Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range

• Autorzy: Vorobey R. I. , Gusev O. K. , Tyavlovsky A. K. , Tyavlovsky K. L. , Svistun A. I. , Shadurskaya L. I. , Yarzhembitskaya N. V , Kierczyński K.

Identyfikatory

DOI

10.12915/pe.2014.05.16

Warianty tytułu

PL

Półprzewodnikowe przetworniki fotoelektryczne z rozszerzoną dynamiczną skalą czułości

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Semiconductors with deep multiply charged impurity are proposed as a basis for photodetectors with a large dynamic range of sensitivity. The model of recombination processes is used to develop photodetectors with extended dynamic range and functionality. It is shown that the use of such structures can significantly extend the dynamic range and sensitivity resulting in new functional properties of photodetectors with a simple structure.

PL

Do formowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzoną dynamiczną skalą czułości proponuje się wykorzystanie półprzewodników domieszkowanych głęboką wieloładunkową domieszką. Do opracowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzonymi funkcjonalnymi możliwościami i dynamiczną skalą wykorzystano model zjawisk rekombinacyjnych. Udowodniono, że wykorzystanie takich struktur pozwala istotnie poszerzyć dynamiczną skalę czułości oraz otrzymać nowe funkcjonalne właściwości przetworników fotoelektrycznych z prostą strukturą.

Słowa kluczowe

EN

photoelectric converter; dynamic range; intrinsic conductivity; multiply charged impurity; charge state

PL

przetwornik fotoelektryczny; diapazon dynamiczny; konduktywność samoistna; domieszka

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2014
• Tom: R. 90, nr 5
• Strony: 75--78
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Vorobey R. I.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Gusev O. K.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Tyavlovsky A. K.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Tyavlovsky K. L.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Svistun A. I.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Shadurskaya L. I.

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Yarzhembitskaya N. V

• Belarusian National Technical University, 65 Nezavisimosti Ave., 220013 Minsk, Belarus

autor

Kierczyński K.

• Lublin University of Technology, Department of Electrical Devices and H.V. Technology, 38a Nadbystrzycka Str., 20-618 Lublin, Poland

Bibliografia

• [1] Gvozdek M. , Handbook of techniques for video surveillance. Planning, design and installation, Technosphere, (2010) (in Russian)
• [2] Karimov A.V., Edgorova D.M., Giyasova F.A., Asimov T.M., Buzrukov U.M., Yakubov A.A., Features of photovoltaic characteristics of photovoltaic and electric structures, Functional micro-and nanoelectronics, (2007), n.4, 23-28 (in Russian)
• [3] Revolutionary sensor blazes the way to a new era of high image quality – “Super CCD EXR” – www.fujifilm.com/photokina2008/pdf/release/super_ccd_exr_e .pdf.
• [4] Kolobrodov V.G., Pivtorak D.O., Podol yan O.P, The method for producing a digital image with a large dynamic range, Patent of the Russian Federation 2470366, MPK G06T 5/50 (in Russian)
• [5] Filachev A.N. Taubkin I . I . , Trishenkov M.A., The state-of-the-art and the main directions of development of solid-state photonics, Fizmatkniga, Moscow, (2010) (in Russian)
• [6] Filachev A.N., Taubkin I . I ., Trishenkov M.A., Solid Photoelectronics, Fizmatkniga, Moscow, (2011) (in Russian)
• [7] Gusev O.K., Vorobey R.I., Zharin A.L., Svi stun A.I. , Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L., The methodology and measuring parameters of objects with uncertain conditions, Minsk: Belarusian National Technical University (2010) (in Russian)
• [8] Gusev O.K., Svistun A.I., Shadurskaya L.I., Yar jembi ts kaya N.V. , Design and control of metrological characteristics of photovoltaic converters based on multiply charged impurities semiconductors. Sensors and systems, (2011), n.1, 22-24 (in Russian)
• [9] Gusev O.K., Vorobey R.I., Svistun A.I., Tyavlovsky A.K., Tyavlovsky K.L. Shadurskaya L.I., Yarjembi tskaya N.V., Controlled additional illumination photodetector, Patent of the Republic of Belarus 15840 MPK H 01L 31/16
• [10] Gusev O.K., Svistun A.I., Shadurskaya L.I., Yar jembi ts kaya N.V. , The identification algorithm of metrological characteristics of wide-range photovoltaic semiconductor converters with multiply impurities, Devices and methods of measurements, (2011), n.2 (3), 99-104