Termodesorpcja argonu implantowanego do germanu

• Autorzy: Turek Marcin , Droździel Andrzej , Pyszniak Krzysztof , Vaganov Yuriy A.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2020.08.25

Warianty tytułu

EN

Thermal desorption of argon implanted into germanium

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Badano termodesorpcję Ar zaimplantowanego do germanu (z energią 100 keV i 150 keV, dawka 2×1016 cm-2). Zaobserwowano gwałtowne uwolnienia Ar w temperaturach 790-840 K w postaci wąskich wierzchołków w widmach TDS, co świadczy najprawdopodobniej o uwalnianiu Ar zgromadzonego w postaci bąbli we wnękach w Ge. Analiza przesunięć położenia wierzchołków pozwoliła oszacować wartości energii aktywacji desorpcji – wynosi ona 3.2 eV (100 keV) i 2.2 eV (150 keV) - znacznie więcej niż uzyskane w przypadku He implantowanego do Ge.

EN

Thermal desorption of Ar implanted into germanium (with energies 100 keV and 150 keV, fluence 2×1016 cm-2) was studied. Sudden release of Ar was observed as narrow peaks in temperature range 790-840 K in TDS spectra, which may be assigned to the release of gas trapped as bubbles in cavities in the Ge lattice. The analysis of peak shifts enabled estimation of desorption activation energies - it is 3.2 eV (100 keV) and 2.2 eV (150 keV) - these values are much larger than those measured for He implanted into Ge.

Słowa kluczowe

PL

implantacja jonowa; spektrometria termodesorpcyjna; desorpcja; defekty w ciałach stałych

EN

ion implantation; thermal desorption spectrometry; desorption; defects in solids

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2020
• Tom: R. 96, nr 8
• Strony: 126--130
• Opis fizyczny: Bibliogr. 33 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Turek Marcin

• Instytut Fizyki, Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej, pl. M. Marii Curie-Skłodowskiej 1, 20-031 Lublin

autor

Droździel Andrzej

• Instytut Fizyki, Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej, pl. M. Marii Curie-Skłodowskiej 1, 20-031 Lublin

autor

Pyszniak Krzysztof

• Instytut Fizyki, Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej, pl. M. Marii Curie-Skłodowskiej 1, 20-031 Lublin

autor

Vaganov Yuriy A.

