Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
The influence of MOS transistor parameters, such as substrate doping, gate oxide thickness, and carrier capture cross-sections, on the shape of two-level charge pumping current is investigated. Similar analysis is carried out with respect to signal parameters, e.g. gate signal amplitude, source-to bulk voltage, etc. Theoretical simulation is compared with experimantal data and reasonable agreement is achieved.
Słowa kluczowe
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
295--303
Opis fizyczny
Bibliogr. 25 poz.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
- Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw Univesity of Technology, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Poland
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0001-0665