Rola, wymagania i technologia złącza tunelowego dla wielozłączowego ogniwa słonecznego

• Autorzy: Dawidowski W. , Ściana B. , Zborowska-Lindert I. , Pucicki D. , Radziewicz D. , Bielak K. , Badura M. , Tłaczała M.

Warianty tytułu

EN

Requirements and technology of tunnel junction for multijunction solar cell

• Konferencja: Sympozjum "Fotowoltaika i Transparentna Elektronika : Perspektywy Rozwoju" (4 ; 09-12.05.2013 ; Świeradów Zdrój ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Wielozłączowe ogniwa słoneczne na bazie półprzewodników złożonych AlIIBV należą do najbardziej wydajnych przyrządów fotowoltaicznych. Istotnym elementem konstrukcyjnym takiego ogniwa jest złącze tunelowe, umożliwiające połączenie elektryczne i optyczne pomiędzy sąsiednimi podogniwami minimalnych stratach. Niniejsza praca omawia funkcje złącza tunelowego oraz wymagania konstrukcyjne stawiane przez ten przyrząd. Dodatkowo przedstawione zostały prace autorów dotyczące epitaksjalnego wzrostu wytworzenia testowej struktury diody tunelowej na bazie GaAs.

EN

Multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds are the most effective photovoltaic devices. One of the most important parts of their construction is a tunnel junction (TJ), which is designed for series electrical connection between individual subcells. This work describes the main principles of the tunnel junction work and requirements for MJSC applications. Moreover the results concerning an epitaxial growth and fabrication of the test GaAs-based tunnel diodes are presented and discussed.

Słowa kluczowe

PL

złącze tunelowe; ogniwo wielozłączowe; technologia AP-MOVPE

EN

tunnel junction; multijunction solar cell; AP-MOVPE technolgy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 7
• Strony: 33--35
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Dawidowski W.

• Politechnika Wroławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Ściana B.

• Politechnika Wroławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Zborowska-Lindert I.

• Politechnika Wroławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Pucicki D.

• Politechnika Wroławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Radziewicz D.

• Politechnika Wroławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Bielak K.

• Politechnika Wroławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Badura M.

• Politechnika Wroławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Tłaczała M.

• Politechnika Wroławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

Bibliografia

• [1] Berlin L., Casey C.: Robert Noyce and the Tunnel Diode, IEEE Spectrum, May 2005, 49-53.
• [2] Esaki L.: New Phenomenon in Narrow Germanium p-n Junctions, Phys. Rev. 109, 1958, 603-604.
• [3] Kriplani N. i in.: Modelling of an Esaki Tunnel Diode in a Circuit Simulator, Active and Passive Electronic Components, 2011, 830182.
• [4] Lavery J.: Quantum tunneling model of a p-n junction in Silvaco, Master thesis, Naval Postgraduate School, Monterey, California, 2008.
• [5] Baudrit M., Algora C.: Modeling of GalnP/GaAs Dual Junction Solar Cells Including Tunnel Junction, 3rd IEEE Photovoltaic Specialist Conference, 12-16 May. 2008, St. Diego C. A.
• [6] Ściana B. i in.: Tunnel Junction Technology for Multijunction Solar Cell Applications, ASDAM 2012, The Ninth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, 243-246.