Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych

• Autorzy: Wojtasiak W. , Kuchta D.

Warianty tytułu

EN

A DC Analytical Model of AlGaN/GaN HEMT including physical parameters

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Powszechnie znane metody pomiaru ruchliwości i koncentracji nośników w 2-wymiarowym gazie elektronowym (2-DEG) struktur HEMT stosowane są do oceny poszczególnych etapów procesu technologicznego. Brak jest ilościowego odniesienia uzyskanych w ten sposób wartości tych parametrów wprost do charakterystyk elektrycznych tranzystora. Dlatego zaproponowano podejście zaciskowe, aby na podstawie zależności fizycznych i charakterystyk DC I-V tranzystora wyznaczyć ruchliwość i koncentrację nośników 2-DEG w kanale struktury GaN HEMT.

EN

Commonly known method for the measurement of electron mobility and concentration in the 2-dimensional electron gas (2-DEG) of HEMT heterostructures are used to evaluate the individual stages in the technological process. Currently, there is no quantitative reference of values obtained with the use of mentioned methods directly to the electrical characteristics of the transistor. This was the main reason to apply a terminal approach in order to determine a mobility and carrier concentration in 2-DEG of GaN HEMTs heterostructures based on physical relationships and IV characteristics.

Słowa kluczowe

PL

GaN; HEMT; tranzystor; ruchliwość; koncentracja

EN

GaN; HEMT; transistor; modeling; electron mobility; concentration

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 9
• Strony: 207--210
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Wojtasiak W.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

autor

Kuchta D.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

Bibliografia

• [1] Brzozowski A., Pomiar warstw epitaksjalnych metodą C-V przy użyciu sondy rtęciowej, Materiały Elektroniczne nr 4(44),WEMA, 1984
• [2] Jung W., Zastosowanie złącza metal-półprzewodnik do określania parametrów fizycznych struktur półprzewodnikowych, ITE, Warszawa 2011
• [3] Sze S.M., Ng K.K., Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition, Wiley-IEEE, Press, 2006
• [4] Katz O., Horn A., Bahir G., Electron mobility in an AlGaN/GaN two- dimensional electron gas I-Carrier concentration dependent mobility, Electron Devices, IEEE Trans. on, vol.50, no.10, 2002-2008, 2003
• [5] Bhapkarand U.V., Shur M., Monte Carlo calculation of velocityfield characteristics of wurtzite GaN, Journal of Applied Physics, vol. 82, no.4, 1649, Aug 1997
• [6] Oxley C.H., Uren M.J., Measurements of unity gain cutoff frequency and saturation velocity of a GaN HEMT transistor, Electron Devices, IEEE Transactions on , vol.52, no.2, 165,169, Feb. 2005
• [7] Gangwani P., Pandey S., Haldar S., A compact C-V model for 120nm AlGaN/GaN HEMT with modified field dependent mobility for high frequency applications, Microelectronics Journal, vol. 38, Issues 8-9, 848-854, 2007
• [8] Kuchta D., Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych, praca magisterska, IRE PW