Jonoluminescencja SiC wzbudzana bombardowaniem jonami H+

• Autorzy: Pyszniak K. , Żuk J. , Droździel A. , Wójtowicz A. , Prucnal S. , Turek M.

Warianty tytułu

EN

Ionoluminescene of SiC bombarded by H+ ions

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zaprezentowano wyniki badań jonoluminescencji węglika krzemu bombardowanego jonami H+ o energiach 120 i 180 keV. Widma jonoluminescencji w zakresie 400-800 nm mają charakter ciągły z maksimum odpowiadającym fali o długości 730 nm. Badano także zmiany natężenia świecenia wywołane bombardowaniem jonowym. Zaobserwowano bardzo szybkie (dwa rzędy wielkości) osłabienie świecenia (dawki rzędu 4·1014 H+/cm2) wywołane zwiększającą się ilością defektów w tarczy. Artykuł zawiera także prezentację aparatury pomiarowej.

EN

Experimental results of the silicon carbide ionoluminescence induced by 120 and 180 keV H+ ion beams. The obtained spectra in the range 400-800 nm are continuous with the maximum at approximately 730 nm. Changes of the luminescence intensity caused by accumulated irradiation fluence were also studied. A very fast decrease of luminescence intensity (by two orders of magnitude) for a relatively small fluence (4·1014 H+/cm2) due to the increasing damage ot the target was observed. A brief description of experimental set-up is also given.

Słowa kluczowe

PL

jonoluminescencja; węglik krzemu; wiązka protonów; półprzewodnik

EN

ionoluminescence; silicon carbide; proton beam; semiconductor

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2013
• Tom: R. 89, nr 5
• Strony: 281--283
• Opis fizyczny: Bibliogr. 20 poz., rys.

Twórcy

autor

Pyszniak K.

• Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej w Lublinie, Instytut Fizyki

autor

Żuk J.

• Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej w Lublinie, Instytut Fizyki

autor

Droździel A.

• Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej w Lublinie, Instytut Fizyki

autor

Wójtowicz A.

• Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej w Lublinie, Instytut Fizyki

autor

Prucnal S.

• Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej w Lublinie, Instytut Fizyki

autor

Turek M.

• Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej w Lublinie, Instytut Fizyki

Bibliografia

• [1] Burk Jr. A.A., O'Loughlin M.J.,Siergiej R.R., Agarwal A.K., Sriram S., Clarke R.C. , MacMillan M.F., Balakrishna V., Brandt. C.D., SiC and GaN wide bandgap semiconductor materials and devices, Solid-State Electronics, 43 (1999), 1459-1464
• [2] Patrick L., Choyke W.J., Hamilton D.R., Luminescence of 4H SiC, and location of conduction-band minima in SiC polytypes, Phys. Rev.,137 (1965), A1515
• [3] Choyke W.J., Patrick L., Absorption of Light in Alpha SiC near the Band Edge, Phys. Rev. 105 (1957), 1721-1723
• [4] Zhang H.H., Zhang C.H., Li B.S., Han L.H., Zhang Y., Structural and optical properties of 6H–SiC helium-implanted at 600 K, Nucl. Instrum. Meth. B, 268 (2010), 2318
• [5] Kawahara K., Alfieri G., Kimoto T., Detection and depth analyses of deep levels generated by ion implantation in n- and p-type 4H-SiC, J. Appl. Phys.,106 (2009), 013719
• [6] Vittone E., Ricciardi C., Lo Giudice A., Fizzotti F., Manfredotti C., Egeni G., Rudello V., Micro- IBICC and micro-IL analyses of CVD diamond microdosimeters, Nucl. Instr. Meth. B, 181 (2001), 349-353
• [7] Jamieson D.N., Beckman D.R., Bettiol A.A., Laird J.S., Lee K.K., Prawera S., Saint A., Witham L.C.G., Yang C., New problems in nuclear microprobe analysis of materials, Nucl. Instr. Meth. B, 158 (1999), 628-637
• [8] Calvo del Castillo H., Ruvalcaba J.L., Calderón T., Some new trends in the ionoluminescence of minerals, Anal. Bioanal. Chem., 387 (2007), 869-878
• [9] Calderon T., Ionoluminescence and minerals: the state of the art, Rev. Mex. Fis., S54 (2008), 21-28
• [10] Laird J.S., Wilkinson J., Ryan C., Bettiol A., Hyper-spectral ionoluminescence system for minerals and fluid inclusions, Nucl. Instr. Meth. B, 269 (2011) 2244
• [11] King G.E., Finch A.A., Robinson R.A.J., Hole D.E., The problem of dating quartz 1: Spectroscopic ionoluminescence of dose dependence, Radiation Measurements, 46 (2011), 1-9
• [12] Huddle J.R., Grant P.G., Ludington A.R., Foster R.L., Ion beam-induced luminescence, Nucl. Instr. Meth. B, 261 (2007), 475-476
• [13] Zuk J., Ochalski T., Kulik M., Liskiewicz J., Kobzev A.P., Effect of oxygen implantation on ionoluminescence of porous silicon, J. Luminescence, 80 (1998), 187-192
• [14] Gawlik G., Jagielski J., Stonert A., Ratajczak R., Proton beam induced luminescence of silicon dioxide implanted with silicon, Nucl. Instr. Meth. B, 267 (2009), 2579-2582
• [15] Manfredotti C., Calusi S., Lo Giudice A., Giuntini L., Massi M., Olivero P., Re A., Luminescence centers in proton irradiated single crystal CVD diamond, Diam. & Rel. Mat., 19 (2010), 854-860
• [16] Wendler E., Peiter G., Optical properties of partially damaged ion implanted SiC layers by use of effective medium models, J. Appl. Phys., 87 (2000), 7679-7684
• [17] Musumeci P., Calcagno L., Grimaldi M.G., Foti G., Optical defects in ion damaged 6H-silicon carbide, Nucl. Instr. and Meth. B, 116 (1996), 327-331
• [18] Heera V., Skorupa W., MRS Symp. Proc., 438 (1997), 241.
• [19] Ascheron C., Biersack J.P., Fink D., Goppelt P., Manuaba A., Paszti F., Khanh N.Q., Study of protonbombardment- induced radiation damage in elemental and compound semiconductors by RBS channeling, Nucl. Instr. Meth., B 68 (1992), 443-449
• [20] Pyszniak K., Turek M., Drozdiel A., Sielianko J., Monczka D., Vaganov J., Juszkiewitch J., Project of the test stand for conducting research on ion sputtering caused by ions of medium energies, Przeglad Elektrotechniczny, 86 (2010), 190-192