Implementacja jonów w technologii półprzewodników III-IV. Cz. 1

• Autorzy: Synowiec Z.

Warianty tytułu

EN

Ion implementation in III-IV semiconductor technology. Part 1

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono stan bieżący technologii implementacji w związkach półprzewodnikowych III-IV, obejmując zastosowanie implementacji zarówno do domieszkowania jak i do izolowania. W ostatniej dekadzie został dokonany znaczący postęp w dziedzinie technologii GaN, jednak w porównaniu z takimi półprzewodnikami jak GaAs i InP implementacja jonów do GaN jest ciągle w stadium początkowym. Tak więc, w tym artykule jedynie podsumowano problematykę implementacji w technologii GaAs i InP, a większość miejsca poświęcono technologii GaN. Nierozłącznym efektem bombardowania jonowego jest nieporządek sieci krystalicznej, dlatego została szeroko opisana technologia skutecznego poimplantacyjnego wygrzewania. Ze względu na zalety implantacji megaelektronowoltowej w formowaniu izolacji grubych struktur półprzewodnikowych przedstawiono również przykłady jej zastosowania w technologii GaN

EN

The current status of ion implantation in III-IV compound semiconductor technology has been reviewed, including the use of implementation for both doping and isolation. Significant progress has been achieved for the past decade in the GaN technology, however compared to mature semiconductors like GaAs and InP the ion implantation into GaN is still in its infancy. Thus in the article we only summarized the implantation issue in GaAs and InP technology and gross place we have consecrated GaN technology. Lattice disorder is always a concomitant effect of ion bombardment therefore effective post-implant annealing technology has been widely described. Because of advantages of the MeV implantation to create the isolation of thick semiconductor structures, examples of its application in GaN technology has been also presented.

Słowa kluczowe

PL

implementacja jonów; zastosowania; technologia GAN

EN

ion implementation; employment; GAN technology

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 42, nr 11
• Strony: 3--7
• Opis fizyczny: Bibliogr. 33 poz., tab.

Twórcy

autor

Synowiec Z.

• Instytut Techniki Mikrosystemów, Politechnika Wrocławska, Wrocław,