PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Determination of the structural state and stability of the laser crystallized Cd1-xМnxTe crystal surface

Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Określenie postaci strukturalnej oraz stabilności powierzchni kryształu Cd1-xМnxTe krystalizowanej laserem
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
The modified surface layers of the Cd1-xМnxTe crystals were obtained by the laser recrystallization of the crystal surface with the use of millisecond and nanosecond impulse ruby lasers. The determination and diagnostics of the layer structural state were performed by the study of the electron channeling patterns in the SEM. The AFM studies showed that mechanically stable contact regions within the CdTe crystal –Cu film system can be formed, depending on the laser energy density and beam defocusing. On the base of the ellipsometric studies, it was found that while irradiating the Cd1-xМnxTe crystal surface, the refractive index of the oxide film on the modified surface changes depending on the laser beam energy density, which can be interpreted as the formation of the oxides of the different chemical composition.
PL
Zmodyfikowane warstwy wierzchnie kryształów Cd1-xМnxTezostały uzyskane metodą laserowej rekrystalizacji powierzchni kryształu przy wykorzystaniu impulsów milisekundowychi nanosekundowychlaserów rubinowych. Określenie i diagnostyka strukturalnej postaci powierzchni zostały wykonane metodą badania struktury kanałów elektronu SEM. Badania AFM wykazały,że mogą zostać wytworzoneobszary mechanicznie stabilnego obszaru kontaktowego kryształ CdTe –powłoka Cu,w zależności od skupienia energii laserowejoraz zdekoncentrowania wiązki. Na podstawie pomiarów elipsometrycznychodkryto,że podczas napromieniowywania powierzchni kryształu Cd1-xМnxTe, wskaźnik refrakcyjny powłoki tlenku na powierzchni zmodyfikowanej ulega zmianie w zależności od skupienia energii wiązki laserowej, co może być interpretowane,jako powstawanie tlenków o różnym składzie chemicznym.
Rocznik
Strony
40--43
Opis fizyczny
Bibliogr. 10 poz., rys., tab.
Twórcy
  • Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Sciences Institute/Department of Physics of Semiconductors and Nanostructures,Chernivtsi, Ukraine
  • Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Sciences Institute/Department of Physics of Semiconductors and Nanostructures,Chernivtsi, Ukraine
autor
  • Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Institute of Biology, Chemistry and Bioresources/Department of General Chemistryand Chemical Material Science, Chernivtsi, Ukraine
  • Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Sciences Institute/Department of Physics of Semiconductors and Nanostructures,Chernivtsi, Ukraine
  • Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Sciences Institute/Department of Physics of Semiconductors and Nanostructures,Chernivtsi, Ukraine
  • Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Sciences Institute/Department of Physics of Semiconductors and Nanostructures,Chernivtsi, Ukraine
  • Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Sciences Institute/Department of Physics of Semiconductors and Nanostructures,Chernivtsi, Ukraine
  • Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Physical, Technical and Computer Sciences Institute/Department of Physics of Semiconductors and Nanostructures,Chernivtsi, Ukraine
Bibliografia
  • [1] Cui Y., Bolotnikov A., Hossain A., Camarda G., Mycielski A., Yang G., Kochanowska D., Witkowska-Baran M. James R.B.: CdMnTe in X-ray and gamma-ray detection: potential applications. Proc. SPIE 7079/2008.
  • [2] Dremlyuzhenko S.G., Zakharuk Z.I., Savchuk A.I., Fochuk P.M.: Effect of treatment on the CdTe, Cd1–xMnxTe and Cd1–xZnxTe surface stoichiometry. Phys. Stat. Sol. (b) 244/2007, 1650–1654.
  • [3] Gatskevich E., Ivlev G., Prikryl P., Cerny R., Chab, V., Cibulka, O.: Pulsed laser-induced phase transformations in CdTe single crystals. Appl. Surf. Sci. 248/2005, 259–263.
  • [4] Mycielski A., Kowalczyk L., Galazka R.R., Sobolewski R., Wang D., Burger A., Sowinska M., Groza M., Siffert P., Szadkowski A., Witkowska B., Kaliszek W.: Applicaions of II-VI semimagnetic Semiconductors. J. Alloys Compd. 423/2006, 163–168.
  • [5] Nikonyuk E.S., Zakharuk Z.I., Kuchma M.I., Rarenko A.I., Shlyakhovyi V.L., Yuriychuk I.M.: Relaxation processes in conductivit of Cd1–xMnxTe crystals (0.02
  • [6] Savchuk A.I., Fochuk P.M., Strebezhev V.V., Kleto G.I., Yuriychuk I.М., Khalavka Y.B., Obedzynskyi Y.K., Strebezhev V.М.: The effect oflaser treatmenton the morphology and structure of CdSb-Cd1-хMnхTe and CdSb-In4(Se3)1-хТe3х thin film heterojunctions: Appl. Sur. Sci. 418/2017, 536–541.
  • [7] Tompkins H.G., Hilfiker J.N.: Spectroscopic Ellipsometry: Practical Application to Thin Film Characterization. Momentum Press, New York 2016.
  • [8] Triboulet R., Siffert P.: CdTe and Related Compounds; Physics, Defects, Hetero- and Nano-structures, Crystal Growth, Surfaces and Applications. Elsevier, Amsterdam 2010.
  • [9] Vorobets G.I., Vorobets O.I., Strebegev V.N.: Laser manipulation of clasters, structural defects and nanoaggregates in barrier structures on silicon and binary semiconductors. Appl. Surf. Sci. 247/2005, 590–601.
  • [10] Yuriychuk I.M., Fochuk P.M., Bolotnikov A.E., James R.B.: Ab initio GGA+U investigations of the structural, electronic, and magnetic properties of Cd1-xMnxTe alloy. Proc. SPIE 11114/ 2019.
Uwagi
Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2020).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-f3a3cc2a-021a-4f09-ab6f-52d80b445664
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.