Pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie termogramu

• Autorzy: Dziarski K.

Identyfikatory

DOI

10.32016/1.59.09

Warianty tytułu

EN

Temperature measurement of diode junction during their operation based on thermogram

• Konferencja: L Międzyuczelniana Konferencja Metrologów MKM 2018 (L; 10.09-12.09.2018; Szczecin - Kopenhaga, Polska - Dania)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono związek pomiędzy zmierzoną termowizyjnie temperaturą obudowy ϑ C i temperaturą złącza diody półprzewodnikowej zmierzoną za pomocą metody stykowej. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań oraz skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób, w jaki oszacowano temperaturę pracującego złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej napięcie przewodzenia UF i jego temperaturę ϑj. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności ε zadawanego w kamerze termowizyjnej pozwalający uzyskać wystarczająco dokładny pomiar temperatury złącza.

EN

When the temperature of the junction changes, characteristics of the semiconductor diode are changing too. Reliable measurement of junction’s temperature during their operation is difficult. The contact method of the measurement can provide information about of the case’s temperature. Good solution (omitting) these problems is indirect measurement of the junction’s temperature by a thermography. In the article the result of comparison of values of junction’s temperatures measured by the thermography and electrical method was based on measurement of forward voltage in a short period (20 ms) for the known UF = f(ϑj) characteristic.

Słowa kluczowe

PL

szacowanie wartości temperatury; dioda krzemowa; półprzewodniki; termowizja

EN

measurement of temperature; semiconductor diode; thermovision

• Wydawca: Wydział Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
• Rocznik: 2018
• Tom: Nr 59
• Strony: 47--50
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., wykr., tab.

Twórcy

autor

Dziarski K.

• Politechnika Poznańska, Wydział Elektryczny tel.: [phone]

Bibliografia

• 1. David L. Blackburn.: Temperature Measurements of Semiconductor Devices - A Review , Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium, 2004. Twentieth Annual IEEE.
• 2. Górecki K., Zarębski J.: Pomiar rezystancji termicznej tranzystorów mocy wykorzystaniem metod pirometrycznych, PAK 1/2013.
• 3. Avenas Y., Dupont L., and Khatir Z.: Temperature Measurement of Power Semiconductor Devices by Thermo-Sensitive Electrical, IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOL. 27, NO. 6, JUNE 2012
• 4. Dutta V.: JUNCTION TO CASE THERMAL RESISTANCE - STILL A MYTH?, Semiconductor Thermal and Temperature Measurement Symposium, 1988. SEMI-THERM IV., Fourth Annual IEEE
• 5. Hauser J.: Podstawy elektrotermii i techniki świetlnej, Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej, Poznań 2006.
• 6. Dziarski K, Wiczyński G.: Termowizyjny pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej, Poznań University of Technology Academic Journals, Issue 92, Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej, Poznań 2017.

Uwagi

PL

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).