Parametry galwanomagnetyczne i przewodnościowe warstw epitaksjalnych MBE z InAs/GaAs, In0,53Ga0,47As/InP i GaAs/GaAs

• Autorzy: Wolkenberg A. , Przesławski T.

Warianty tytułu

EN

Galvanomagnetic and conductivity parameters of the epitaxial MBE layers of InAs/GaAs, In0.53Ga0.47As/InP and GaAs/GaAs

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono przegląd problemów pomiarowych parametrów transportowych epitaksjalnych warstw MBE z InAs/GaAs, In0,53Ga0,47As/InP i GaAs/GaAs przy stosowaniu do pomiarów pola magnetycznego. Opisano wpływ temperatury pomiaru na dokładność wyników. Zwrócono uwagę na dobór właściwych wartości natężenia pola magnetycznego. Wnioskowano, że porównywanie mierzonych wartości z obliczanymi teoretycznie przynosiło najlepsze rezultaty w przypadku warstw GaAs.

EN

There were described very broadly the problems connected with measurements of the charge transport parameters of the epitaxially grown in MBE layers of InAs/GaAs, In0.53Ga047As/InP and GaAs/GaAs by galvanomagnetic method. The temperaturę influence on measure accuracy was mentioned. Also the choice of right magnetic field value was presented. The best results of the comparison between theoretically calculated values and that measured were obtained on GaAs samples.

Słowa kluczowe

PL

parametry transportowe; warstwy epitaksjalne MBE; InAs/GaAs; ln0,53Ga0,47As/lnP; GaAs/GaAs

EN

charge transport parameters; MBE epitaxial layers; ln0,53Ga0,47As/lnP; GaAs/GaAs

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2007
• Tom: Vol. 48, nr 6
• Strony: 26--30
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Wolkenberg A.

autor

Przesławski T.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Partin D.L., Heremans J., Thrush C.M.: Indium antimonide doped with lead telluride grown by molecular beam epitaxy. J. Cryst. Growth, 111, 614 (1991).
• [2] Heremans J., Partin D.L, Trush C.M., Green L.: Narrow-gap semiconductor magnetic field sensors and applications. Semicond. Sci. Technol., 8, S424(1993).
• [3] Oh J.E., Bhattacharaya P.K., Chen Y.C., Tsukamoto S.: Molecular-bean epitaxial growth of high - quality InSb on InP and GaAs substrates. J. Appl. Phys, 66, 3618 (1989).
• [4] Heremans J., Partin D.L., Morelli D.T., Fuller B.K., Trush C.M.: Two-dimensional electron gas magnetic field sensors. Appl. Phys.Lett., 57, 291 (1990).
• [5] Wolkenberg A., Przesławski T.: Application of galvanomagnetic measurements in temperature range 70-300K to MBE GaAs layers characterization, in Metal/Nonmetal Microsystems: Physics, Technology, and Applications. Proc. SPIE, 2780, 170 (1995).
• [6] Wolkenberg A., Przesławski T., Regiński K., Bąk-Misiuk J., Kaniewski J.: Wybrane problemy materiałowe w przemyśle elektronicznym. Inżynieria Materiałowa, XXI, 137 (2000).
• [7] Wolkenberg A., Przesławski T., Kaniewski J., Regiński K.: Własności transportowe warstw InAs/GaAs wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych. VII Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa" ELTE 2000, Polanica Zdrój (18-22.09.2000), s. 213.
• [8] Dziuba Z., Górska M., Marczewski J., Przesławski T., Regiński K.: Anomalous behaviour of the Hall effect in III - V heterostructures. Acta Physica Polonica A97 331 (2000).
• [9] Wolkenberg A., Przesławski T., Kaniewski J., Bąk-Misiuk J., Regiński K.: Thickness dependence of the structural and electrical properties of InAs layers epitaxially grown by MBE on GaAs (001). Materials Science and Engineering, B77, 250 (2000).
• [10] Przesławski T., Wolkenberg A., Regiński K., Kaniewski J., Bąk-Misiuk J.: Growth and transport properties of relaxed epilayers of InAs on GaAs. Thin Solid Films, 367 232 (2000).
• [11] Look D.C : Electrical Characterization of GaAs Materials and Devices (John Willey, New York, 1989) str. 5, 115 i 227.