Epitaksja z fazy ciekłej struktur mikrolaserowych Cr,Mg:YAG/Yb:YAG

• Autorzy: Sarnecki J. , Kopczyński K.

Warianty tytułu

EN

Liquid phase epitaxy growth of CR,MG:YAG/YB:YAG microlaser structures

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W procesie epitaksji z roztworu wysokotemperaturowego otrzymano struktury Cr,Mg: YAG/Yb:YAG mogące stanowić materiał wyjściowy do wytworzenia monolitycznych mikrolaserów impulsowych z pasywną modulacją dobroci rezonatora wzbudzanych diodami półprzewodnikowymi. Określono wpływ stężenia Cr2O3w roztworze na wielkość absorpcji optycznej warstw oraz niedopasowanie sieciowe warstw i podłoża. Pomiary transrnitancji optycznej struktur epitaksjalnych w funkcji gęstości energii wiązki promieniowania o długości fali 1064 nm wykazały, że współczynnik absorpcji warstw Cr,Mg:YAG jest nieliniową, funkcją gęstości energii wiązki, a tym samym warstwy te mogą pracować jako absorbery pasywne.

EN

Liquid phase epitaxy from high temperature solution was used to grow Cr,Mg: YAG/Yb:YAG structures in order to prepare suitable material for diode-pumped passively Q-switched microchip laser. The influence of Cr2O3 molar ratio in the melt on the optical absorption and lattice mismatch between the film and substrate was determined. According to spectroscopic and transmission saturation measurements we concluded that the Cr,Mg:YAG layers could be used as a saturable absorber for microlaser operating near 1 μm.

Słowa kluczowe

PL

mikrolaser impulsowy; epitaksja z fazy ciekłej struktur mikrolaserowych; pomiary dyfraktometryczne

EN

liquid phase epitaxy growth

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2007
• Tom: T. 35, nr 1
• Strony: 5--20
• Opis fizyczny: Bibliogr. 24 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Sarnecki J.

autor

Kopczyński K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133,01-919 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Zayhowski J.J., Mooradian A.: Single frequency microchip Nd lasers, Opt. Lett.,14 (1989)24-26
• [2] Dixon G.J., Jarman R.H.: Properties of miniature lithium neodymium tetraphosphate microlasers with high intensity IR pumping, CLEO 89, Tech.Digest, TUJ62
• [3] Zayhowski J. J.: Q-switched operation of microchip lasers, Opt.Lett., 16 (1991), 575-577
• [4] Molva E.: Microchip lasers, MSTNews 20/97 (1997) 26-28
• [5] Molva E.: Microchip lasers and their applications in optical microsystems, Opt. Mat., 11 (1999)289-299
• [6] Zayhowski J.J.: Microchip lasers create light in small spaces, Laser Focus World, (1996) 73-78
• [7] Zayhowski J.J., Dill III C., Cook C., Daneu J. L.: Mid- and High - Power Passively Q - Switched Microchip Lasers, OSA TOPS 26 Advanced Solid - State Lasers, (1999) 178- 186
• [8] Sarnecki J., Kopczyński K., Mierczyk Z., Skwarcz J., Młyńczak J.: Struktury epitaksjalne do mikrolaserów z pasywną modulacją dobroci rezonatora, Elektronika, XLVI 2-3 (2005) 71-72
• [9] Kopczyński K., Sarnecki J., Młyńczak J., Mierczyk Z., Skwarcz J.: Comparision of technology and laser properties of epitaxially grown 1.06 jam and eye safe microchip laser, Proceedings SPIE, 5958 (2005) 5958E1-5958E8
• [10] Sarnecki J.: Otrzymywanie epitaksjalnych warstw granatów dla techniki laserowej, Rozprawa doktorska, ITME 2005
• [11] Kalisky Y, Labbe C., Waichman K., Kravchik L., Rachum U., Deng P., Xu J., Dong J., Chen W.: Passively Q-switched diode-pumped Yb:YAG laser using Cr4+-doped garnets, Opt. Mat. 19 (2002) 403-413
• [12] Dong J.: Numerical modelling of CW-pumped repetitively passively Q-switched Yb: YAG lasers with Cr:YAG as saturable absorber, Opt. Comm., 226 (2003) 337-344
• [13] Dong J., Shirakawa A., Huang S., Feng Y, Takaichi K., Musha M., Ueda K., Kaminskii AA.: Stable laser-diode pumped microchip sub-nanosecond Cr,Yb:YAG self-Q-switched laser, Laser Phys. Lett., 2 (2005) 387-391
• [14] Spühler G.J., Paschotta R., Kullberg M.P., Graf M., Moser M., Mix E., Huber G., Harder C., Keller U.: A passively Q-switched Yb:YAG microchip laser, App. Phys. B 72 (2001) 285-287
• [15] Dong J., Shirakawa A., Takaichi K., Ueda K., Yagui H., Yanagitani T. and. Kaminskii AA, All-ceramic passively Q-switched Yb:YAG/Cr4+:YAG microchip laser, Electronics Letters, 42 (2006) 1154-1156
• [16] Zayhowski J.J. and Wilson A.L Jr.: Pump-inducend bleaching of the saturable absorber in short-pulse Nd: YAG/Cr4+:YAG passively Q-switched microchip laser, IEEE J. Quant. Elect., 39 (2003), 1588-1593
• [17] Weber M.J.: Handbook of lasers, CRC Press LLC 2001
• [18] Sarnecki J., Malinowski M., Skwarcz J., Jabłoński R., Mazur K., Litwin D., Sass J.: Liąuid phase epitaxial growth and chracterization of Nd:YAG/YAG structures for thin film lasers, Proceedings SPIE 4237 (2000) 5-11
• [19] Sarnecki J.: Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG, Materiały Elektroniczne, 30 (2002) 5-19
• [20] Jabłoński R., Sarnecki J., Mazur K., Sass J., Skwarcz J.: ESR and X-ray diffration measurements of Nd substituted yttrium aluminum garnet films, J.Alloys Comp., 300-301 (2000) 316-321
• [21] Xu X., Zhao Z.., Xu J.., Deng P.: Distribution of ytterbium in Yb:YAG crystals and lattice parameters of crystals, J. Cryst. Growth, 255 (2003) 338-341
• [22] Shannon R. D. and Prewitt C. T.: Effective Ionic Radii in Oxides and Fluorides, Acta Cryst. B25 (1969) 925-946
• [23] Frantz L.M. and Nodvik J.S.: Theory of pulse propagation in a laser amplifier, J. Appl. Physics, 34, 8 (1963) 2346-2349
• [24] Avizonis P. V. and Grotbeck R. L.: Experimental and theoretical ruby laser amplifier dynamics, J. Appl. Physics, 37 (1966) 687- 693