Current dependence of resistances and capacitances in a vertical-cavity surface-emitting laser

• Autorzy: Komar P. , Śpiewak P. , Gębski M. , Lott J. A. , Wasiak M.

Warianty tytułu

PL

Prądowa zależność rezystancji i pojemności w laserze o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Based on the model of impedance and modulation time constants for vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) we study the resistances and capacitances of an equivalent circuit as a function of the current flowing through the VCSEL. We observe reduction of some components of the resistance and the capacitance, as well as the modulation time constants for increasing current.

PL

W oparciu o model impedancji i stałych czasowych modulacji dla laserów o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową (VCSEL) badamy opory i pojemności równoważnego obwodu w funkcji prądu przepływającego przez laser. Obserwujemy, że wraz ze wzrostem prądu przepływającego przez urządzenie, niektóre ze składowych rezystancji i pojemności w elektrycznym układzie zastępczym ulegają zmniejszeniu. Wraz ze wzrostem prądu zmniejsza się również stała czasu modulacji.

Słowa kluczowe

EN

high-frequency modulation; capacitance; modelling of semiconductor lasers

PL

modulacja wysokiej częstotliwości; pojemność; modelowanie laserów półprzewodnikowych

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
• Rocznik: 2017
• Tom: Vol. 38
• Strony: 53--60
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., il. kolor., 1 rys., wykr.

Twórcy

autor

Komar P.

• Institute of Physics, Lodz University of Technology, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź, Poland

autor

Śpiewak P.

• Institute of Physics, Lodz University of Technology, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź, Poland

autor

Gębski M.

• Institute of Physics, Lodz University of Technology, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź, Poland
• Institute of Solid State Physics and the Center of Nanophotonics, Technical University of Berlin, D-10632 Berlin, Germany

autor

Lott J. A.

• Institute of Solid State Physics and the Center of Nanophotonics, Technical University of Berlin, D-10632 Berlin, Germany

autor

Wasiak M.

• Institute of Solid State Physics and the Center of Nanophotonics, Technical University of Berlin, D-10632 Berlin, Germany

Bibliografia

• [1] Li H., Lott J.A., Wolf P., Moser P., Larisch G., Bimberg D. 2015. Temperature-dependent impedance characteristics of temperature-stable high-speed 980 nm VCSELs. IEEE Photon. Technol. Lett. 27:832-835.
• [2] Li H., Wolf P., Moser P., Larisch G., Lott J.A., Bimberg D. 2014. Temperature-stable 980 nm VCSELs for 35 Gb s−1 operation at 85 °C with 139 fJ/bit dissipated heat. IEEE Photon. Technol. Lett. 26:2349-2352.
• [3] Moser P., Lott J.A., Larisch G., Bimberg D. 2015. Impact of the oxide-aperture diameter on the energy-efficiency, bandwidth, and temperature stability of 980 nm VCSELs. J. Lightwave Technol. 33:825-831.
• [4] Ou Y., Gustavsson J.S., Westbergh P., Haglund Å., Larsson A., Joel A. 2009. Impedance characteristics and parasitic speed limitations of high-speed 850 nm VCSELs. IEEE Photon. Technol. Lett. 21:1840-1842.
• [5] Wasiak M., Śpiewak P., Moser P., Walczak J., Sarzała R.P., Czyszanowski T., Lott J.A. 2016. Numerical model of capacitance in vertical-cavity surface-emitting lasers. J. Phys. D: Appl. Phys. 49:175104.
• [6] Piskorski Ł., Sarzała R.P., Nakwaski W. 2007. Self- consistent model of 650 nm GaInP/AlGaInP quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers. Semicond. Sci. Technol. 22:593-600.
• [7] Xu D., Tong C., Yoon S.F., Fan W., Zhang D.H., Wasiak M., Piskorski Ł., Gutowski K., Sarzała R.P., Nakwaski W. 2009. Room-temperature continuous-wave operation of the In(Ga)As/GaAs quantum-dot VCSELs for the 1.3 μm optical-fibre communication. Semicond. Sci. Technol. 24:055003.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).