Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS

• Autorzy: Bisewski Damian , Lubicz-Krośnicka Emilia

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2021.12.39

Warianty tytułu

EN

Evaluation of accuracy of manufacturers models of SiC MOSFETs

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy problematyki modelowania charakterystyk oraz parametrów tranzystorów MOS mocy wykonanych z węglika krzemu. Przedstawiono aktualny status komercyjny tranzystorów SiC-MOS oraz informacje w zakresie dostępności modeli firmowych rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. Zaprezentowano budowę oraz zasadę działania modeli oferowanych przez wybranych producentów tranzystorów SiC-MOS. Przedstawiono wyniki oceny dokładności tych modeli poprzez porównanie wyników symulacji oraz charakterystyk katalogowych.

EN

The paper concerns on modelling of the characteristics and parameters of power MOSFETs made of silicon carbide. The current commercial status of SiC-MOSFETs and information on the availability of manufacturers models of considered transistors have been discussed. The structure and principle of operation of the models offered by selected manufacturers of SiC-MOSFETs have been presented. An evaluation of accuracy of these models have been presented by comparing the simulation results and catalogue characteristics.

Słowa kluczowe

PL

modelowanie; MOSFET; SiC; SPICE

EN

modelling; MOSFET; SiC; SPICE

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2021
• Tom: R. 97, nr 12
• Strony: 187--190
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Bisewski Damian

• Uniwersytet Morski w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81-87, 81-225 Gdynia

• https://orcid.org/0000-0002-9519-3209

autor

Lubicz-Krośnicka Emilia

• Uniwersytet Morski w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81-87, 81-225 Gdynia

Bibliografia

• [1] Lubicz-Krośnicka E., Modelowanie tranzystorów MOS mocy wykonanych z materiałów o szerokiej przerwie energetycznej, Praca inżynierska, Uniwersytet Morski w Gdyni, Gdynia, 2020
• [2] Zarębski J.: Tranzystory MOS mocy. Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007
• [3] Vladimirescu A.: The Spice Book. John Wiley and Sons, New York, 1994
• [4] Zarębski J., Bisewski D.: Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE, Elektronika, 50 (2009), nr 6, 96-100
• [5] Zarębski J., Bisewski D.: Modelowanie tranzystorów SiC-MOS, Elektronika, 50 (2009), nr 7, 177-180
• [6] McNutt T. et al.: Silicon Carbide Power MOSFET Model and Parameter Extraction Sequence, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 22 (2007), No. 2, 353-363
• [7] www.infineon.com – strona www firmy Infineon Technologies
• [8] www.littelfuse.com – strona www firmy Littelfuse, Inc.
• [9] www.onsemi.com – strona www firmy On Semiconductor
• [10] www.rohm.com – strona www firmy Rohm Semiconductor
• [11] www.st.com – strona www firmy ST Microelectronics
• [12] www.wolfspeed.com – strona www firmy Wolfspeed
• [13] karta katalogowa tranzystora SCT3060AR, Rohm Semiconductor
• [14] karta katalogowa tranzystora SCT50N120, ST Microelectronics
• [15] karta katalogowa tranzystora C3M0120090D, Wolfspeed

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2021).