Materiały Elektroniczne - Tom T. 26, nr 1 (1998) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

T. 26, nr 1

Czasopismo

Materiały Elektroniczne

Wydawca

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Rocznik

1998

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

T. 26, nr 1
- artykuł: Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV (Kozłowski R., Kamiński P.), s. 7-18
- artykuł: Wpływ własności wodnych zawiesin proszków tlenku glinu na stopień upakowania odwirowanych próbek (Tomaszewski H., Węglarz H.), s. 19-39
- artykuł: Stałoprądowe właściwości elektryczne izolacji implantowanej w arsenku galu (Synowiec Z.), s. 40-55
- artykuł: Defekty radiacyjne w kryształach Nd:YAG i ich wpływ na właściwości optyczne i charakterystyki generacyjne lasera (Kaczmarek S. M., Kwaśny M., Łukasiewcz T., Moroz Z., Kopczyński K., Piramidowicz R., Wojtkowska J., Warchoł S., Stępka K., Matkovskii A.), s. 56-77

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.