity Ring Down Spectroscopy (CRDS) which allows detection of absorption coefficien even as small as ~10-8 m-1. An example of low concentration (5ppb) NO2 detection measurements using a prototype of specially designed mobile setup based on CRDS technique is presented.
5
Niebieskie i fioletowe półprzewodnikowe diody laserowe wielkiej mocy
Perlin P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 3
5-8
PL
Laserowe diody półprzewodnikowe z azotku galu są pożądanymi przyrządami w wielu aplikacjach wymagających wielkiej energii fotonu lub/i krótkiej fali emitowanego światła. Lasery takie mogą być stosowane w optycznym zapisie informacji, wyświetlaczach optycznych, technikach drukarskich i litograficznych, w medycynie itd. W opracowaniu przedstawiono wyniki osiągnięte przez zastosowanie wysokiej jakości kryształów azotku galu (otrzymanych na drodze wysokociśnieniowej syntezy) do otrzymywania struktur laserowych diod półprzewodnikowych. Lasery te wykonywane w geometrii szerokopaskowej otwierają możliwości generacji bardzo wysokich mocy optycznych, niezbędnych np. w przyszłej telewizji laserowej.
EN
We discuss the present situation of the blue-violet laser diode technology. We demonstrate that the use of low dislocation density gallium nitride substrates facilitate the fabrication of wide area high-power laser diodes of the optical output power reaching 200 mW. These devices may find applications in spectroscopy, chemical processing, photolithography, medicine and display technology.
6
Content available remote In-depth and in-plane profiling of light emission properties from semiconductor-based heterostructures
Godlewski M., Wojtowicz T., Goldys E. M., Phillips M. R., Czernecki R., Prystawko P., Leszczynski M., Perlin P., Grzegory I., Porowski S., Bottcher T., Figge S., Hommel D.
Opto-Electronics Review
|
2004
|
Vol. 12, No. 4
353-359
EN
Cathodoluminescence (CL) technique is applied for evaluation of in-depth and in-plane variations of light emission from semiconductor heterostructures, including laser diode structures. Light emission properties of heteroepitaxial and heteroepitaxial structures, are studied. We demonstrate possibility of in-depth profiling of complicated multi quantum well structures, which allows us to evaluate light emission characteristics from different regions of, e.g., laser structures. Due to this property of the CL, we can evaluate interconnections between structural quality of the samples and light emission characteristics. Stimulated emission under electron bean pumping is achieved in a conventional CL, set up for selected heterostructures. Thereshold currents for stimulated emission are evaluated from the CL investigations. We demonstrate that potential fluctuations are not fully screened in the active regions of laser structures, even at large excitation densities.
7
Content available remote Epitaxy on GaN bulk crystals
Leszczyński M., Prystawko P., Czernecki R., Lehnert J., Perlin P., Wiśniewski P., Skierbiszewski C., Suski T., Nowak G., Karouta F., Holst J., Grzegory I., Porowski S.
Opto-Electronics Review
|
2001
|
Vol. 9, No. 2
125-128
EN
The article shows the most important experimental results describing the properties of nitride layers on GaN single crystals. The layers were grown using matalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). The growth was monitored by in-situ laser reflectometry. The layers contain very small dislocation density of about 10-10³ cm⁻² (the same as in the GaN substrates). Morphology and crystallographic quality was examined using atomic force microscopy and X-ray diffraction. The layers have exellent photoluminescent properties what has a direct impact on the optoelectronic device properties.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.