• Joint Institute for Nuclear Research, Joliot-Curie 6, Dubna, Russia

Bibliografia

• [1] van Gorkum A.A., Kornelsen E.V., Vacuum 31 (1981), 89
• [2] Zibrov M., Gasparyan Yu., Ryabtsev S., Pisarev A., Physics Procedia 71 (2015), 83
• [3] Alimov V.Kh., Tyburska-Püschel B., Lindig S., Hatano Y., Balden M., Roth J., Isobe K., Matsuyama M., Yamanishi T., J. of Nucl. Mater., 420 (2012), 519
• [4] Airapetov A. A., Begrambekov L. B., Vergazov S. V., Kuzmin A. A., Fadina O. C., and Shigin P. A., Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques (2010 ) 4, 567
• [5] Morozov O., Zhurba V., Neklyudov I., Mats O., Rud A., Chernyak N., Progolaieva V., Nanoscale. Res. Lett. 10 (2015), 154
• [6] Trinkaus H., Singh B. N., J. Nucl. Mater. 323 (2003), 229
• [7] Chang S., Lin T., and Li T., Journal of Nanomaterials 2014 (2014), 690498
• [8] Bruel M.; Aspar B.; Charlet B.; Maleville C.; Poumeyrol T.; Soubie A.; Auberton-Herve A.J.; Lamure J.M.; Barge T. 1995 IEEE International SOI Conference Proceedings p.178
• [9] Kögler R., Peeva A., Lebedev A., Posselt M., Skorupa W., Oezelt G., Hutter H., Behar M., J. Appl. Phys. 94 (2003), 3834
• [10] Raineri V., Saggio M., Rimini E., J. Mater. Res. 15 (2000), 1449
• [11] Oliviero E., David M. L., Beaufort M. F., Barbot J. F., van Veen A., Appl. Phys. Lett., 81 (2002), 4201
• [12] Corni F., Calzolari G., Gambetta F., Nobili C., Tonini R., Zapparoli M., Materials Science and Engineering B 71 (2000), 207
• [13] Cerofolini G.F., Calzolari G., Corni F., Frabboni S., Nobili C., Ottaviani G., Tonini R., Phys. Rev. B 61 (2000), 10183
• [14] Godey S., Ntsoenzok E., Sauvage T., van Veen A., Labohm F., Beaufort M.F., Barbot J.F., Materials Science and Engineering B 73 (2000), 54
• [15] Lau W. M., Bello I., Huang L. J., Feng X., Vos M.,. Mitchell I . V, J. Appl. Phys. 74 (1993), 7105
• [16] Filius A., van Veen A., Bijkerk K. R., and Evans J. H., Radiat. Eff. 108 (1989) , 1
• [17] Hanada R., Saito S., Nagata S., Yamaguchi S., Shinozuka T., Fujioka I., Mat. Sci. Forum 196-201 (1995), 1375
• [18] Werner M., van den Berg J. A., Armour D. G., Carter G., Feudel T., Herden M., Bersani M., Giubertoni D., Ottaviano L., Bongiorno C., Mannino G., Bailey P., and Noakes T. C. Q., Appl. Phys. Lett. 86 (2005), 151904
• [19] Prucnal S., Berencén Y., Wang M., Grenzer J., Voelskow M., Hübner R., Böttger R., Yamamoto Y., Scheit A., Bärwolf F., Zviagin V., Schmidt-Grund R., Grundmann M., Żuk J., Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Kudrawiec R., Polak M. P., Leipoldt J., Rebohle L., Skorupa W., Helm M. and Zhou S. Phys. Rev.Appl. 10 (2018), 064055
• [20] Prucnal S., Liu F., Berencen Y., Vines L., Bischoff L., Grenzer J., Andric S., Tiagulskyi S., Pyszniak K., Turek M., Drozdziel A., Helm M., Zhou S., and Skorupa W., Semicond. Sci. Technol. 31 (2016)., 105012
• [21] David M-L., Alix K., Pailloux F., Mauchamp V., Couillard M., Botton G. A., and Pizzagalli L., Journal of Applied Physics 115 (2014), 123508
• [22] Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Prucnal,S. Zuk,J. Vaganov Yu. Acta Physica Polonica A 136 (2019) 285
• [23] F. Yang, X.-X. Zhang T.-C. Ye and S.-L. Zhuang Journal of The Electrochemical Society, 158 (12), H1233 (2011)
• [24] Drozdziel A., Wojtowicz A., Turek M., Pyszniak K., Maczka D., Slowinski B., Yushkevich Y.V. and Zuk J., Acta Phys. Pol. A 125 (2014), 1400
• [25] Turek M., Droździel A., Wójtowicz A., Filiks J., Pyszniak K., Mączka D., Yuschkevich Y., Acta Phys. Pol. A 132 (2017), 249
• [26] Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Wójtowicz A., Vaganov Yu. Przeglad Elektrotechniczny 2018-7 (2018) 159
• [27] Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Wójtowicz A., Mączka D., Yuschkevich Y., Vaganov Y., Żuk J., Acta. Phys. Pol. A 128 (2015), 849
• [28] Ziegler J.F., Ziegler M.D., Biersack J.P., Nucl. Instr. Meth. B 268 (2010), 1818
• [29] Corni F., Calzolari G., Gambetta F., Nobili C., Tonini R., Zapparoli M., Materials Science and Engineering B 71 (2000), 207
• [30] Corni F., Nobili C., Ottaviani G., Tonini R., Calzolari G., Cerofolini G.F. and Queirolo G., Phys. Rev. B 56 (1997), 7331
• [31] Hasanuzzaman M. Void Evolution And Defect Interactions In Silicon And Silicon Germanium, Ph.D. Thesis, McMaster University 2012
• [32] Redhead P.A.,Vacuum 12 (1962), 203
• [33] Blackburn R. International Materials Reviews, 11 (1966), 159

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2020).