Badania wpływu długoterminowego wygrzewania na półprzewodnikowe detektory UV

• Autorzy: Ćwirko R. , Ćwirko J.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2017.1.5

Warianty tytułu

EN

Investigation of the effect of long-term annealing for semiconductor UV detectors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Półprzewodnikowe detektory UV są stosowane w pracach badawczych, przemyśle i aplikacjach wojskowych oraz w systemach bezpieczeństwa. W artykule przedstawiono rezultaty badań nad wpływem wygrzewania detektorów UV w podwyższonej temperaturze na ich charakterystyki widmowe. W pracy omówiono również zrealizowane stanowisko badawcze umożliwiające poddawanie detektorów UV długotrwałym narażeniom termicznym oraz stanowisko do rejestracji charakterystyk widmowych.

EN

Semiconductor photodetectors UV are used in scietific research, industrial and military applications and security systems. The study concerned the impact of long-term annealing for UV detectors at elevated temperatures on their spectral characteristics. . This paper describes the implemented research stations allows treating long-term UV detectors extortion thermal and measuring of their spectral characteristics, also.

Słowa kluczowe

PL

fotodetektory UV; długoterminowe badania fotodetektrów; charakterystyka widmowa fotodetektora

EN

UV photodetectors; long-term studies of photodetectors; spectral characteristics of photodetectors

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2017
• Tom: Vol. 58, nr 1
• Strony: 27--30
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., il., rys., wykr.

Twórcy

autor

Ćwirko R.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Warszawa

autor

Ćwirko J.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Warszawa

Bibliografia

• [1] Omnes F, Manroi E.: (2010), Ultraviolet Photodetectors. Optoelectronics Sensor. pp. 181–222.
• [2] Chang W-R. i in.: (2003) The hetero-Epitaxial SiCN/Si MSM Photodetector fot High-Temperaturre Deep-UV Detecting Applications. IEEE Electron Device Letters, vol. 24, No. 9 , September 2003, pp. 565–567.
• [3] Shur M. S. (editor), Zakauskas A. (editor).: UV Solid-State Light Emitters and Detectors. NATO Science Series. Series II, vol. 144. ISBN 1-4020-2103-8 (e-book).
• [4] Liu H-D. i in.: (2006), Demonstration of Ultraviolet 6H-SiC PIN Avalanche Photodiodes. IEEE. Photonics Technology Letters, vol. 18. No. 23, December 1, pp. 2508–2510.
• [5] Pikhtin A.N., Tarasov S.A., Orlova T.A., Kloth B.: (2000) Selective and broadband GaP UV photodetectors. IWRFRI’2000, St. Petersburg, May 29-31; www.ioffe.ru/RT/IWRFRI2000/b2.html
• [6] Materiały firmy Hamamatsu Photonics K. K.: GaAsP photodiode – diffusion type. www.hamamatsu.com
• [7] Ćwirko J, Ćwirko R.: (2006), Badania detektorów UV do zastosowań specjalnych w zakresie kriogenicznych wartości temperatury Elektronika, 10/2012, str.136–140.

Uwagi

PL

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).