Wpływ gradientu temperatury podczas przecinania laserowego płytek krzemu fotowoltaicznego na parametry użytkowe ogniw słonecznych

• Autorzy: Stechnij T. , Zaborski S.

Warianty tytułu

EN

The influence of temperature gradients during the laser cutting of the photovoltaic silicon plates on the properties of the silicon cells

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł dotyczy zagadnienia laserowego cięcia płytek krzemu fotowoltaicznego. Powstałe podczas procesu defekty ukazano na przykładzie pomiarów mikrotwardości. W ramach badań wykonywano także pomiary właściwości elektrycznych, które w artykule nie są zaprezentowane, aczkolwiek konkluzje z tych pomiarów artykuł zawiera. Celem cyklu badawczego jest ocena zmian właściwości elektrycznych płytek krzemu pod wpływem oddziaływania termicznego podczas obróbki.

EN

The article focuses on the process of cutting silicon photovoltaic plates which was shown on the sample measurements of micro-hardness. As a part of the investigation process, measurements of electric properties were performed, though they were not discussed in the article for editing reasons; however, the article presents conclusions drawn from the measurements. The aim of the investigative cycle was to determine certain changes of electric properties of silicon plates under the influence of the thermal gradient during the cut processing.

Słowa kluczowe

PL

ogniwa słoneczne; krzem fotowoltaiczny; przecinanie płytek krzemu

EN

solar cells; photovoltaic silicon; silicon plates cutting

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Energia [Stowarzyszenie Elektryków Polskich - COSiW]
• Czasopismo: Energetyka
• Rocznik: 2014
• Tom: nr 11
• Strony: 692--694
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Stechnij T.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Mechaniczny

autor

Zaborski S.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Mechaniczny

Bibliografia

• [1] Blatt F.J.: Fizyka zjawisk elektronowych w metalach i półprzewodnikach, PWN, Warszawa 1973.
• [2] Castaner L., Silvestre S.: Modelling Photovoltaic Systems using PSpice, John Wiley & Sons, 2002.
• [3] Cosford L., Swift V.: Laser cutting of silicon wafers, Enabling Technology, 2008.
• [4] Scott C.S., Reed C.E.: Surface physics of phosphors and semiconductors, Academia Press, London, New York - San Francisco 1975.
• [5] Stechnij Т., Zaborski S.: Termiczne metody cięcia stali nierdzewnej oraz krzemu, PAN, Sekcja Podstaw Technologii - prace naukowe, SNOE, Warszawa 2011.
• [6] Szaynok A., Kuźmiński S.: Podstawy fizyki powierzchni półprzewodników, WNT, Warszawa 2000.
• [7] Pełka J.B., Sobierajski R.: Oddziaływanie silnych impulsów lasera XUV FEL z materią stałą. Instytut Fizyki PAN, Warszawa 2007.
• [8] Yoo W.S., Fukada T., Yokoyama I., Kang K., Takahashi N.: Thermal Behavior of Large-Diameter Silicon Wafers during High-Temperature Rapid Thermal Processing in Single Wafer Furnace, The Japan Society of Applied Physics, Tokyo 2002.