Wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych

• Autorzy: Suproniuk M. , Majda-Zdancewicz E. , Pawłowski M. , Wierzbowski M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.10.24

Warianty tytułu

EN

Selected aspects of photoconductive semiconductor switches designing

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Półprzewodnikowy przełącznik fotokonduktancyjny to urządzenie, w którym w wyniku pobudzenia sygnałem optycznym, następuje wzrost koncentracji nośników ładunku powodując zmniejszenie oporności materiału półprzewodnikowego nawet o kilka rzędów wielkości. W artykule przedstawiono wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych uwzględniając m.in. kwestie związane z szybkością włączania elementu, równomiernym rozkładem gęstości prądu, wytrzymałością termiczną, czasem eksploatacji i wysokim lokalnym polem elektrycznym wytwarzanym w miejscu elektrod.

EN

A photoconductive semiconductor switch is a device in which density of charge carriers increases causes decreases resistivity of semiconductor as a result of optically triggered. This paper shows selected aspects of photoconductive semiconductor switches designing with regards issue related to the switch rise-times, uniform distributed current density, thermal resistance, device lifetime and high local electric field generated at the electrode site.

Słowa kluczowe

PL

przełącznik fotokonduktacyjny; półprzewodnik; fotoprzewodnictwo; HPEM

EN

photoconductive switch; semiconductor; photoconductivity; HPEM

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 10
• Strony: 103--106
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys.

Twórcy

autor

Suproniuk M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych, , ul. Kaliskiego 2a, 00-908 Warszawa

autor

Majda-Zdancewicz E.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych, , ul. Kaliskiego 21, 00-908 Warszawa

autor

Pawłowski M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych, , ul. Kaliskiego 2a, 00-908 Warszawa

autor

Wierzbowski M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych, , ul. Kaliskiego 2a, 00-908 Warszawa

Bibliografia

• [1] M. B. Kuppam, RF signal processing using ultrafast optoelectronics devices and related terahertz spectroscopy experiments, PhD Thesis, Universit ́e Grenoble Alpes, 2013, Francja
• [2] J. S. Sulivan, Wide Bandgap Extrinsic Photoconductive Switches, Lawrence Livermore National Laboratory, Report, 2013
• [3] M. Suproniuk, P. Kamiński, M. Pawłowski, R. Kozłowski, Ma. Pawłowski, “An intelligent measurement system for characterisation of defect centres in semi-insulating materials”, Electrical Review 86, 11a, 247-252 (2010).
• [4] M. Suproniuk, P. Kamiński, R. Kozłowski and M. Pawłowski, “Effect of deep-level defects on transient photoconductivity of semi-insulating 4H-SiC”, Acta Physica Polonica A 125, 4, 1042-1048 (2014)
• [5] F. J. Zutavern et al., A compact, Repetitive Accelerator for Military and Industrial Applications, Sandia Report, Sandia National Laboratories, 1998
• [6] J. Zutavern, et al., High Gain GaAs Photoconductor Switches (PCSS): Device Lifetime, High Current Testing, Optical Pulse Generators,” SPIE Vol. 2343 Optically Activated Switching IV, s. 146-154, 1994
• [7] F. J. Zutavern et al., Properties of High Gain GaAs Switches for Pulsed Power Applications, Proc. 11th IEEE Pulsed Power Conf., Baltimore, Md., June, 1997
• [8] A. Baca et al, High gain photoconductive semiconductor swithc having tailored doping profiles zones, US Patent No. US6248992B1, 2001
• [9] A. Mar, F. J. Zutavern, G. Loubriel, Multi-line triggering and interdigitated electrode structure for photoconductive semiconductor switches, US Patent No. US7173295B1, 2007
• [10] A. Mar, L. Bacon, G. Loubriel, Device Technology Investigation. Subsytems Packaging Study: Feasilibity of PCSS – Based Pulser for Highly Portable Plaatforms, Sandia Report, 2002
• [11] R. S. Bhattacharya, H. B. Evans JR, Photoconductive semiconductor switch, US Patent No. US20140264684A1, 2014
• [12] G. J. Caporaso, S. E. Sampayan, J. S. Sulivan, D. M. Sanders, Optically-initiated silicon carbide high voltage switch, US Patent No. US8125089B2, 2012
• [13] G. J. Caporaso, Photoconductive switch package, US Patent No. US20140038321A1, 2014

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).