Kinetic properties and charge transport physics of isotropic semiconductor crystals

• Autorzy: Budzak Y. S. , Wacławski T.

Identyfikatory

DOI

10.4467/2353737XCT.15.118.4155

Warianty tytułu

PL

Własności kinetyczne i fizyka transportu ładunku w izotropowych kryształach półprzewodnikowych

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

This paper presents general formulas for the kinetic properties of semiconductor crystals expressed in terms of the Fermi integrals. The formulas provide algorithms for the calculation or identification of the kinetic properties and constitute (together with the results of theoretical analysis and other presented relationships) the mathematical model of the charge carrier transport phenomena in semiconductor crystals.

PL

Uzyskane i przedstawione w artykule ogólne wzory opisujące własności kinetyczne kryształów półprzewodnikowych są wyrażone poprzez całki Fermiego. Te wzory są podstawą algorytmu do obliczenia i identyfikacji tych własności, stanowiąc (łącznie z wynikami analizy teoretycznej i innymi przedstawionymi zależnościami) model matematyczny zjawisk transportu nośników ładunku elektrycznego w kryształach półprzewodnikowych.

Słowa kluczowe

EN

kinetic phenomena; charge carriers; scattering mechanisms; semiconductor crystals

PL

zjawiska kinetyczne; nośnik ładunku; mechanizmy rozpraszania; kryształy półprzewodnikowe

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Krakowskiej im. Tadeusza Kościuszki
• Czasopismo: Czasopismo Techniczne. Nauki Podstawowe
• Rocznik: 2015
• Tom: Y. 112, iss. 1-NP
• Strony: 39--48
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., wz.

Twórcy

autor

Budzak Y. S.

• Department of Semiconductor Electronics, State University Lvivska Polytechnica, Ukraine

autor

Wacławski T.

• Institute of Electrical Engineering and Computer Science, Faculty of Electrical and Computer Engineering, Cracow University of Technology

Bibliografia

• [1] Askerov B.M., Electron transport phenomena in semiconductors, World Scientific, Singapore 1994.
• [2] Budzak Ya.S., Wacławski T., Physics of semiconductor crystals. Introduction to statistical theory of thermal and kinetic properties of crystal with computational examples in MATHCAD, Wydawnictwo Miniatura, Kraków 2008 (in Polish).
• [3] Budzak Ya.S., Vakiv M.M., Elements of statistical theory of thermal and kinetic properties of semiconductor crystals, Liga-Pres, Lviv 2010 (in Ukrainian).
• [4] Haug H., Jauho A.-P., Quantum Kinetics in Transport and Optics of Semiconductors, Springer 1996.
• [5] Madelung O., Physics of III-V compounds, Wiley, New York 1964.
• [6] Polya G., Szego G., Aufgaben und Lehrsaetze aus der Analysis, vol. 1, sect. 2, subsec. 1, ex. 77, Springer‒Verlag, Berlin‒Goettingen‒Heidelberg‒New York 1964.
• [7] Seeger K., Semiconductor Physics, Springer–Verlag, Wien New York 1973.
• [8] Yu P.Y, Cardona M., Fundamentals of semiconductors. Physics and Materials Properties, Springer, 2010.
• [9] Zawadzki W., Mechanisms of Electron Scattering in Semiconductors, PAN Publishers, Wroclaw‒Warszawa‒Krakow 1979.
• [10] Budzak Ya.S., Investigation of Transport Phenomena in Semiconductors with Complex Spectrum, D.Sc. Thesis, S. Petersburg 1985.
• [11] Pustelny T., Opilski A., Pustelny B., Determination of Some Kinetic Parameters of Fast Surface States in Silicon Single Crystals by Means of Surface Acoustic Wave Method, Acta Phys. Polon. A 114, 2008, 183-190.
• [12] Dziawa P., Kowalski B.J., Dybko K., Buczko R., Szcerbakow A. et al., Topological crystalline insulator states in Pb1‒xSnxSe, Nat. Mat. Lett. 11, 2012.
• [13] Young D.L., Coutts T.J., Kaydanov V.I., Mulligan V.P., Direct Measurement of Density-of-States Effective Mass and Scattering Parameter in Transparent conducting Oxides Using Second-Order Transport Phenomena, National Renewable Energy Laboratory, Golden, http://www.doe.gov/bridge (online: 09.09.2015).

Uwagi

PL

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.