Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG

• Autorzy: Sarnecki J.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W ostatnich latach wzrasta zainteresowanie planarnymi falowodami w kryształach YAG domieszkowanych jonami ziem rzadkich. Epitaksja z fazy ciekłej umożliwia otrzymanie falowodowych struktur laserowych YAG. Warstwy falowodowe granatu YAG domieszkowanego jonami Nd3+, Ga3+ i Lu3+ otrzymane były w procesie epitaksji z fazy ciekłej z przechłodzonego roztworu wysokotemperaturowego w warunkach izotermicznych metodą zanurzeniową na podłożu YAG. Przedstawiono parametry procesu epitaksji oraz własności warstw i struktur falowodowych. Prezentowane wyniki badań strukturalnych, optycznych i laserowych świadczą, że otrzymane warstwy i struktury falowodowe Nd:YAG/YAG cechuje wysoka jakość optyczna i dobra perfekcja strukturalna.

EN

Considerable interest in rare-earth planar waveguide YAG laser is observed. Liquid phase epitaxy (LPE) is a suitable technique to realize solid state garnet laser with a planar waveguide structure. The thin waveguide films of Nd3+, Ga3+ and lu3+ doped YAG were grown from a supercooled molten garnet-flux high temperature solution on undoped YAG substrates by the standard LPE dipping technique. The basic cindition of epitaxial growth and properties of the epitaxial films nad waveguide structures are presented. As indicated by XRD, ESR, refractive index data, optical spetroscopic studies, amplification and laser characteristics measurements the good optical quality and high crystallinity Nd:YAG/YAG films and waveguide structures have been obtained.

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2000
• Tom: T. 28, nr 4
• Strony: 5--24

Twórcy

autor

Sarnecki J.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, 01-919 Warszawa, ul. Wólczyńska 133,