PL
|
EN
Szukaj
Przeglądaj
Pomoc
O bazie
test
Preferencje
Polski
English
Język
Widoczny
[Schowaj]
Abstrakt
10
20
50
100
Liczba wyników
Tom - szczegóły
Adres strony
Kopiuj
Tytuł artykułu
nr 3-4
Czasopismo
Journal of Telecommunications and Information Technology
Wydawca
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Rocznik
2000
Identyfikatory
Zawartość wolumenu
nr 3-4
artykuł:
Silicon-germanium for ULSI
(
Hall S.
,
Eccleston B.
), s. 3-9
artykuł:
CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4
(
Radamson H.H.
,
Grahn J.
,
Landgren G.
), s. 10-14
artykuł:
Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
(
Zaręba A.
,
Jakubowski A.
), s. 15-18
artykuł:
Roadmap for SiC power devices
(
Bakowski M.
), s. 19-30
artykuł:
Advanced compact modeling of the deep submicron technologies
(
Grabiński W.
,
Bucher M.
,
Sallese J.-M.
,
Krummenacher F.
), s. 31-42
artykuł:
On the extraction of threshold voltage, effective channel length and series resistance of MOSFETs
(
Ortiz-Conde A.
,
Garcia Sánchez F.J.
,
Liou J.J.
), s. 43-58
artykuł:
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs
(
Goffioul M.
,
Vanhoenacker D.
,
Raskin J.P.
), s. 59-66
artykuł:
An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs
(
Tomaszewski D.
,
Łukasik L.
,
Zaręba A.
,
Jakubowski A.
), s. 67-71
artykuł:
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs
(
Goffioul M.
,
Dambrine G.
,
Vanhoenacker D.
,
Raskin J.P.
), s. 72-80
artykuł:
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies
(
Gibki J.
,
Kątcki J.
,
Ratajczak J.
,
Łukasik L.
,
Jakubowski A.
,
Tomaszewski D.
), s. 81-83
artykuł:
Characterization of the indoor radio propagation channel at 2.4 GHz
(
Wysocki T. A.
,
Zepernick H.-J.
), s. 84-90
rozwiń roczniki
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.